公开(公告)号：CN116754079A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310502746.1

申请日：2023-05-05

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 熊伟钉 ,  邱伟强 ,  阎蒋伟 ,  陈天晴 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: G01J5/90

Abstract: 本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器上；包括：步骤S1，将面源黑体温度设置为第一预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在预设积分时间下的第一像元电压数据；步骤S2，将温度设置为第二预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在同一预设积分时间下的第二像元电压数据；步骤S3，计算出像元响应电压；步骤S4，获取红外焦平面探测器的光学的F数、积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合预设积分时间以及计算得到的像元响应电压计算得到量子效率。有益效果：测试方法简便，数据采集方便、数据处理简单。

公开(公告)号：CN116577383A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310170850.5

申请日：2023-02-27

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 杜宇 ,  阎蒋伟 ,  谭必松 ,  邱伟强 ,  陈天晴 ,  李克俊 ,  陈殊璇

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明提供一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于顶层金属电极和背面金属电极之间施加偏置电压，按照不同的变化率调节偏置电压并对应采集相应的电流；步骤S2，将各偏置电压及对应的电流进行线性拟合得到电压电流拟合直线，并将电压电流拟合直线的斜率作为介质薄膜的电容值；步骤S3，根据电容值和预先获取的顶层金属电极的面积以及介质薄膜的厚度计算得到介质薄膜的介电常数。有益效果是通过测量施加不同变化率的偏置电压对应的电流进行线性拟合得到介质薄膜的电容值，进而计算得到介质薄膜的介电常数，测量准确率高，且偏置电压的施加以及电流的采集采用源表即可实现，有效节约测量成本。

公开(公告)号：CN221928003U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202323360718.5

申请日：2023-12-08

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 陈殊璇 ,  谭必松 ,  阎蒋伟 ,  张国锋 ,  段鹏 ,  丁俊毅 ,  宋鲁霞 ,  毛剑宏

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开一种芯片清洗提篮，包括放置槽，握把和芯片放置区域；所述放置槽由底座和底座边缘一圈的外侧挡板构成，所述底座开设有多个通孔；所述握把设置在放置槽的底座或挡板上，由抓握处和连接杆组成，并且在使用时握把与放置槽固定连接；所述芯片放置区域设置在底座上，形状为与芯片契合的矩形，所述芯片放置区域的边缘设有分体的芯片挡板。所述芯片清洗提篮有效解决了因清洗水流过大导致的芯片浮动并发生移动，可能会对芯片造成损害的问题。