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公开(公告)号：CN118335152B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410748903.1
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 武汉泰存科技有限公司
摘要： 本申请涉及存储技术领域，提供了一种闪存颗粒筛选方法及装置，该方法包括：对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，对多组样本闪存在第一预设温度下写入数据后，然后在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界；对经过第二预设温度后的多组样本闪存，在第一预设温度下再次写入数据，并根据在第一预设温度下的二次读取数据信息确定闪存在不同时间的数据保持能力边界；根据跨温读写能力边界及数据保持能力边界确定在第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件并对闪存进行筛选，以获得筛选结果，本申请可以快速有效的筛选出需要的低温闪存。
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公开(公告)号：CN118335152A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748903.1
申请日：2024-06-12
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 武汉泰存科技有限公司
摘要： 本申请涉及存储技术领域，提供了一种闪存颗粒筛选方法及装置，该方法包括：对多组样本闪存依次进行不同次数的编程擦除操作，对多组样本闪存在第一预设温度下写入数据后，然后在不同的多个第二预设温度下进行读取数据，并根据读取数据的信息确定闪存的跨温读写能力边界；对经过第二预设温度后的多组样本闪存，在第一预设温度下再次写入数据，并根据在第一预设温度下的二次读取数据信息确定闪存在不同时间的数据保持能力边界；根据跨温读写能力边界及数据保持能力边界确定在第一预设温度下的第一限制条件和第二限制条件并对闪存进行筛选，以获得筛选结果，本申请可以快速有效的筛选出需要的低温闪存。
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公开(公告)号：CN118535374A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202411009021.X
申请日：2024-07-26
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 武汉泰存科技有限公司
IPC分类号： G06F11/07
摘要： 本申请提供了一种RAID条带数据纠错方法、装置、设备及可读存储介质，属于数据存储技术领域。其中方法包括：读取RAID条带上除需纠错的目标存储单元外其余的非目标存储单元的数据；若存在读取失败，则根据超级块的擦除次数选取硬解码方式，进行重读；若存在重读失败的次数达到预设重读次数，则根据软解码方式进行重读；若重读成功，则对已读取的非目标存储单元的数据进行异或操作；将异或操作的结果填补至目标存储单元的位置。本申请根据擦除次数选取硬解码方式以及根据硬解码方式的重读情况，进行软解码方式的重读，对存储单元的数据重读成功后再进行异或操作，提高了数据纠错的能力。
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公开(公告)号：CN118535373A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202411009018.8
申请日：2024-07-26
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 武汉泰存科技有限公司
IPC分类号： G06F11/07
摘要： 本申请提供了一种固态硬盘数据纠错方法、装置、设备及可读存储介质，属于数据存储领域。其中方法包括：S1、设置下发重读命令次数的阈值；S2、向预设目标页下发第一组重读命令；S3、若第一组重读命令结束，则向预设目标页下发第二组重读命令，并同时获取第一组重读命令执行正常读命令后数据状态；S4、若下发重读命令次数未达到阈值，则下发新的一组重读命令，并同时获取上一组重读命令执行闪存缓存读命令的数据状态；S5、循环执行S4，直至数据状态为已纠错数据状态，则纠错成功。本方案通过在重读命令结束时，下发新的一组重读命令，无需知道上一组的数据状态再下发新的一组重读命令，提高了固态硬盘数据纠错的效率。
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公开(公告)号：CN118535488A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410725792.2
申请日：2024-06-06
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 成都佰维存储科技有限公司
IPC分类号： G06F12/08
摘要： 本发明提供一种存储器的读写处理方法、装置、设备及存储介质，涉及存储器技术领域。该方法包括：主机写目标数据至存储器时，将目标数据对应的多个逻辑单元地址存储至P2L缓存中，并基于第一判断条件和第二判断条件对P2L缓存和各逻辑单元地址进行判断，得到P2L缓存中逻辑单元地址目标阈值；主机从存储器读目标数据时，分别判断P2L缓存中逻辑单元地址目标阈值是否为合法数值，得到对应的多个目标判断结果，根据各目标判断结果分别确定是否从P2L缓存中查找各逻辑单元地址。这样，可避免主机所读逻辑地址不在P2L缓存中时查询P2L缓存带来多余的时间损耗，提升存储器读性能。
