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公开(公告)号：CN117644486A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311688265.0
申请日：2023-12-08
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种金刚石衬底的高精度修复方法，包括以下步骤：(1)对粗磨过的金刚石衬底表面进行酸煮，然后用去离子水清洗表面；(2)在金刚石衬底表面沉积对金刚石和碳基材料转化具有催化作用的材料；(3)利用高能电子束流为热源，对步骤(2)沉积催化材料后的金刚石衬底表面进行轰击，使部分催化材料进入金刚石表面应力损伤层；(4)对步骤(3)轰击后的金刚石衬底表面进行软抛光，实现金刚石衬底的最佳表面粗糙度。本发明创造性地利用对金刚石和碳基材料转化有催化作用的材料，实现了对金刚石衬底表面应力损伤层的有效去除，降低了衬底表面粗糙度，金刚石衬底达到了表面粗糙度0.1纳米级。
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公开(公告)号：CN114318531A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210012562.2
申请日：2022-01-06
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，将在MPCVD生长腔室内制备完成的带有多晶衬底的金刚石多晶放入激光切割机中进行边缘环切，将环切完成的带有多晶衬底的金刚石多晶再次放入MPCVD生长腔室内，开机运行多晶生长工艺至平稳生长阶段，此时保持腔室最大生长压力，保持此阶段5～10分钟，随后转入快速降温停机过程，此过程的停机时间比正常停机时间缩短50%～60%；由于金刚石多晶的热膨胀系数与多晶衬底的热膨胀系数存在差异，在快速的降温停机过程中，两者收缩程度不同，使生长完成的金刚石多晶与多晶衬底完整的分离。本发明可有效提升剥离多晶的完整程度，提高获得多晶的质量，完整高效的制备高精度大尺寸金刚石多晶。
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公开(公告)号：CN114032610A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111373766.0
申请日：2021-11-18
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种制备单晶金刚石的马赛克拼接装置及方法，该装置包括基片、外环、压缩弹簧和固定块；外环连接在基片上，外环中设置有贯穿的测温孔，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，压缩弹簧处于固定块与外环内壁之间。上述装置制备单晶金刚石的方法是将整个装置置于生长腔室内，通过压缩弹簧将各单晶衬底片挤压在各个固定块之间，处于外环的中心位置。本发明通过压缩弹簧同时均匀的向内挤压单晶衬底片，使衬底片之间接触更加紧密，使衬底片更好的接触基片，排除了异物干扰，保证了衬底片的高度统一，同时也避免了对单晶衬底片的污染，消除了拼接缝出现边缘多晶的现象，明显改善了晶体质量。
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公开(公告)号：CN114032610B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202111373766.0
申请日：2021-11-18
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种制备单晶金刚石的马赛克拼接装置及方法，该装置包括基片、外环、压缩弹簧和固定块；外环连接在基片上，外环中设置有贯穿的测温孔，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，压缩弹簧处于固定块与外环内壁之间。上述装置制备单晶金刚石的方法是将整个装置置于生长腔室内，通过压缩弹簧将各单晶衬底片挤压在各个固定块之间，处于外环的中心位置。本发明通过压缩弹簧同时均匀的向内挤压单晶衬底片，使衬底片之间接触更加紧密，使衬底片更好的接触基片，排除了异物干扰，保证了衬底片的高度统一，同时也避免了对单晶衬底片的污染，消除了拼接缝出现边缘多晶的现象，明显改善了晶体质量。
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公开(公告)号：CN116065234A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310073024.9
申请日：2023-02-07
