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公开(公告)号：CN115613134A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211215471.5
申请日：2022-09-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种生长炉群控方法，属于晶棒相关技术领域，作用于单晶炉，包括以下步骤：中央控制器接收信息，将单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起；中央控制器将晶棒检测结果和预设/不断迭代的标准值进行对比，对对比结果中的偏差项进行分析，得出偏差原因；中央控制器基于偏差原因，判断晶体质量是否可修正，若可以修正，调整对应单晶炉的生长工艺，以使得当前状态的单晶炉实际工作环境满足下一次生长需求；达到收集信息，判断影响晶棒质量的因素的技术效果。
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公开(公告)号：CN114395792A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111419227.6
申请日：2021-11-26
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及单晶炉，尤其一种硬轴单晶炉的拉晶装置，包括：轴主体，轴主体位于单晶炉本体的内部，且与单晶炉本体呈共轴设置，轴主体具有竖直方向移动的自由度和绕轴旋转的自由度；提升机构，提升机构连接于机架上，用于驱动轴主体在上升或下降；旋转机构，旋转机构连接于机架上，用于驱动轴主体绕轴旋转。利用轴主体代替现有技术中的软性钨合金缆绳进行拉晶，由于轴主体为硬性质地，在晶体旋转过程中不会发生晃动，从而提高拉晶品质，解决了现有技术中拉晶时晶棒晃动较大的技术问题；达到减小晶棒晃动的技术效果。
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公开(公告)号：CN113846376B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN113652741B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110873786.8
申请日：2021-07-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN110370153B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910499126.0
申请日：2019-06-10
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： B24B29/02 , B24B41/06 , B24B41/00 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明属于半导体电子元器件平面加工领域，特别涉及一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置。包括水汽连接板；水汽连接板上方设有若干气缸；气缸伸缩杆与气缸安装块相连；气缸安装块块内设有水汽接头和剥离喷头；水汽接头一端与水汽管路相连，另一端与剥离喷头相连；水汽安装板下方设有接液环，接液环设有竖向通孔，通孔内设有塞套，塞套底部与多通接头相连；分液块通过管路与多通接头相连；上定盘上设有若干竖向通孔；剥离塞套固设于通孔内，剥离塞套通过管路与分液块相连。本发明能解决晶片吸附在抛光盘上取片难的问题，能规避晶片由于吸附导致的剥离碎片和掉落碎片及划伤的情况，并且不会由于吸真空和破真空过程中，晶片表面留吸附痕迹。
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公开(公告)号：CN114395792B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111419227.6
申请日：2021-11-26
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及单晶炉，尤其一种硬轴单晶炉的拉晶装置，包括：轴主体，轴主体位于单晶炉本体的内部，且与单晶炉本体呈共轴设置，轴主体具有竖直方向移动的自由度和绕轴旋转的自由度；提升机构，提升机构连接于机架上，用于驱动轴主体在上升或下降；旋转机构，旋转机构连接于机架上，用于驱动轴主体绕轴旋转。利用轴主体代替现有技术中的软性钨合金缆绳进行拉晶，由于轴主体为硬性质地，在晶体旋转过程中不会发生晃动，从而提高拉晶品质，解决了现有技术中拉晶时晶棒晃动较大的技术问题；达到减小晶棒晃动的技术效果。
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公开(公告)号：CN114395793A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111419596.5
申请日：2021-11-26
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构，应用于单晶炉本体内，苏搜书晶体防撞结构包括：隔板，隔板位于主炉室和副炉室之间，隔板与主炉室的顶部连接，隔板具有水平转动的自由度。本申请中的隔板以水平旋转设置，通过水平旋转的形式使得主炉腔和副炉腔连通或隔绝，防止隔板在震动作用下与轴主体或晶棒发生碰撞。解决了现有技术中隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术问题；达到避免隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术效果。
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公开(公告)号：CN113846376A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN110370153A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910499126.0
申请日：2019-06-10
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： B24B29/02 , B24B41/06 , B24B41/00 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明属于半导体电子元器件平面加工领域，特别涉及一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置。包括水汽连接板；水汽连接板上方设有若干气缸；气缸伸缩杆与气缸安装块相连；气缸安装块块内设有水汽接头和剥离喷头；水汽接头一端与水汽管路相连，另一端与剥离喷头相连；水汽安装板下方设有接液环，接液环设有竖向通孔，通孔内设有塞套，塞套底部与多通接头相连；分液块通过管路与多通接头相连；上定盘上设有若干竖向通孔；剥离塞套固设于通孔内，剥离塞套通过管路与分液块相连。本发明能解决晶片吸附在抛光盘上取片难的问题，能规避晶片由于吸附导致的剥离碎片和掉落碎片及划伤的情况，并且不会由于吸真空和破真空过程中，晶片表面留吸附痕迹。
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公开(公告)号：CN114395793B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111419596.5
申请日：2021-11-26
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本申请涉及单晶炉技术领域，尤其涉及硬轴单晶炉的晶棒防撞结构，应用于单晶炉本体内，晶体防撞结构包括：隔板，隔板位于主炉室和副炉室之间，隔板与主炉室的顶部连接，隔板具有水平转动的自由度。本申请中的隔板以水平旋转设置，通过水平旋转的形式使得主炉腔和副炉腔连通或隔绝，防止隔板在震动作用下与轴主体或晶棒发生碰撞。解决了现有技术中隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术问题；达到避免隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术效果。
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