基于计算机视觉的高温下单晶体氧化物生长形态检测方法

    公开(公告)号:CN118412063A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410598659.5

    申请日:2024-05-15

    摘要: 本发明公开了基于计算机视觉的高温下单晶体氧化物生长形态检测方法,包括;建立EfficientNET卷积神经网络;在EfficientNET卷积神经网络的卷积层中的选取分辨率、深度和宽度三个维度中的一个维度进行调整;得到优化后的EfficientNET卷积神经网络;利用主成分分析法对EfficientNET卷积神经网络的卷积核个数进行压缩以实现高温下单晶体氧化物的图像维度的压缩;然后由优化后的EfficientNET卷积神经网络输出高温下单晶体氧化物的熔界、熔帽、生长条纹、固态晶体、液态晶体、晶体溢流的特征参数目标分类结果。能够检测高温单晶体氧化物生长边沿、熔界边线、熔帽边缘、熔帽切线角度等参数,根据晶体生长形态,实时控制给定参数,有效的防止了液态晶体溢流,提高高温单晶体氧化物生长成功率及晶体品质。

    基于计算机视觉反馈的金红石单晶体生长智能控制方法

    公开(公告)号:CN111754516B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202010447557.5

    申请日:2020-05-25

    摘要: 本发明属于新材料领域,具体地来讲为一种基于计算机视觉反馈的金红石单晶体生长智能控制方法,包括:利用高清视频采集系统完成图像信息的采集,并通过高清视频采集系统对图像预处理;由计算机使用OPENCV对图像特征进行分析,实现图像分割和特征点定位;对处理后的图像使用卷积神经网络对晶体生长状态特征进行晶体生长当前实时形态的分析;根据分析结果与机器学习得到的晶体生长的健康形态的边缘坐标曲线进行比较后判断晶体形态是否正常;若是,则继续使用原给定函数曲线进行生长控制,若否,则通过自助调节,对燃烧台位置,给料参数进行调节,并实施反馈图像。能够精确控制晶体生长的各个参数,保障生长室内的温度分布、组成分布和力学分布。

    一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法

    公开(公告)号:CN114749368B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210388977.X

    申请日:2022-04-13

    摘要: 本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法,涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备,包括筛选筒、筛选机构和圆形底板,筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套和内环套底面的环底板;筛选机构设置在环底板的上方,且筛选机构沿同一时针方向至少设置有两个;筛选机构包括取料台及设置在取料台上方的筛选板,且取料台和筛选板的水平截面均设置为分别与外环套和内环套间隙配合的扇形。本发明在使用时对粉体的筛选效率高、筛选质量好、且可以根据筛选的需要对筛选的细度进行调整,同时本装置可以实现卡合在网孔中的粉体的自动清理,实用性好。

    一种七氧化四钛微粉制备方法及装置

    公开(公告)号:CN115557532A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210821856.X

    申请日:2022-07-12

    IPC分类号: C01G23/04

    摘要: 本发明涉及一种七氧化四钛微粉制备方法及装置。该装置包括从上至下依次设置的振动给料系统、燃烧器、微粉熔化结晶的还原炉和微粉收集器,所述振动给料系统包括原料仓,所述原料仓顶部设有振动给料系统的振动机构,在振动机构下方设有固定于原料仓底部的筛网,所述原料仓整体处于原料料斗内部,料斗底部与燃烧器内的氧气和原料粉体运输通道顶部连通,所述燃烧器底部的喷嘴包括中心孔和设置在中心孔外围的外部孔,所述喷嘴下面为还原炉的炉体,在炉体内部设有还原室,所述还原炉下方设有粉体收集器在还原室内,原料粉体的解热升温、熔化、结晶过程中不与容器接触,避免其它杂质的污染,制备得到的微粉品质高,也可以采用这种制备方法制备其它高温氧化物微粉。

    一种柔性衬底低温制备氧化镓薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114892148A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210222914.7

    申请日:2022-03-09

    IPC分类号: C23C16/50 C23C16/40 C23C16/52

    摘要: 一种柔性衬底低温制备氧化镓薄膜的方法,属于薄膜材料制造技术领域。步骤为:将柔性衬底基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水,采用超声波清洗方式,分别清选10分钟后,用氮气吹干送入反应室;采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至7.0×10‑4Pa,将所述柔性衬底基片加热至室温~300℃,向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气,控制气体总压强为0.6~3.0Pa;电子回旋共振频率为650W,制备时间60min~240min,得到在柔性衬底基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料,具有优异的柔软性,重量轻,携带方便,制备工艺简单。

    一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置

    公开(公告)号:CN114059147A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111398714.9