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种CVD多晶金刚石生长的籽晶排布装置及方法。包括强电场涂覆装置，强电场涂覆装置包括上极板和下极板，上极板设置在下极板的正上方；在所述上极板的下表面固定带胶的CVD多晶金刚石外延衬底，在所述下极板的上表面设置非金属板；在下极板上连接静电高压发生器，上极板接地。将金刚石微粉和CVD多晶金刚石外延衬底放入强电场涂覆装置中，根据粒度匹配静电场强度，静电高压发生器电压5万‑12万伏特；氢化后的金刚石微粉在强静电场下形成偶极矩，在洛伦兹力作用下从下部被吸附到CVD多晶金刚石生长衬底上，在运动过程中实现锥形底面嵌入胶水中，尖端向外，实现籽晶排布均匀性和一致性；结构简单，设计合理。
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公开(公告)号：CN113909684A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111372745.7
申请日：2021-11-18
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种激光切割机进行晶体切割的操作台，包括底座、垂摆架、垂摆机构、工作台和平转机构，底座上连接有垂摆轴，垂摆架安装在垂摆轴上并与垂摆机构连接，垂摆机构设置在底座上，垂摆架上连接有平转立轴，工作台安装在平转立轴上并与平转机构连接，平转机构设置在垂摆架上。由垂摆机构带动垂摆架在垂直方向的摆动，平转机构带动工作台在水平方向转动，将两种方式结合使工作台处于晶体切割所需要的所有角度，在对同一晶体或者不同晶体进行不同方向或者晶相的切割时，可以更加快速便捷的将晶体旋转到所需要的位置，可以进行不同晶相或（和）角度进行切割，在加工处理各种晶体材料时满足了某晶体晶相或者需求某种晶相夹角的需求。
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公开(公告)号：CN221676848U
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202323635904.5
申请日：2023-12-29
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 本实用新型属于金刚石加工技术领域，尤其为一种应用于金刚石单晶和多晶的新型磨抛装置，包括承载桌体，所述承载桌体表面设置有磨抛组件，所述磨抛组件包括用于磨抛的金属围挡、容纳孔、抛光盘一、研磨盘一、迁移圆盘一、电动推杆一、气缸一、承载圆盘一、研磨液箱、冷却水箱、循环水管一和冷却软管一；本实用新型在进行磨削和抛光的过程中，无需将金刚石样品二次拆装，可直接由磨削转移至抛光生产过程，减小了生产误差，有利于提高装置生产的良品率，同时本装置结构相对简单，对设备操作人员的要求相对较低，可以有效的满足工业化生产使用，为工业生产和实验室晶体加工研究提供了优质可靠的解决方案。
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公开(公告)号：CN216237372U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122840832.2
申请日：2021-11-18
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种马赛克拼接沉积制备金刚石单晶的装置，包括基片、外环、压缩弹簧和固定块；外环连接在基片上，外环中设置有贯穿的测温孔，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，基片上在外环内分布有固定块和压缩弹簧，压缩弹簧处于固定块与外环内壁之间。通过压缩弹簧将各单晶衬底片挤压在各个固定块之间，处于外环的中心位置。本实用新型通过压缩弹簧同时均匀的向内挤压单晶衬底片，使衬底片之间接触更加紧密，使衬底片更好的接触基片，排除了异物干扰，保证了衬底片的高度统一，同时也避免了对单晶衬底片的污染，消除了拼接缝出现边缘多晶的现象，明显改善了晶体质量。
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公开(公告)号：CN216227518U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122840831.8
申请日：2021-11-18
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种晶体切割操作装置，包括底座、垂摆架、垂摆机构、工作台和平转机构，底座上连接有垂摆轴，垂摆架安装在垂摆轴上并与垂摆机构连接，垂摆机构设置在底座上，垂摆架上连接有平转立轴，工作台安装在平转立轴上并与平转机构连接，平转机构设置在垂摆架上。由垂摆机构带动垂摆架在垂直方向的摆动，平转机构带动工作台在水平方向转动，将两种方式结合使工作台处于晶体切割所需要的所有角度，在对同一晶体或者不同晶体进行不同方向或者晶相的切割时，可以更加快速便捷的将晶体旋转到所需要的位置，可以进行不同晶相或（和）角度进行切割，在加工处理各种晶体材料时满足了某晶体晶相或者需求某种晶相夹角的需求。
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