公开(公告)号：CN115050717A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210228376.2

申请日：2022-03-08

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 金沅彬 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  尹东陈

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明为了一种易于焊接的半导体封装衬底及其制造方法，提供一种半导体封装衬底，其具备：基底层，其包括导电物质，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且具有位于所述第一表面的第一凹槽或第一沟槽以及位于所述第二表面的第二凹槽或第二沟槽；第一树脂，其掩埋在位于所述基底层的所述第一表面的所述第一凹槽或第一沟槽中；以及凹槽部，其位于所述基底层的所述第一表面的至少一拐点，且基于所述第一表面的深度为所述基底层的厚度的1/2或更大。

公开(公告)号：CN115810608A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211088601.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种半导体封装衬底、制造半导体封装衬底的方法以及半导体封装。根据本公开的一个实施例，半导体封装衬底包含：基底衬底，具有其中设置有第一沟槽的下部表面以及其中设置有第二沟槽和第三沟槽的上部表面，包含电路图案和导电材料；第一树脂，布置在第一沟槽中；以及第二树脂，布置在第二沟槽和第三沟槽中，其中第二沟槽暴露第一树脂的至少一部分。

公开(公告)号：CN110189999A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201811357911.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  姜圣日 ,  尹东陈

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种制造半导体封装衬底的方法、一种使用制造半导体封装衬底的方法来制造的半导体封装衬底、一种制造半导体封装的方法以及一种使用制造半导体封装的方法来制造的半导体封装。制造半导体封装衬底的方法包含：在具有顶部表面和底部表面且由导电材料形成的基底衬底的底部表面中形成多个第一凹槽或第一沟槽；用树脂填充多个第一凹槽或沟槽；固化树脂；去除过度填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的暴露部分；对基底衬底的顶部表面进行蚀刻以暴露填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的至少部分；以及在基底衬底的底部表面中形成第二凹槽或第二沟槽。

公开(公告)号：CN110189999B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811357911.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 裵仁燮 ,  姜圣日 ,  尹东陈

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种制造半导体封装衬底的方法、一种使用制造半导体封装衬底的方法来制造的半导体封装衬底、一种制造半导体封装的方法以及一种使用制造半导体封装的方法来制造的半导体封装。制造半导体封装衬底的方法包含：在具有顶部表面和底部表面且由导电材料形成的基底衬底的底部表面中形成多个第一凹槽或第一沟槽；用树脂填充多个第一凹槽或沟槽；固化树脂；去除过度填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的暴露部分；对基底衬底的顶部表面进行蚀刻以暴露填充于多个第一凹槽或沟槽中的树脂的至少部分；以及在基底衬底的底部表面中形成第二凹槽或第二沟槽。

公开(公告)号：CN115881677A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210931507.3

申请日：2022-08-04

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 尹东陈 ,  姜圣日 ,  裵仁燮 ,  徐奭圭 ,  片东英

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种引线框，包含：引线；以及坝条，布置在引线之间且将引线彼此连接，其中各引线包含：下部引线凹槽，形成在可湿性侧面结构的第一表面中；以及上部引线凹槽，形成在与第一表面相对的第二表面中且在厚度方向上与下部引线凹槽对准，其中在锯切工艺中，下部引线凹槽与上部引线凹槽之间的引线的一部分至少部分地去除。