公开(公告)号：CN117747704A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311772660.7

申请日：2023-12-21

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 张国锋 ,  段鹏 ,  谭必松 ,  陈殊璇 ,  宋鲁霞 ,  龚汉红 ,  毛剑宏

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/465

Abstract: 本申请公开一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液，包括：作为溶剂的水、以及H2O2，H2O2的浓度为：10％‑80％，本发明，可以得到CdTe薄膜表面形貌高度均匀，易控制，并且所需反应液易配置，简单易得；所用方法简便，易于操作。

公开(公告)号：CN116230505A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310254591.4

申请日：2023-03-09

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 杜宇 ,  陈世锐 ,  黄先念 ,  段鹏 ,  姚佳静 ,  刘竟然 ,  谭必松 ,  毛剑宏

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。

公开(公告)号：CN116913936A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202311038571.X

申请日：2023-08-16

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 李伟伟 ,  龚汉红 ,  段鹏 ,  谭必松 ,  杜宇 ,  毛剑宏

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器的铟柱制备方法，包括提供一待互连的第一芯片，第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片；在第一芯片上淀积介质材料，用以形成第一铟柱，第一铟柱包括：第一柱段，第一柱段具有预设高度，第一柱段的底部连接于第一芯片表面上；第二柱段，第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连，第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构，第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段，避免因对准误差带来的侧滑，也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。

公开(公告)号：CN221928003U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202323360718.5

申请日：2023-12-08

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 陈殊璇 ,  谭必松 ,  阎蒋伟 ,  张国锋 ,  段鹏 ,  丁俊毅 ,  宋鲁霞 ,  毛剑宏

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开一种芯片清洗提篮，包括放置槽，握把和芯片放置区域；所述放置槽由底座和底座边缘一圈的外侧挡板构成，所述底座开设有多个通孔；所述握把设置在放置槽的底座或挡板上，由抓握处和连接杆组成，并且在使用时握把与放置槽固定连接；所述芯片放置区域设置在底座上，形状为与芯片契合的矩形，所述芯片放置区域的边缘设有分体的芯片挡板。所述芯片清洗提篮有效解决了因清洗水流过大导致的芯片浮动并发生移动，可能会对芯片造成损害的问题。