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公开(公告)号：CN109881186A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135841.6
申请日：2019-02-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种辐射加热装置，具体涉及一种用于CVD设备中对衬底进行高温加热的装置。包括反应室，反应室内设置有用于支撑待处理衬底的基座；反应室外部正上方设有第一灯组，正下方设有第二灯组；基座的下方设有若干热电偶，热电偶与温度控制系统相连，灯组内的加热灯通过可控硅组件与温度控制系统相连；第一灯组的上方设有第一反射器，第二灯组的下方设有第二反射器。本发明装置提高晶片上温度的均匀性。具有变化的相对绕组密度的多个区域，从而提供了比仅仅控制红外功率输出而言更高的分辨率。
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公开(公告)号：CN109244030A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810741832.7
申请日：2018-07-09
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座，包括基座主体，基座主体为圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件，支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，支撑脚伸入凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点，生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。
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公开(公告)号：CN110943029A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911389225.X
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明设计半导体外延设备领域，尤其涉及一种用于半导体外延系统的双环式基座。包括内环基座，内环基座主体为圆盘结构，圆盘结构下端面设有一个同轴的凸台；外环基座为圆环形结构，外环基座内缘设有台阶，内环基座上的凸台与外环基座内缘的台阶形状相匹配，使得内环基座嵌设于外环基座内；内环基座下端面通过内环支撑装置连接升降机构；外环基座下端面通过外环支撑装置连接旋转机构。本发明使衬底安放动作平稳，减少衬底安放过程中的晃动和碰撞，提高衬底安放的准确性；由外环基座带动内环基座所形成的同步匀速旋转的结构，使得衬底在加热光源的加热过程中匀速旋转，使衬底的外延生长更加均匀，同时可保证非加工面的光滑平整。
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公开(公告)号：CN110931410A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911213408.6
申请日：2019-12-02
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及外延生长设备的一种用于反应室的晶片传动装置和传动方法。装置包括均为内部中空的方形腔体结构的反应室与搬运室，二者之间通过闸阀连通，反应室内设有晶片支撑部件，搬运室内设有机械传送部件；晶片支撑部件包括内环基座和外环基座；内环基座主体为圆盘，圆盘下端面设有同心凸台，内环基座整体纵向横截面呈T型；外环基座呈圆环型，外环基座的内圈为台阶状，内圈台阶尺寸与内环基座外缘尺寸相适配，内环基座嵌设于外环基座内。本发明还提供了一种用于反应室的晶片装置进行的传动方法。本发明操作简单，传送稳定性更好，掉片率更低，满足不同尺寸的晶片的传送需求。
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公开(公告)号：CN109338464A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811328247.0
申请日：2018-11-09
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明属于晶体外延生长设备领域，具体涉及一种用于外延生长系统的气体注射装置。包括反应腔，反应腔包括前空腔和后腔，后腔内设有水平基座，基座上端面用于放置衬底，下端连接旋转轴，气体注射装置通过前法兰设于反应腔前端，主体为进气法兰，中部设有第二空腔，第二空腔后端与反应腔连通，第一空腔通过歧管构件连接第二空腔；气体注射装置前端连接封板，封板后端设有一水平凸起，凸起的上表面为圆弧曲面。排气装置通过后法兰设于反应腔后端。本发明提升了外延层的生长质量，不仅提升了外延层的厚度均匀性，还减少了晶体缺陷的产生，以满足市场对外延层质量日益严格的要求。
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公开(公告)号：CN211320080U
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202020047989.2
申请日：2020-01-10
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及硅外延生长设备的一种基座用轴传动装置。包括旋转机构、调整机构、升降机构、内轴和外轴；内轴和外轴为圆管状，内轴套在外轴内。磁流体内旋转轴外设有磁流体外环；磁流体内旋转轴上耦接旋转驱动器，带动磁流体的内旋转轴及外轴旋转；升降机构耦接内轴，升降机构包括上下驱动器和内轴固定板，上下驱动器固定端耦接固定在磁流体的内旋转轴上；上下驱动器的运动端与内轴固定板固定连接，内轴底部外套设有波纹管，波纹管件上端固定在外轴底端，下端固定在内轴固定板上。本实用新型通过该结构，可实现外轴及内轴同时旋转，及内轴的可升降功能。
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公开(公告)号：CN209412356U
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201821794671.X
申请日：2018-11-01
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C30B25/02
摘要： 本实用新型属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种外延沉积腔室。该腔室包括工艺腔、外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；外室由外腔体和外腔盖组成，工艺腔固设于外腔体内；加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方的外腔体内；上电阻加热板设于工艺腔上方的外腔盖内；工艺腔底部前侧设有凸台，基座支撑装置设于工艺腔底部中央；气体注入装置包括若干气体喷射器，安装在凸台内。本实用新型简单易于加工制造，且不需要定期拆卸清洗，降低了制造成本和维护成本。保证了反应区气体的均匀性，提高了外延生长均匀性。
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公开(公告)号：CN208995628U
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201821377495.X
申请日：2018-08-26
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C30B25/02
摘要： 本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长设备的晶圆匣与安装座。该晶圆匣，包括由左卡座、右卡座、后盖以及上盖板组成的正面及底面敞口的匣型结构；安装座为一体化结构，包括前侧的矩形板与后侧的梯形板；矩形板上端面设有安装座竖槽与安装座横槽。本实用新型产品材料性质稳定，不会对晶圆造成污染；晶圆匣的左右卡座上的卡齿上表面与水平面成一定夹角，当晶圆摆在卡齿上时，晶圆与卡齿上表面没有完全接触，避免了晶圆和卡齿发生黏粘；晶圆匣结构相对简单，便于加工和制造，降低成本；且各构件以螺钉进行紧固，安装非常方便；晶圆匣外面左右两侧可设置对射光电传感器，对晶圆匣的每一片晶圆进行检测，精确检测晶圆位置。
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公开(公告)号：CN211455666U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922423537.X
申请日：2019-12-30
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本实用新型设计半导体外延设备领域，尤其涉及一种用于半导体外延系统的双环式基座。包括内环基座，内环基座主体为圆盘结构，圆盘结构下端面设有一个同轴的凸台；外环基座为圆环形结构，外环基座内缘设有台阶，内环基座上的凸台与外环基座内缘的台阶形状相匹配，使得内环基座嵌设于外环基座内；内环基座下端面通过内环支撑装置连接升降机构；外环基座下端面通过外环支撑装置连接旋转机构。本实用新型使衬底安放动作平稳，减少衬底安放过程中的晃动和碰撞，提高衬底安放的准确性；由外环基座带动内环基座所形成的同步匀速旋转的结构，使得衬底在加热光源的加热过程中匀速旋转，使衬底的外延生长更加均匀，同时可保证非加工面的光滑平整。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211455662U
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201922123814.5
申请日：2019-12-02
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种用于反应室的晶片传动装置。包括均为内部中空的方形腔体结构的反应室与搬运室，二者之间通过闸阀连通，反应室内设有晶片支撑部件，搬运室内设有机械传送部件；晶片支撑部件包括内环基座和外环基座；内环基座主体为圆盘，圆盘下端面设有同心凸台，内环基座整体纵向横截面呈T型；外环基座呈圆环型，外环基座的内圈为台阶状，内圈台阶尺寸与内环基座外缘尺寸相适配，内环基座嵌设于外环基座内。内环基座下方设有内环支撑架，内环支撑架与升降机构相连；外环基座下方设有外环支撑架，外环支撑架与旋转机构相连。本实用新型操作简单，传送稳定性更好，掉片率更低，满足不同尺寸的晶片的传送需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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