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公开(公告)号：CN118919388A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310510933.4
申请日：2023-05-08
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请提供一种射频等离子体匹配网络电路，包括：第一真空继电器以及高/低功率等离子体负载匹配网络，利用第一真空继电器实现高功率等离子体负载匹配网络和低功率等离子体负载匹配网络之间的切换，低功率等离子体负载匹配网络包括电容模块和电阻模块，也就是说，低功率等离子体负载匹配网络中的电容模块和电阻模块实现对射频电源的功率衰减，实现低功率等离子体的稳定工艺，具体可以通过调整电容模块的电容和电阻模块的电阻实现对于低功率等离子体工艺的精确调整，由此可见，本申请实施例提供的射频等离子体匹配网络电路，能够满足对于高低能量等离子体组合工艺的需求，拓展了半导体设备的工艺窗口，能够更好地进行半导体器件及芯片的制造。
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公开(公告)号：CN118431054A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310080651.5
申请日：2023-02-02
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305
摘要： 本发明公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统，所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环；所述气体管路连接所述进气块，所述进气块均匀分布在所述匀气环周围，所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖，所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔；所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果，从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。
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公开(公告)号：CN118280798A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211727242.1
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种离子束刻蚀的均匀性调节装置及方法，通过均匀性调节电容组件和安装在放电腔预设位置上的均匀性调节线圈组件，实现对均匀性调节线圈组件中平面线圈和/或筒形线圈上功率的调节，最终实现对所述放电腔内等离子体密度分布的调节，并且还可以对平面线圈和/或筒形线圈在安装位置上的排布进一步优化(例如使平面线圈和/或筒形线圈呈非中心对称性排布或呈中心对称性排布)，还可以进一步精确的对所述放电腔内等离子体密度分布进行再次优化调节，以达到放电腔内预期的等离子体密度分布，从而实现离子束蚀刻的均匀性调节。
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公开(公告)号：CN118039439A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211372007.7
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种射频中和器及启辉方法；射频中和器包括：匹配器、放电腔、射频线圈、第一射频电容和开关电路；射频线圈绕在放电腔外，射频线圈用于通过匹配器连接射频电源；匹配器包括串联的电感和电容；开关电路包括至少一个开关；开关电路中的所有开关的第一端均通过第一射频电容连接放电腔内的阴极，开关电路中的所有开关的第二端连接匹配器；射频中和器启辉时，至少一个开关闭合；射频中和器启辉完成，开关电路中的所有开关断开。本申请在不升高启辉功率和放电腔的腔体压力情况下，能够解决感应耦合的射频中和器启辉困难的问题，提高了射频中和器的效率。
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公开(公告)号：CN109462929B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811578691.8
申请日：2018-12-24
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值，使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压。这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。同时由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。
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公开(公告)号：CN116417324A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111675852.7
申请日：2021-12-31
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明提供一种法拉第平板及等离子体处理设备，包括内平板和在第一平面内包围内平板的外平板，内平板和外平板在第一平面内延伸，内平板用于连接射频电源，外平板用于连接第一电容的第一端，第一电容的第二端用于连接射频电源。在本申请中，内平板连接射频电源，外平板通过第一电容连接射频电源，利用第一电容的分压作用能够有效地抵消清洗时平板电压在径向分布不均匀的现象，实现了清洗电压一致性从而实现了清洗均一性的提升，提升清洗的均一性可以大大缩短清洗时间从而提高设备产能，同时还能减小介质窗表面的涂层损耗，增长介质窗使用寿命。
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公开(公告)号：CN118366911A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310076927.2
申请日：2023-01-19
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32 , H01J37/20
摘要： 本发明提供了一种静电吸盘及半导体芯片加工设备，静电吸盘包括有产热层和静电吸附层，且静电吸盘包括的隔热层、加热层、绝缘层、电极层、耐压层和封装涂层等直接沉积在基座上，无需通过粘结胶将静电吸盘与基座之间粘结，消除了现有静电吸盘中由于粘结胶的存在而引起的等离子体电弧或颗粒污染的隐患，提高了静电吸盘的稳定性，延长了静电吸盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118280804A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211739258.4
申请日：2022-12-31
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种聚焦环置换装置，包括驱动装置(30)、顶针升降机构(10)和聚焦环升降机构(20)；顶针升降机构(10)包括第一顶针(11)和第一连动件(12)，第一顶针设置在第一连动件的顶部，且可通过边缘环上的贯通孔伸出；聚焦环升降机构(20)包括第二顶针(21)和第二连动件(22)，第二顶针设置在第二连动件的顶部，且可通过基座的贯通孔伸出；所述驱动装置(30)固定设置在下电极(70)的下方，且其输出端分别与第一连动件和第二连动件相连接，以分别带动顶针升降机构的第一顶针(11)和聚焦环升降机构(20)的第二顶针(21)升降。应用本方案，可实现结构的简化配置，同时合理降低设备成本。
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公开(公告)号：CN116246927A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211741921.4
申请日：2022-12-31
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种具有辅助窗的刻蚀腔室，包括腔室本体、安装组件，以及通过安装组件可拆卸地安装在腔室本体内的辅助窗；所述辅助窗通过安装组件固定在腔室上盖内侧，与静电夹盘之间具有空隙；所述辅助窗的横截面完全覆盖静电夹盘的横截面，并且辅助窗的中心点与静电夹盘的中心点位于同一竖直线上；在刻蚀工艺中，通过调整辅助窗的形状尺寸改变腔室内的等离子体分布特性，以满足不同的工艺需求。本发明的辅助窗的材质，厚度，直径，表面的曲度和倒角的弧度可以根据实际工艺的表现进行调整，来应对客户对不同工艺的变更，极大地提高了腔室的兼容性和迅速的调整可行性。
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公开(公告)号：CN118280802A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736327.6
申请日：2022-12-31
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请公开一种聚焦环以及等离子体刻蚀设备，所述聚焦环包括由上至下分布的多层聚焦环层，且多层所述聚焦环层的介电常数自上向下地递增或递减设置。本申请方案中通过将聚焦环设置为具有不同介电常数的多层结构，可以减小或抵消聚焦环厚度变化对刻蚀速率的影响，从而尽量减小刻蚀速率以及刻蚀均匀性的变化。由此可见，本申请中的聚焦环可以在延长等离子体刻蚀设备的MTBC的情况下，保证刻蚀速率以及刻蚀均匀性的稳定性。
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