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/32

    摘要: 本发明公开了一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,该焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,包括防护箱,还包括:反应箱,所述反应箱设置在防护箱内部,所述反应箱内腔固定设置有隔板,所述隔板下方设置有出料筒,所述出料筒外部设置有用于喷洒物料的出料口,所述反应箱顶部设置有用于储存气体的储气罐;粉碎筒,所述粉碎筒内部设置有转动杆,所述转动杆外部设置有用于研磨物料的粉碎叶片,所述粉碎筒通过底端设置的出料管与反应箱相连通;出料机构,能够将气体从出料口喷洒;焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置通过粉碎叶片对粉末进行搅拌粉碎,保粉末和氢气同时被吸入反应箱内部并从出料口喷洒出,保证了粉末出料的均匀稳定。

    一种四氯化钛水溶液配制装置

    公开(公告)号:CN113731329A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111009597.2

    申请日:2021-08-31

    摘要: 一种四氯化钛水溶液配制装置,属于化工技术领域。包括配制用环境箱及置于环境箱内的储料罐、反应釜、环境箱外的低温冷浴和去离子水除氧水箱,所述环境箱内一侧设有制冷系统,储料罐的出料口通过进料管路连接反应釜进料口,所述进料管路上设置进料泵,用于准确向反应釜内输送四氯化钛原料,在反应釜内设有搅拌器,在反应釜上部分别开有去离子水加入口和惰性气体入口,下部连接排出管,其上设置球阀,惰性气体管路分别连接环境箱和反应釜的惰性气体入口,反应结束后,通过惰性气体将反应釜内产生的产品压出反应釜及环境箱外。在使用中能够保证高纯四氯化钛在‑10℃±0.2℃的恒温环境下配制满足浓度要求的四氯化钛水溶液。

    基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器

    公开(公告)号:CN111118602A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010085067.5

    申请日:2020-02-10

    IPC分类号: C30B29/16 C30B11/10

    摘要: 一种基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器,属于燃烧器技术领域。包括依次套置的三个管件及套置在最外侧管件端部的连接件,所述最内侧管件的喷头端部连接内氧喷嘴,最内侧管件另一端连通氧气;在最内侧管件的内氧喷嘴端和中间管件间形成氢气通道,在中间管件和最外侧管件间形成外氧通道,该外氧通道连通氧气;所述连接件套置在内氧喷嘴上,并置于晶体生长室顶部,连接件上与各通道连接端分别对应开有多个通孔,由内氧喷嘴至外分别形成氢气喷嘴及外氧喷嘴,各个喷嘴喷出的气体喷入晶体生长室,保证晶体熔体及其生长界面处于富氧气氛当中,并能够有效促使氢气和内氧充分燃烧并加热内氧。

    一种粉煤灰和秸秆联合制备工业废水吸附剂的方法

    公开(公告)号:CN109967032A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811622392.X

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: B01J20/20 B01J20/30 C02F1/28

    摘要: 本发明涉及一种由粉煤灰和秸秆联合制备废水吸附剂的方法,秸秆炭化后所得活性炭具有较为发达的孔隙结构和较高的比表面积,粉煤灰活化后可做吸附废水吸附剂,二者共同活化后用于处理工业废水中COD。本发明属于工业和农业废弃物利用领域。本发明用农业废弃物秸秆和电厂废弃物粉煤灰联合制备吸附剂处理工业废水中COD,将秸秆粉碎后炭化,与粉煤灰掺杂后用KCl和ZnCl2联合活化制取废水吸附剂,粉煤灰可以弥补秸秆密度轻的缺点,秸秆制取的活性炭具有比表面积大的特点,二者混配后用于生活和工业废水中脱除COD;本发明具有很好的经济前景,并且达到变废为宝、化害为利的目的。

    一种胶体溶液制备及镀膜装置及镀膜方法

    公开(公告)号:CN106987828B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201710134066.3

    申请日:2017-03-08

    IPC分类号: C23C18/12

    摘要: 本发明涉及一种胶体溶液制备及镀膜装置及镀膜方法,属于薄膜制备领域,包括:多组组分溶液存储容器;每组组分溶液存储容器连接的一级组分溶液滴定速度控制器;与每组组分溶液滴定速度控制器的出口连接的胶体溶液反应器;与所述胶体溶液反应器出口连接的中间级组分溶液滴定速度控制器;与中间级组分溶液滴定速度控制器连接的胶体溶液存储器;与所述胶体溶液存储器的出口连接的末级组分溶液滴定速度控制器;与所述末级组分溶液滴定速度控制器出口连接的导管;以及,导管将胶体导入到的浸渍镀膜装置进行镀膜。通过精确的控制胶体溶液配制和镀膜过程,保证化学组成、厚度、光学性质均匀一致性,满足纳米功能薄膜的制备要求。