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发明公开
半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115050717A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210228376.2

申请日：2022-03-08

Applicant: 海成帝爱斯株式会社

Inventor： 金沅彬 , 姜圣日 , 裵仁燮 , 尹东陈

IPC: H01L23/495 , H01L23/13 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56

Abstract: 本发明为了一种易于焊接的半导体封装衬底及其制造方法，提供一种半导体封装衬底，其具备：基底层，其包括导电物质，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且具有位于所述第一表面的第一凹槽或第一沟槽以及位于所述第二表面的第二凹槽或第二沟槽；第一树脂，其掩埋在位于所述基底层的所述第一表面的所述第一凹槽或第一沟槽中；以及凹槽部，其位于所述基底层的所述第一表面的至少一拐点，且基于所述第一表面的深度为所述基底层的厚度的1/2或更大。

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