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公开(公告)号：CN114783852B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210341801.9
申请日：2022-04-02
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04 , H01J37/141
摘要： 本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
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公开(公告)号：CN116631833A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310817055.0
申请日：2023-07-05
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/04 , H01J37/09
摘要： 本发明公开了一种可自定义选区的离子注入机及方法，包括离子束发生组件、离子束引导组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件和离子束选区组件；离子束发生组件用于产生带状离子束；离子束引导组件用于改变离子束的方向；离子束汇聚组件用于将离子束分成多个单独的小区域；汇聚后的离子束在经过离子束发散组件后，形成平行带状离子束；离子束选区组件的输入端朝向离子束发散组件设置，离子束选区组件的输出端朝向基板设置，平行带状离子束经过离子束选区组件形成图案化离子束。本发明设有离子束选区组件，其包括掩膜板，掩膜板包括板体以及设置在板体上的凸块，带状离子束在经过掩膜板后形成图案化离子束，实现对晶圆的图案化选取注入。
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公开(公告)号：CN114906617A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210485796.9
申请日：2022-05-06
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： B65G49/06 , H01J37/317 , H01J37/02
摘要： 本发明公开了一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其技术方案要点是：一种多片大尺寸玻璃基板离子注入直线传送装置，其特征在于：包括若干依次呈嵌套设置的主动传送轴管、若干依次呈嵌套设置的从动传送轴管、若干分别固定于主动传送轴管的两端位置的主动轮、若干分别固定于从动传送轴管的从动轮、设置于对应主动轮与从动轮之间并用于装载大尺寸玻璃基板的传送链、驱动若干传送链同步移动的驱动机构，若干传送链呈平行设置。本发明达到可以在真空取样室内可连续对多个大尺寸玻璃基板注入离子，避免真空取样室反复抽真空，提升离子注入效率，降低能源损耗。
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公开(公告)号：CN118471775A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410574540.4
申请日：2024-05-10
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/265 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于防止离子轰击靶盘表面的保护装置，包括靶盘，靶盘具有靶盘底板和靶盘顶板，靶盘的内部腔体用于放置晶圆，晶圆通过设置在晶圆固定装置放置在靶盘底板上，在靶盘顶板上设有离子注入口，离子注入机的离子源发射的离子束流经由离子注入口轰击晶圆；在靶盘内部腔体上设置有若干组对射式光耦传感器，当晶圆碎片掉落时，其掉落轨迹会经过对射式光耦传感器的感应区域，对射式光耦传感器感应到晶圆碎片掉落后，会发送信号给离子注入机，离子注入机停止离子束流的注入。本发明通过在靶盘内部设置对射式光耦传感器，当其感应到离子束流在扫描晶圆表面的过程中可产生掉落的碎块时，会发送信号给动力装置和离子注入机，以避免因离子束流击穿晶圆固定装置与晶圆接触的导热层。
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公开(公告)号：CN114944327A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210581394.9
申请日：2022-05-26
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了柔性GaSb薄膜制备方法，其技术方案要点是：柔性GaSb薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤1：GaSb晶圆端面注入Al离子；步骤2：GaSb晶圆端部注入O离子，O离子与Al离子深度一致；步骤3：GaSb晶圆侧壁注入Al离子；步骤4：GaSb晶圆注入Al离子一侧侧壁位置注入O离子，O离子与步骤3所注入的Al离子位置一致；步骤5：将GaSb晶圆通过退火炉高温退火；步骤6：将柔性基底粘附在GaSb晶圆的离子注入面；步骤7：将GaSb晶圆表层撕下，由在GaSb晶圆侧壁注入Al离子及O离子位置作为起始点撕裂，形成GaSb薄膜。本发明实现在GaSb晶圆内部及侧壁位置形成一层氧化脆性层，并以侧壁位置的氧化脆性层为撕扯开裂的发起点，将GaSb薄膜从GaSb晶圆撕下，完成制备GaSb薄膜。
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公开(公告)号：CN114927404A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210528304.X
申请日：2022-05-16
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种高可靠、大束流离子发生装置，其技术方案要点是：一种高可靠、大束流离子发生装置，包括腔壁、灯丝、阴极板、支架、反射板，所述灯丝、阴极板、反射板均设置于腔壁内，且所述灯丝、阴极板与反射板分设于腔壁两端位置，所述支架材质为绝缘材质，所述支架固定于所述腔壁，所述阴极板固定于所述支架，所述阴极板与腔壁之间留有空隙，所述支架设置有防止金属离子沉积后导致灯丝短路的防短路结构，所述防短路结构为若干开设于所述支架侧壁并供金属离子沉积的储纳槽。本发明通过储纳槽优先先溅射常设的金属离子，延迟支架表面形成导电金属薄膜，提高离子发生装置的工作时间。
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公开(公告)号：CN114709122A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210380033.8
申请日：2022-04-12
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10 , H01J37/09 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/304
摘要： 本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
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公开(公告)号：CN113097352B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110363036.6
申请日：2021-04-02
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法，氮化镓半导体结构包括基底、第二介质层、第一介质层及氮化镓单晶薄膜，第一介质层中具有第一凹槽，氮化镓单晶薄膜中具有第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽相连通。本发明通过剥离法获得氮化镓单晶薄膜，相对于传统异质外延法获得的氮化镓单晶薄膜，具有更高的晶体质量，以及显著降低的缺陷及位错密度；直接采用同质外延法形成分立的Micro LED外延结构，制备工艺简化，可避免芯片分离工艺中对外延结构造成的损伤，使器件性能更优异；可直接在基底中制备驱动电路，从而无需进行巨量转移，简化工艺，以及工艺难度和成本显著降低。
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公开(公告)号：CN118471777A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410574542.3
申请日：2024-05-10
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02 , H01J37/18 , H01L21/265 , H01L21/67 , F16F15/02
摘要： 本发明公开了一种离子注入机中离子源和靶室的机械能传递缓冲结构，包括离子源组件和靶室组件，在离子源组件和靶室组件之间设有真空连接组件；离子源组件用于向靶室组件发射离子束，靶室包括第二真空腔体、导向轨道和靶盘，在第二真空腔体内设置有导向轨道，靶盘活动设置在导向轨道上，且可沿导向轨道的高度方向上下移动；真空连接组件为真空波纹管，其用于吸收和阻断因靶盘沿导向轨道上下移动而产生的振动机械能。本发明通过在离子源组件和靶室组件设置有真空连接组件，真空连接组件具有真空波纹管结构，当靶室因转向而产生的振动机械能传导至真空连接组件时，真空波纹管结构会吸收振动机械能，防止其传导至离子源组件，以确保离子注入机的束流稳定性和电气安全性。
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公开(公告)号：CN114724910A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210650058.5
申请日：2022-06-10
申请人： 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/10
摘要： 本发明提出一种带状离子束注入系统，包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件及离子束调节组件，该带状离子束注入系统采用分离狭缝将带状离子束分离形成相互独立的离子束，并采用螺旋线圈对分离后的离子束进行分别汇聚，采用扩散透镜对汇聚后的离子束分别进行扩散，还采用法拉第杯对离子束的电流密度分布进行检测，采用控制器根据离子束的电流密度分布情况对离子束汇聚组件及离子束调节组件的运行状态进行调节，可以将宽带束的离子束分离成多个接近点状分布的区域，再在每个小区域内对离子束进行调制，最后将调制后的各部分离子束聚合形成高均匀性电流分布的宽带束离子束，有利于降低宽带束离子束的调制难度。
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