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公开(公告)号：CN116774327A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311038331.X
申请日：2023-08-17
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种微透镜的制作方法、制作系统及微透镜，可以提供第一砷化镓层，第一砷化镓层上覆盖图案化的掩膜层，掩膜层覆盖部分第一砷化镓层，可以利用工艺气体对第一砷化镓层和掩膜层进行电感耦合等离子体刻蚀，第一砷化镓层和掩膜层的厚度均减小，直至将掩膜层完全去除，可以得到图案化的第二砷化镓层，其中工艺气体由以脉冲模式输出的射频源电离为等离子体，这样能够获得高速率、缺陷少且平滑的砷化镓微透镜，并且，采用干法刻蚀的方法，可以缩短工艺周期，比湿法刻蚀具有更高的再现性，并且具有许多更容易控制的参数，有利于工业化生产，此外，加工精度较高，具有良好的各项异性，还能减少不必要的材料损耗。
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公开(公告)号：CN118263091A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211675344.3
申请日：2022-12-26
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及半导体芯片生产领域，具体是一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供了一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供的方法使用氧化性气体如N2O或O2的等离子体对晶圆外延片表面进行处理，形成均匀的氧化层；使用氯基气体如BCl3的等离子体对氧化层表面进行处理，均匀地移除氧化表层；采用氯基气体与氟基气体的混合气体或氯基气体等离子体对材料表面进行刻蚀，能够有效地优化晶圆外延片表层外延生长过程产生的晶格缺陷或氧化斑造成的刻蚀缺陷和损伤，从而得到高均匀性与一致性的晶圆外延片；相对于现有技术，本发明的晶圆外延片表面晶格缺陷层去除效果更优。
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公开(公告)号：CN118239692A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211661184.7
申请日：2022-12-23
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： C03C15/00
摘要： 本发明提供了一种微孔刻蚀的刻蚀方法，在该刻蚀方法中，基于有多个第一微孔的掩膜层，利用第一刻蚀气体对待刻蚀膜层进行干法刻蚀，从而在待刻蚀膜层上形成了多个第二微孔，由于本发明中刻蚀得到的第二微孔采用了干法刻蚀与第一刻蚀气体，使得该第二微孔沿孔中心竖直方向的剖面边缘角度陡直(＞88°)；并且由第一微孔刻蚀形成第二微孔时，第二微孔的孔径相较于目标孔径的误差范围＜±5％；此外，采用干法刻蚀形成的第二微孔底部平坦无凸起或倾斜，满足了光学应用的高精度要求。
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公开(公告)号：CN113555283B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010333514.4
申请日：2020-04-24
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层，该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。
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