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公开(公告)号：CN117765121A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311759915.6
申请日：2023-12-19
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种闪存阈值电压分布图绘制方法、装置、设备及介质，方法包括：根据闪存页的类型确定闪存页的单元格对应的读电压，根据读电压确定单元格阈值电压和单元格阈值电压对应的编码；从闪存页中读取原始存储数据并存储到对应的存储文件中，根据编码依次对存储文件中存储的原始存储数据进行解析，得到所有单元格对应的编程态；根据编程态计算每个单元格的默认读电压位置，根据默认读电压位置确定阈值读电压；统计每个阈值读电压对应的单元格数量，根据阈值电压和单元格数量绘制阈值电压分布图。本发明可以将闪存页的原始存储数据转换成单元格的编码态，根据编码态确定阈值电压，从而完成阈值电压分布图的绘制，使得绘制结果更加准确。
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公开(公告)号：CN117543502A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311727639.5
申请日：2023-12-14
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司
IPC分类号： H02H3/20 , G11C5/14 , H03K5/24 , H03K17/687 , G01R19/165 , H02H7/12 , H02H1/00 , H02M1/00 , H02M1/08
摘要： 本发明实施例提供了一种过压保护电路及供电电源，包括：相连的电源输入电路、比较器和PMOS管；电源输入电路的输入端与外设的电源相连；比较器与参考电压相连；比较器的输出端通过上拉电阻与电源相连；电源输入电路用于将上述电源转化为输入电压；比较器用于比较输入电压与上述参考电压，当输入电压大于参考电压时，输出与上述电源对应的高电平至上述PMOS管的栅极，以使PMOS管截止；以及，当输入电压小于参考电压时，输出低电平至PMOS管的栅极，以使PMOS管导通。该技术可以在电源大于预设阈值时，将PMOS管截止以对PMOS管相连的固态硬盘产品进行过压保护。
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公开(公告)号：CN118295604B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410725793.7
申请日：2024-06-06
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司 , 成都佰维存储科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供一种存储器数据处理方法、装置、设备及存储介质，涉及存储器技术领域。该方法包括：根据存储器的闪存擦写次数情况判断是否需要执行磨损均衡；若需要执行磨损均衡，则从存储器中查找闪存擦写次数最大块作为待选搬入块，判断待选搬入块是否满足数据搬运处理条件；判断待选搬入块是否为执行磨损均衡时的数据搬入块；若待选搬入块不为执行磨损均衡时的数据搬入块，则待选搬入块满足数据搬运处理条件，并确定待选搬入块为目标搬入块；通过磨损均衡将待搬运数据块的待搬运数据搬至目标搬入块。这样，通过判断待选搬入块是否满足数据搬运处理条件，保证有效的磨损均衡。
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公开(公告)号：CN118506835A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410730737.2
申请日：2024-06-06
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/26
摘要： 本发明公开了一种固态硬盘重读流程加速方法、装置、设备及可读存储介质。方法包括：定义全局变量，包括初始偏移电压与初始偏移电压的持续次数，判断初始偏移电压的持续次数是否大于预设初始偏移电压持续次数阈值；当初始偏移电压的持续次数大于预设初始偏移电压持续次数阈值时，获取读取数据，从初始偏移电压开始对读取数据进行数据重读；判断数据重读是否成功，当成功时，判断当前成功电压与初始偏移电压是否相等；当不相等时，将当前成功电压赋值给初始偏移电压，将初始偏移电压的持续次数的数值置为预设数值。本申请通过对普适性的初始偏移电压的记录，调整重读电压的初始值，达到减少重读次数的效果，减少了重读的时间成本。
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公开(公告)号：CN118412295A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410866776.5
申请日：2024-07-01
申请人： 深圳佰维存储科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种目标晶粒确定方法、装置、电子设备及介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取待测晶圆集；依次对各晶圆的多个晶粒进行合格性测试，并根据各晶粒的测试结果生成各晶圆对应的初始二维数组；根据N个初始二维数组，确定融合二维数组；遍历融合二维数组，从多个融合元素中确定符合预设筛选条件的第一目标元素；将第一目标元素对应的多个初始元素确定为目标初始元素，将各目标初始元素对应的晶粒确定为目标晶粒。本发明提升了目标晶粒的识别效率及识别准确度。
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