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公开(公告)号：CN101375140B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780003604.X
申请日：2007-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/12
Abstract: 红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。
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公开(公告)号：CN101978246B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980109704.X
申请日：2009-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L37/00
Abstract: 在具有测辐射热计元件(11)以及基准元件(21)的红外线检测器(1)中，包含：测辐射热计薄膜(22)，与基板(10)的表面分离且被支撑于基板(10)的表面上；散热用金属膜(23)，经由绝缘膜(31)而被形成在测辐射热计薄膜(22)的基板(10)侧的表面上；以及多个金属柱(25)，与散热用金属膜(23)以及基板(10)热性连接，从而可以经由绝缘膜(31)、散热用金属膜(23)、金属柱(25)、基板侧散热用金属膜(24)有效地使由红外线所产生的受光部(22a)的热向基板(10)散热，因而可以正确地仅测定因使用环境的变化而产生的温度变化，有效地降低使用环境的温度变化的影响，并达成小型化。
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公开(公告)号：CN104508441B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380041019.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J5/04 , G01J5/02 , H01L27/146 , H04N5/33
CPC classification number: G01J5/12 , G01C3/02 , G01J1/0407 , G01J3/36 , G01J5/0275 , G01J5/045 , G01J5/0859 , G01J2005/123 , G01S7/4816 , G01S17/023 , H01L27/14649 , H01L2224/48091 , H04N5/33 , H04N5/374 , H01L2924/00014
Abstract: 在复合传感器(11)中，热图像传感器(16)的排列区域(R1)与距离图像传感器(31)的排列区域(R2)以从层叠方向看重叠的方式配置。因此，可以在同轴上取得热图像和距离图像，能够抑制热图像与距离图像间的图像偏差。此外，在复合传感器(11)中，通过由第1基板(13)与第2基板封热图像传感器(16)的周围的空间。由此，能够防止距离图像传感器(31)的周围所产生的热对热图像传感器(16)侧造成影响。除此之外，由于排列热图像传感器(16)的基板与排列距离图像传感器(31)的基板不同，因此能够确保设计自由度。(14)的层叠形成的密封体(S1)在真空状态下密
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272563B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980154028.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/14 , H01L27/14649
Abstract: 本发明涉及光检测器，提供具有辐射热计元件(11)及参考元件(21)的红外线检测器(1)，其中参考元件(21)包含：辐射热计膜(22)；辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的基板侧绝缘膜(31)；经由基板侧绝缘膜(31)而在辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的由非晶硅构成的散热膜(23)；及与散热膜(23)及基板(10)热连接的由非晶硅构成的多个散热柱(25)，辐射热计膜(22)及基板侧绝缘膜(31)绕转到散热膜(23)中的与基板(10)的表面交叉的侧面而形成。根据如此的红外线检测器(1)，既可有效地减少使用环境的温度变化的影响，且可谋求小型化。
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公开(公告)号：CN104508441A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380041019.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J5/04 , G01J5/02 , H01L27/146 , H04N5/33
CPC classification number: G01J5/12 , G01C3/02 , G01J1/0407 , G01J3/36 , G01J5/0275 , G01J5/045 , G01J5/0859 , G01J2005/123 , G01S7/4816 , G01S17/023 , H01L27/14649 , H01L2224/48091 , H04N5/33 , H04N5/374 , H01L2924/00014
Abstract: 在复合传感器(11)中，热图像传感器(16)的排列区域(R1)与距离图像传感器(31)的排列区域(R2)以从层叠方向看重叠的方式配置。因此，可以在同轴上取得热图像和距离图像，能够抑制热图像与距离图像间的图像偏差。此外，在复合传感器(11)中，通过由第1基板(13)与第2基板(14)的层叠形成的密封体(S1)在真空状态下密封热图像传感器(16)的周围的空间。由此，能够防止距离图像传感器(31)的周围所产生的热对热图像传感器(16)侧造成影响。除此之外，由于排列热图像传感器(16)的基板与排列距离图像传感器(31)的基板不同，因此能够确保设计自由度。
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公开(公告)号：CN102272563A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154028.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/14 , H01L27/14649
Abstract: 本发明涉及光检测器，提供具有辐射热计元件(11)及参考元件(21)的红外线检测器(1)，其中参考元件(21)包含：辐射热计膜(22)；辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的基板侧绝缘膜(31)；经由基板侧绝缘膜(31)而在辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的由非晶硅构成的散热膜(23)；及与散热膜(23)及基板(10)热连接的由非晶硅构成的多个散热柱(25)，辐射热计膜(22)及基板侧绝缘膜(31)绕转到散热膜(23)中的与基板(10)的表面交叉的侧面而形成。根据如此的红外线检测器(1)，既可有效地减少使用环境的温度变化的影响，且可谋求小型化。
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公开(公告)号：CN101978246A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109704.X
申请日：2009-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L37/00
Abstract: 在具有测辐射热计元件(11)以及基准元件(21)的红外线检测器(1)中，包含：测辐射热计薄膜(22)，与基板(10)的表面分离且被支撑于基板(10)的表面上；散热用金属膜(23)，经由绝缘膜(31)而被形成在测辐射热计薄膜(22)的基板(10)侧的表面上；以及多个金属柱(25)，与散热用金属膜(23)以及基板(10)热性连接，从而可以经由绝缘膜(31)、散热用金属膜(23)、金属柱(25)、基板侧散热用金属膜(24)有效地使由红外线所产生的受光部(22a)的热向基板(10)散热，因而可以正确地仅测定因使用环境的变化而产生的温度变化，有效地降低使用环境的温度变化的影响，并达成小型化。
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公开(公告)号：CN101375140A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003604.X
申请日：2007-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/12
Abstract: 红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。
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