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公开(公告)号：CN118417641A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410463637.8
申请日：2024-04-17
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: B23H5/02
Abstract: 本发明涉及精密加工技术领域，提供了一种电极群火花辅助化学刻蚀加工方法及装置，包括反应槽、工件夹具、掩模板、电极群、固定件和辅助电极，电极群包括多个间隔排列设置的工具电极，应用时，将待加工的SiC工件和掩模板通过固定件固定在容置腔内，工件表面局部通过镂空结构暴露在电解液中，将电极群置于掩模板背离工件的一侧，使工具电极在镂空结构表面平扫，缩短了扫描路径，提升了扫描效率，工具电极经过镂空结构处诱导火花放电等离子体，火花放电等离子体产生的热量通过掩模板的镂空区域高效传导到工件暴露位置的表面，实现热促进化学刻蚀，在工件表面暴露位置加工形成多孔结构，能有效提升加工效率。具有加工便捷性好、加工效率高的优点。
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公开(公告)号：CN118237679A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410463639.7
申请日：2024-04-17
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: B23H5/02
Abstract: 本发明涉及精密加工技术领域，提供了一种模板式火花辅助化学刻蚀加工方法及装置，包括反应槽、模板组件、固定件和辅助电极，模板组件包括模板工具电极和绝缘模板，辅助电极用于与模板工具电极形成电场。模板工具电极上形成有第一阵列镂空结构，绝缘模板上形成有与第一阵列镂空结构位置对应的第二阵列镂空结构，由此，在反应槽的容置腔内盛有电解液的情况下，工件表面局部通过第一阵列镂空结构和第二阵列镂空结构暴露在电解液中，由此，可在第一阵列镂空结构处一次性诱导火花放电等离子体，在工件表面暴露位置加工形成微结构，实现一次性诱导离散、多点阵列火花放电等离子体，加工出阵列微结构，具有加工便捷性好、加工效率高的优点。
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公开(公告)号：CN114488849A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111665089.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 深圳信息职业技术学院
Inventor： 刘明俊
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明公开了一种互动式虚拟数控平台，包括：三维模型建立模块，用于根据数控平台的实际物理参数建立虚拟数控平台三维模型；虚拟仿真模块，用于对虚拟数控平台三维模型添加实际数控平台的物理属性，以构建虚拟数控平台模型；运动控制模块，用于对虚拟数控平台模型下达控制指令，以使其模拟实际数控平台的运行动作；状态反馈模块，用于将虚拟数控平台模型模拟的动作状态信息同步上传给运动控制模块。通过本互动式虚拟数控平台模拟实际三轴数控平台的运行动作和加工动作，可以允许用户根据实际需求进行选配和组装。同时，通过该平台的学习，还可快速掌握机械结构、电气器件以及控制软件等指示，以满足研发、仿真测试、安装调试教学培训等。
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公开(公告)号：CN112317458B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011047535.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 深圳信息职业技术学院
Abstract: 本申请适用于激光加工技术领域，提供了一种用于激光清洗和激光冲击强化的复合加工设备与方法，一种用于激光清洗和激光冲击强化的复合加工设备包括用于承载工件的工作台组件、能够产生红外激光、绿光激光和紫外激光的激光光源组件、设置于激光的光路上的光路切换组件、第一物镜组件，以及第二物镜组件；第一物镜组件和第二物镜组件均设置于工作台组件用于承载工件的一侧，光路切换组件能够在第一状态和第二状态之间切换以分别将激光偏折至第一物镜组件和第二物镜组件。通过设置具有第一状态和第二状态的光路切换组件，可以控制激光分别偏折并耦合至第一物镜组件和第二物镜组件，可以在同一台激光加工装置上实现激光清洗和激光冲击强化加工。
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公开(公告)号：CN111880324A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010724652.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 深圳信息职业技术学院
