公开(公告)号：CN115881677A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210931507.3

申请日：2022-08-04

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框，包含：引线；以及坝条，布置在引线之间且将引线彼此连接，其中各引线包含：下部引线凹槽，形成在可湿性侧面结构的第一表面中；以及上部引线凹槽，形成在与第一表面相对的第二表面中且在厚度方向上与下部引线凹槽对准，其中在锯切工艺中，下部引线凹槽与上部引线凹槽之间的引线的一部分至少部分地去除。

公开(公告)号：CN115836390A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180004092.9

申请日：2021-07-01

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 禹都娟 ,  徐奭圭 ,  崔炳哲

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/52

Abstract: 根据本公开的一个方面，提供一种引线框架，所述引线框架包括：多条引线，在所述多条引线中形成有引线槽；以及坝条，布置在引线之间以对引线进行连接，其中布置在引线之间的坝条的厚度具有至少两个厚度值，且在坝条的最厚部分与和坝条的最厚部分邻近的引线之间形成有坝条槽。

公开(公告)号：CN115810608A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211088601.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种半导体封装衬底、制造半导体封装衬底的方法以及半导体封装。根据本公开的一个实施例，半导体封装衬底包含：基底衬底，具有其中设置有第一沟槽的下部表面以及其中设置有第二沟槽和第三沟槽的上部表面，包含电路图案和导电材料；第一树脂，布置在第一沟槽中；以及第二树脂，布置在第二沟槽和第三沟槽中，其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。