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公开(公告)号：CN111511959B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201880083166.0
申请日：2018-12-17
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
摘要： 本技术的几个示例涉及在制造材料或薄膜期间主动控制腔室中的衬底的温度。在一些示例中，该方法可以包括冷却或加热衬底以使其温度在目标范围内，在衬底的表面上沉积材料，以及在沉积材料的同时控制衬底的温度。在一些示例中，控制衬底的温度可以包括通过在衬底上引导流体而从衬底去除热能以在整个沉积过程中将衬底的温度保持在目标范围内。
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公开(公告)号：CN111108588B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880060092.9
申请日：2018-09-10
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
摘要： 本技术的几个实施方式针对具有增强的抗等离子体特性的粘结片材，并用于粘结至半导体器件。在一些实施方式中，根据本技术的粘结片材包括基底粘结材料，其具有嵌入其中的一个或多个热传导元件，以及一个或多个蚀刻了的开口，其形成在相邻半导体部件的特定区域或对应特征周围。粘结材料可以包括PDMS，FFKM，或硅基聚合物，并且抗刻蚀部件可以包括PEEK，或涂覆PEEK的部件。
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公开(公告)号：CN111511959A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083166.0
申请日：2018-12-17
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
摘要： 本技术的几个示例涉及在制造材料或薄膜期间主动控制腔室中的衬底的温度。在一些示例中，该方法可以包括冷却或加热衬底以使其温度在目标范围内，在衬底的表面上沉积材料，以及在沉积材料的同时控制衬底的温度。在一些示例中，控制衬底的温度可以包括通过在衬底上引导流体而从衬底去除热能以在整个沉积过程中将衬底的温度保持在目标范围内。
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公开(公告)号：CN111108588A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060092.9
申请日：2018-09-10
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
摘要： 本技术的几个实施方式针对具有增强的抗等离子体特性的粘结片材，并用于粘结至半导体器件。在一些实施方式中，根据本技术的粘结片材包括基底粘结材料，其具有嵌入其中的一个或多个热传导元件，以及一个或多个蚀刻了的开口，其形成在相邻半导体部件的特定区域或对应特征周围。粘结材料可以包括PDMS，FFKM，或硅基聚合物，并且抗刻蚀部件可以包括PEEK，或涂覆PEEK的部件。
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公开(公告)号：CN113647009B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080020969.9
申请日：2020-03-11
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
IPC分类号： H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/64 , H01L21/683
摘要： 提供了一种沉积材料以制造静电吸盘的方法。该方法首先使用旋涂和/或直接喷涂方法在柄上沉积第一介电材料的至少一层。接着在第一介电材料的至少一层上沉积功能电层。最后，静电吸盘通过使用旋涂和/或直接喷涂方法在功能电层和第一介电材料上沉积第二介电材料的至少一层而形成。
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公开(公告)号：CN113647009A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080020969.9
申请日：2020-03-11
申请人： 泰科耐斯集团有限公司
IPC分类号： H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/64 , H01L21/683
摘要： 提供了一种沉积材料以制造静电吸盘的方法。该方法首先使用旋涂和/或直接喷涂方法在柄上沉积第一介电材料的至少一层。接着在第一介电材料的至少一层上沉积功能电层。最后，静电吸盘通过使用旋涂和/或直接喷涂方法在功能电层和第一介电材料上沉积第二介电材料的至少一层而形成。
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