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公开(公告)号：CN118782657A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310348832.1
申请日：2023-04-03
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/34 , H01L29/24
摘要： 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法，肖特基势垒二极管包括：衬底、第一电极结构层、半导体结构层和第二电极结构层；半导体结构层包括：第一半导体层、第三半导体层和二者之间的第二半导体层；第一半导体层和第三半导体层的材料均为铟铝锌氧化物，第一半导体层和第三半导体层的电阻不同，第二半导体层的导电性优于第一半导体层和第三半导体层；半导体结构层与一侧相邻的电极层形成肖特基接触，与另一侧相邻的电极层形成欧姆接触，分别对两侧的半导体层进行调节，可以提高对应接触面的接触质量，加入高导电性的半导体层，还可以降低器件的串联电阻，有利于提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN118738142A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310341583.3
申请日：2023-03-31
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/66
摘要： 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法，肖特基势垒二极管包括：衬底、第一电极结构层、半导体结构层和第二电极结构层；第一电极结构层包括与半导体结构层相邻的第一电极层，第二电极结构层包括与半导体结构层相邻的第二电极层，半导体结构层包括：第一半导体层和第二半导体层；第一半导体层和第二半导体层的材料均为铟铝锌氧化物，第一半导体层和第二半导体层中铝元素的比例不同；半导体结构层中的一个半导体层与相邻的电极层形成肖特基接触，另一个半导体层与相邻的电极层形成欧姆接触，分别对双层半导体层进行调节，可以提高对应接触面的接触质量，有利于提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN118280999A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728187.8
申请日：2022-12-30
申请人： 海信视像科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：衬底基板；驱动层，位于衬底基板之上，用于提供驱动信号；驱动层包括多个开关薄膜晶体管和多个驱动薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层的材料为掺入氢元素和额外元素的铟锡氧化物；开关薄膜晶体管包括第二有源层，第二有源层的材料为掺入额外元素的铟锡氧化物。掺入额外元素的铟锡氧化物具有良好的电子迁移率等电学性能和稳定性，在其中掺入氢元素则可以更大程度地提高其迁移率，分别用二者作为两类薄膜晶体管的有源层材料，可以提高驱动电路的响应速度和驱动能力，提升显示装置的显示性能。
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公开(公告)号：CN118280998A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211723169.0
申请日：2022-12-30
申请人： 海信视像科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：衬底基板；驱动层，位于衬底基板之上，用于提供驱动信号；驱动层包括多个开关薄膜晶体管和多个驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管包括第一有源层；驱动薄膜晶体管包括第二有源层和第三有源层，第三有源层位于第二有源层背离衬底基板的一侧；第二有源层的导电性优于第三有源层的导电性；第一有源层和第三有源层的材料为掺入额外元素的铟锡氧化物。掺入额外元素的铟锡氧化物材料具有良好的电子迁移率等电学性能，采用了该材料的双有源层驱动薄膜晶体管具有较好的均一性、稳定性以及更快的响应速度，有利于实现大面积显示装置的制备。
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公开(公告)号：CN117492257A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210884106.7
申请日：2022-07-26
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种全彩显示设备，包括：多个模组，模组包括选择功能结构和偏振处理结构；像素基板和背光灯珠，模组位于像素基板和背光灯珠之间，选择功能结构位于偏振处理结构临近像素基板的一侧，背光灯珠、模组、像素基板中的子像素一一对应设置；偏振处理结构用于处理对应背光灯珠发出的光为第一偏振光，选择功能结构用于通过对应偏振处理结构的第一偏振光，阻挡第二偏振光；其中，第二偏振光为与第一偏振光的偏振方向不同的光；相邻子像素对应的第一偏振光的偏振方向不同。本发明一些实施例，避免了相邻子像素之间出现颜色串扰的问题，提高了全彩显示设备的色度纯度和显示色域。