Abstract: 本发明公开一种可随温度自调节的全向透射薄膜元件，包括两层渐变折射率材料薄膜层、基底层和二氧化钒薄膜层，所述两层渐变折射率材料薄膜层中的一层设置在所述基底的上表面，所述两层渐变折射率材料薄膜层中的另一层设置在所述基底的下表面。本发明将渐变折射率材料和热致相变材料结合,得到SiOx/SUB/SiOx/VO2结构的全向透射薄膜元件，其利用渐变折射率SiOx材料折射率大范围连续可调的优势，构建相变薄膜VO2双侧SiOx折射率调制层，使薄膜器件整体成为包含相变材料的折射率连续体。此外，本发明还公开一种可随温度自调节的全向透射薄膜元件的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111160000A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911260895.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: G06F40/205 , G06F40/279 , G06F40/151 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本申请适用于自动评分技术领域，提供了作文自动评分方法、装置终端设备及存储介质，通过对预测的目标文本进行预处理，得到目标文本中各个词的词向量数据，而后输入至训练好的第一模型中，获取相应的预测分数，使得英语学习者写的大量英语作文，可以通过作文评分装置及时对其进行有效的评分，且快速反馈给英语学习者，更好地起到促进英语学习者的学习效率和学习水平的作用。
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公开(公告)号：CN119962110A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510047017.0
申请日：2025-01-13
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了基于曲率控制技术的高保真叶片成型技术及算法，包括该叶片成型技术及算法包括以下具体步骤：S1：数据采集：利用三维扫描仪对叶片模型进行高精度扫描，获取叶片表面的空间坐标数据，通过数据处理软件对采集到的数据进行分析，提取叶片表面的曲率信息；S2：曲率计算与分析：将叶片表面划分为细小的网格单元，每个网格单元代表一个小曲面片，利用微分几何的方法，计算每个网格单元的高斯曲率K和平均曲率H；S3：曲率优化；S4：成型过程控制；S5：后处理与检验；本发明通过精确控制叶片表面的曲率分布，实现叶片的高精度成型，有效提高叶片的成型精度和生产效率，降低成本，满足高端装备制造的需求。
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公开(公告)号：CN119910317A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411809035.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 深圳信息职业技术学院
Abstract: 本申请公开一种加工方法、电子设备和存储介质。方法包括：按照第一设定方式和第一设定频率生成照射待加工物体的第一激光，第一激光用于对待加工物体的第一表面进行预热；待加工物体的硬度超过设定硬度阈值，待加工物体的脆性超过设定脆性阈值；在第一激光对待加工物体加热至设定温度的情况下，按照第二设定方式和第二设定频率生成照射待加工物体的第二激光；第二激光用于对待加工物体进行表面切割；第一激光和第二激光的波长不同；控制第二激光照射待加工物体的第二表面，去除待加工物体的第二表面的设定厚度；第一表面包括第二表面。本申请实施例能够提高待加工物体的加工效率和加工质量。
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公开(公告)号：CN111912785B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010713019.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 深圳信息职业技术学院
Abstract: 本申请适用于光学分析技术领域，提供了一种光学常数测量方法与光学常数测量设备，光学常数测量方法包括以下步骤：获得包括S偏振态的探测光；将探测光按照第一预设入射角照射设置于基底上的待检测的薄膜，探测光照射基底后，获取探测光的偏振方向与入射面的夹角大于或者等于偏振角的分量作为第一反射光谱数据；根据第一反射光谱数据选择色散模型，根据色散模型组合拟合第一反射光谱数据。采用偏振方向与入射面的垂直分量作为第一反射光谱数据，能够放大探测到的第一反射光谱数据的峰谷幅度，具有更高的解析精度；兼具传统的光度法的简单有效的优点和传统的椭偏法的适用范围广的优点；对于偏振光学元件等薄膜元件更具有参考价值。
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公开(公告)号：CN114850684A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210345865.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 深圳信息职业技术学院
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , G06T17/30
Abstract: 本发明公开一种曲面立体纹理的激光加工方法，包括：获取待加工工件的三维曲面模型和平面立体纹理模型；将平面立体纹理模型映射至三维曲面模型上，得到三维曲面立体纹理模型；根据三维曲面立体纹理模型生成激光加工轨迹，控制激光按照激光加工轨迹对待加工工件进行加工。本发明技术方案中，先获取待加工工件的三维曲面模型和平面立体纹理模型，而后将平面立体纹理模型映射至待加工工件的三维曲面模型上，得到三维曲面立体纹理模型，然后再根据三维曲面立体纹理模型生成激光加工轨迹，最后控制激光按照生成的激光加工轨迹对待加工工件进行加工，以在待加工工件表面形成立体纹理，从而实现对于复杂三维曲面的立体纹理加工。
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