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公开(公告)号：CN117470620A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311380622.7
申请日：2023-10-24
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： G01N1/30 , G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本发明涉及肖特基二极管的P型保护环用染色液及使用方法，属于半导体器件测试领域。本发明所述染色液由H2O2和BOE溶液组成，所述H2O2和BOE溶液的体积比为H2O2：BOE＝2：1～6。使用时把肖特基二极管样品剖面浸泡入所述染色液中30～60秒后取出，取出后使用扫描电子显微镜进行剖面观察该肖特基二极管样品。本发明是为了解决化学染色法所用染色液会形成高毒性和腐蚀性的氮氧化合物气体，且废液处理困难的问题，本发明提供一种肖特基二极管的P型保护环用染色液及使用方法，本发明提供的染色液，在使用过程中不会产生有害气体，且废液回收处理的流程简单，在此基础上，有较好的染色效果，能够明显区分P型保护环形貌。
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公开(公告)号：CN109004023A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810915793.8
申请日：2018-08-13
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；通过先在衬底上生长一层N型碳化硅材料的外延层一，然后在外延层一上再生长一层P型碳化硅材料的外延层二，然后将外延层二的未被光刻胶环所覆盖的部分全部给刻蚀除去，仅留下被光刻胶环覆盖的部分，然后去除光刻胶环，完成后制得P型保护环；从而实现了在不使用成本高的高能离子注入和高温激活退火的情况下制得了P型保护环，具有操作简单，生产效率高，可靠性好，成本低。
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公开(公告)号：CN103616630A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310636350.2
申请日：2013-12-03
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明的肖特基二极管反向脉冲能量测试仪，包括电源、方波脉冲发生器和电子开关电路，方波脉冲发生器连接有自动停振控制电路；特征在于：方波脉冲发生器的输出端连接有电子计数器和电子开关电路，电子开关电路的状态受输出脉冲的控制，电子开关电路通过电感L连接有恒流源，待测肖特基二极管的负极接于电感L与电子开关电路之间，恒流源通过电感L给二极管提供反向击穿电压和电流。本发明的肖特基二极管反向脉冲能量测试仪，实现了对肖特基二极管的反向击穿测试，并可通过控制脉冲信号的占空比控制二极管的反向击穿时间。在测试完毕后可发出警告信号，还可控制反向击穿的次数，达到了对不同型号的肖特基二极管采取不同测试方法的目的。
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公开(公告)号：CN108682695B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810890739.2
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。
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公开(公告)号：CN108682695A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810890739.2
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/6606
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。
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公开(公告)号：CN208706656U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821301411.4
申请日：2018-08-13
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；通过先在衬底上生长一层N型碳化硅材料的外延层一，然后在外延层一上再生长一层P型碳化硅材料的外延层二，然后将外延层二的未被光刻胶环所覆盖的部分全部给刻蚀除去，仅留下被光刻胶环覆盖的部分，然后去除光刻胶环，完成后制得P型保护环；从而实现了在不使用成本高的高能离子注入和高温激活退火的情况下制得了P型保护环，具有操作简单，生产效率高，可靠性好，成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208478345U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821269958.0
申请日：2018-08-07
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请提供了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请通过采用PN结和肖特基结并联设计、双层外延生长、离子注入氮离子掺杂、使用肖特基金属Pt在大电流下产生大注入效应，降低了外延层电阻率，实现了大电流下低正向压降肖特基二极管的制作，从而克服了现有技术中选择低势垒金属和增大版图面积在降低器件正向压降的同时增大器件反向漏电流，降低器件成品率，增加制造成本的不足。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203786258U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201320783309.3
申请日：2013-12-03
申请人： 济南晶恒电子有限责任公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本实用新型的肖特基二极管反向脉冲能量测试仪，包括电源、方波脉冲发生器和电子开关电路，方波脉冲发生器连接有自动停振控制电路；特征在于：方波脉冲发生器的输出端连接有电子计数器和电子开关电路，电子开关电路的状态受输出脉冲的控制，电子开关电路通过电感L连接有恒流源，待测肖特基二极管的负极接于电感L与电子开关电路之间，恒流源通过电感L给二极管提供反向击穿电压和电流。本实用新型的肖特基二极管反向脉冲能量测试仪，实现了对肖特基二极管的反向击穿测试，并可通过控制脉冲信号的占空比控制二极管的反向击穿时间。在测试完毕后可发出警告信号，还可控制反向击穿的次数，达到了对不同型号的肖特基二极管采取不同测试方法的目的。
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