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公开(公告)号：CN116978894A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210417950.9
申请日：2022-04-20
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/50
摘要： 本发明公开了一种显示装置，包括：驱动基板和多个与驱动基板电连接的发光单元，发光单元均包括靠近驱动基板一侧与驱动基板电连接的发光芯片，至少部分发光单元还包括位于发光芯片背离驱动基板的一侧透光基质层；透光基质层中包括多个纳米孔，部分发光单元的透光基质层的纳米孔中填充颜色转换材料。将发光效率较低的发光单元替换为发光芯片出光侧设置透光基质层，并在透光基质层的纳米孔中填充颜色转换材料，由此可以提高显示装置中各发光单元的发光效率。单独设置透光基质层用于形成纳米孔可以避免在发光芯片中直接形成纳米孔会对发光芯片出光效率产生影响。纳米孔还可以提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN118712237A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310311391.8
申请日：2023-03-27
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/34 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制作方法，肖特基势垒二极管包括：衬底；第一电极层，包括相邻的第一区域和第二区域，第一区域的厚度大于第二区域的厚度；第一电极层的第二区域之上的半导体结构层，包括相邻的第三区域和第四区域，第三区域的厚度大于第四区域的厚度；半导体结构层第三区域的侧壁与第一电极层第一区域的侧壁接触；半导体结构层的第四区域之上的第二电极层；半导体结构层与一侧的电极层形成肖特基接触，与另一侧的电极层形成欧姆接触；半导体结构层的材料包括铟铝锌氧化物，从而可以使肖特基势垒二极管具有较好的电学性能和稳定性，且非垂直的器件结构有利于减小肖特基势垒二极管的体积，使之适用于更多样化的电路中。
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公开(公告)号：CN117525100A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210883627.0
申请日：2022-07-26
申请人： 海信视像科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动基板，和位于驱动基板之上的多个发光器件。其中发光器件包括：驱动芯片和位于驱动芯片背离驱动基板的一侧的像素单元，像素单元包括至少一个发光芯片，各发光芯片与驱动芯片电连接，发光芯片在驱动芯片的驱动下发光。驱动芯片与像素单元构成一体化的发光器件，驱动基板上不需要制作过多的线路或者薄膜晶体管结构，工艺难度低，可以进一步缩小像素尺寸和像素间的间距，提高分辨率。驱动芯片和像素单元进行一对一的驱动发光，实现静态驱动，相较于动态驱动逐行扫描的方式，可以避免瞬时较大的脉冲电流损坏发光芯片，并且可以避免扫描条纹的产生。
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公开(公告)号：CN118311804A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310024729.1
申请日：2023-01-09
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1333
摘要： 本申请提供一种背光模组及显示设备，涉及显示技术领域，包括蜂窝板、扩散板以及薄膜发光二极管LED芯片，其中：所述蜂窝板、所述薄膜LED芯片以及所述扩散板层叠设置；所述薄膜LED芯片具有发光面和电极面，所述薄膜LED芯片的电极面与所述蜂窝板相贴合，所述薄膜LED芯片的发光面与所述扩散板相贴合；所述蜂窝板用于在接收到外部振动时，带动所述薄膜LED芯片以及所述扩散板振动，通过结构的设计，减少显示设备中空气层的数量，以减小显示设备发声受到的影响。
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公开(公告)号：CN117334619A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210735248.7
申请日：2022-06-27
申请人： 海信视像科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法，Micro LED暂态转移基板包括：第一掩模版和粘性缓冲结构，粘性缓冲结构位于第一掩模版的一侧，与第一掩模版接触设置，粘性缓冲结构相对于第一掩模版可移动；第一掩模版包括多个第一通孔，粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部；连接部在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第一设置位置与第一通孔对应设置，第二通孔在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第二设置位置与第一通孔对应设置。本发明一些实施例提高了转移良率和转移效率，可实现Micro LED的选择性转移，易于个别位置的后续修补，Micro LED位置无偏移，Micro LED表面无残胶。
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