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公开(公告)号：CN117038790A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311020976.0
申请日：2023-08-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的制备方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；在碲镉汞半导体基底的表面形成第一钝化层；在第一钝化层上形成网格形式的金属层，金属层的网格内露出第一钝化层的表面；在第一钝化层和金属层上均形成第二钝化层；依次刻蚀第二钝化层和第一钝化层，以形成贯穿第二钝化层和第一钝化层的通孔，通孔内露出碲镉汞半导体基底的表面，通孔位于金属层的网格内；依次在通孔内形成金属电极和铟柱，金属电极将铟柱和碲镉汞半导体基底与第一钝化层以及第二钝化层均隔开；将金属层与提供偏压的电源连通，以消除所述第一钝化层和第二钝化层带有的电荷。本发明解决了像元之间出现漏电的问题，提高了探测器成像性能。
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公开(公告)号：CN116754079A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310502746.1
申请日：2023-05-05
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器上；包括：步骤S1，将面源黑体温度设置为第一预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在预设积分时间下的第一像元电压数据；步骤S2，将温度设置为第二预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在同一预设积分时间下的第二像元电压数据；步骤S3，计算出像元响应电压；步骤S4，获取红外焦平面探测器的光学的F数、积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合预设积分时间以及计算得到的像元响应电压计算得到量子效率。有益效果：测试方法简便，数据采集方便、数据处理简单。
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公开(公告)号：CN116577383A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310170850.5
申请日：2023-02-27
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本发明提供一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于顶层金属电极和背面金属电极之间施加偏置电压，按照不同的变化率调节偏置电压并对应采集相应的电流；步骤S2，将各偏置电压及对应的电流进行线性拟合得到电压电流拟合直线，并将电压电流拟合直线的斜率作为介质薄膜的电容值；步骤S3，根据电容值和预先获取的顶层金属电极的面积以及介质薄膜的厚度计算得到介质薄膜的介电常数。有益效果是通过测量施加不同变化率的偏置电压对应的电流进行线性拟合得到介质薄膜的电容值，进而计算得到介质薄膜的介电常数，测量准确率高，且偏置电压的施加以及电流的采集采用源表即可实现，有效节约测量成本。
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公开(公告)号：CN115420386A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211041581.4
申请日：2022-08-29
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明提供一种基于相对电流的红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：步骤S1，探测器与面源黑体距离预设距离，面源黑体设置为预设温度；步骤S2，设置积分时间，使探测器输出阱深处于预设阱深范围内，步进处于预设步进范围内；步骤S3，采集红外探测图像，像元电压随积分时间拟合得到第一像元电流表；步骤S4，扣除盲元电流，计算得到第一相对电流表；步骤S5，至少重复一次步骤S3‑S4，得到第二像元电流表和第二相对电流表；步骤S6，根据第一相对电流表和第二相对电流表判断是否为不稳定像元。有益效果：从像元电流出发，提供一种能够有效测量红外探测器不稳定像元的方法，从而准确的判断不稳定像元。
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公开(公告)号：CN115420386B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202211041581.4
申请日：2022-08-29
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明提供一种基于相对电流的红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：步骤S1，探测器与面源黑体距离预设距离，面源黑体设置为预设温度；步骤S2，设置积分时间，使探测器输出阱深处于预设阱深范围内，步进处于预设步进范围内；步骤S3，采集红外探测图像，像元电压随积分时间拟合得到第一像元电流表；步骤S4，扣除盲元电流，计算得到第一相对电流表；步骤S5，至少重复一次步骤S3‑S4，得到第二像元电流表和第二相对电流表；步骤S6，根据第一相对电流表和第二相对电流表判断是否为不稳定像元。有益效果：从像元电流出发，提供一种能够有效测量红外探测器不稳定像元的方法，从而准确的判断不稳定像元。
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公开(公告)号：CN118655445A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410768877.9
申请日：2024-06-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种芯片引脚检测装置及方法，属于芯片检测技术领域，该芯片引脚检测装置，包括恒流源选择模块，用于向待测的目标芯片的引脚提供恒流源；引脚选择模块，用于切换目标芯片的引脚电气连接状态，使目标芯片的引脚接恒流源正极、恒流源负极或者悬空，引脚选择模块具有多个控制输入端和多个控制输出端，控制输入端和恒流源选择模块相连，控制输出端和目标芯片的引脚电气连接；ADC模块，其两输入端分别与所述恒流源正极、恒流源负极相连，用于获取目标芯片各引脚的电压信号并进行模数信号转换。通过设计芯片引脚检测装置替代人工检测，从而高效、准确地自动检测判断、存储，减少了人力投入，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116754080B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310779472.0
申请日：2023-06-28
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。
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公开(公告)号：CN116754080A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310779472.0
申请日：2023-06-28
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： G01J5/90
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。
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