公开(公告)号：CN118800720A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310380302.5

申请日：2023-04-11

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 王静茹 ,  李自超 ,  杨宇新 ,  崔虎山 ,  许开东

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C14/46 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205

摘要： 本申请提供一种半导体结构及制备方法，该方法包括：提供带沟槽的衬底；离子束沉积设备的溅射离子源产生的中性离子束，轰击第一靶材，以产生第一溅射粒子；离子束沉积设备的辅助离子源产生的中性离子束，改变第一溅射粒子的入射方向，以在沟槽的内壁形成黏附阻挡层；溅射离子源产生的中性离子束，轰击第二靶材，以产生第二溅射粒子；辅助离子源产生的中性离子束，改变第二溅射粒子的入射方向，以在沟槽的内壁形成种子层；辅助离子源与衬底表面法向夹角为锐角。通过离子束沉积可引导溅射粒子沿着一定角度入射，以使溅射粒子更好的进入沟槽底部，实现较好的台阶覆盖率和保形性。

公开(公告)号：CN116583169A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310859981.4

申请日：2023-07-13

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 李自超 ,  王静茹 ,  杨宇新 ,  崔虎山 ,  许开东

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

摘要： 本申请提供了一种平面阻变存储器及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底的一侧表面具有多个凸起结构；形成覆盖凸起结构表面的存储单元，存储单元包括：覆盖凸起结构第一电极层，覆盖第一电极层的阻变层，覆盖阻变层的第二电极层；不同凸起结构表面上的第一电极层断路；不同凸起结构表面上的阻变层断路；其中，阻变层能在高阻态和低阻态之间转换。基于该制作方法制作的平面阻变存储器的第一电极层、阻变层和第二电极层依次覆盖在凸起结构的表面，提高了阻变层的表面积，使得其有效使用范围更大。较大面积的阻变层使得存储单元在高阻态和低阻态之间转换时所需能量更小，最终降低了平面阻变存储器的发热，减少能耗。

公开(公告)号：CN116583169B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310859981.4

申请日：2023-07-13

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 李自超 ,  王静茹 ,  杨宇新 ,  崔虎山 ,  许开东

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

摘要： 本申请提供了一种平面阻变存储器及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底的一侧表面具有多个凸起结构；形成覆盖凸起结构表面的存储单元，存储单元包括：覆盖凸起结构第一电极层，覆盖第一电极层的阻变层，覆盖阻变层的第二电极层；不同凸起结构表面上的第一电极层断路；不同凸起结构表面上的阻变层断路；其中，阻变层能在高阻态和低阻态之间转换。基于该制作方法制作的平面阻变存储器的第一电极层、阻变层和第二电极层依次覆盖在凸起结构的表面，提高了阻变层的表面积，使得其有效使用范围更大。较大面积的阻变层使得存储单元在高阻态和低阻态之间转换时所需能量更小，最终降低了平面阻变存储器的发热，减少能耗。