公开(公告)号：CN116774327A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202311038331.X

申请日：2023-08-17

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 刘建 ,  冯英雄 ,  郭春祥 ,  韩远征 ,  汪鑫 ,  任舟逸 ,  许开东

IPC分类号： G02B3/00 ,  G02B1/02 ,  H01S5/00 ,  H01S5/06

摘要： 本申请提供一种微透镜的制作方法、制作系统及微透镜，可以提供第一砷化镓层，第一砷化镓层上覆盖图案化的掩膜层，掩膜层覆盖部分第一砷化镓层，可以利用工艺气体对第一砷化镓层和掩膜层进行电感耦合等离子体刻蚀，第一砷化镓层和掩膜层的厚度均减小，直至将掩膜层完全去除，可以得到图案化的第二砷化镓层，其中工艺气体由以脉冲模式输出的射频源电离为等离子体，这样能够获得高速率、缺陷少且平滑的砷化镓微透镜，并且，采用干法刻蚀的方法，可以缩短工艺周期，比湿法刻蚀具有更高的再现性，并且具有许多更容易控制的参数，有利于工业化生产，此外，加工精度较高，具有良好的各项异性，还能减少不必要的材料损耗。

公开(公告)号：CN118280830A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211739527.7

申请日：2022-12-30

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 韩远征 ,  任华 ,  董烁 ,  郭春祥 ,  彭泰彦 ,  许开东

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

摘要： 本申请提供一种刻蚀方法及刻蚀系统，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构上覆盖图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，利用第一刻蚀气体对待刻蚀结构进行离子束刻蚀，形成第一沟槽，第一沟槽为V型结构或倒梯形结构，第一沟槽临近侧壁的底部不存在微沟槽，接着，以掩膜层为掩蔽，利用第二刻蚀气体对第一沟槽进行等离子体刻蚀，形成第二沟槽，第二沟槽为U型结构。这样，由于第一沟槽在临近侧壁的底部较其他位置更厚，继续刻蚀第一沟槽形成第二沟槽时，第二沟槽临近侧壁的底部不会由于过度刻蚀形成微沟槽，第二沟槽为U型结构，能够避免微沟槽的形成，提高器件性能。