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公开(公告)号：CN106356380B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611005581.3
申请日：2016-11-11
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
摘要： 本发明提供一种柔性TFT基板及其制作方法。本发明的柔性TFT基板的制作方法，首先在刚性基板上依次形成柔性衬底与第一有机层，并且在所述第一有机层上设置数个凹槽，之后将TFT器件制作于所述数个凹槽中，然后在所述第一有机层上形成第二有机层，最后将所述柔性衬底从所述刚性基板上剥离，制得一柔性TFT基板，所述柔性TFT基板中，由于所述第一有机层上设有数个凹槽，从而在所述第一有机层上形成多个凹陷结构与多个凸起结构，使得所述第二有机层与所述第一有机层相互咬合，结合紧密，并且对夹设于二者之间的TFT器件形成保护，防止柔性TFT基板在弯曲过程中出现断线、TFT器件剥落及漏光等问题，提升柔性TFT基板的品质，延长柔性TFT基板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107591414A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710737407.6
申请日：2017-08-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层；对有源半导体材料层、栅极绝缘材料层、第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在栅极上的第一栅极绝缘层、设置于像素电极上且暴露像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于第一栅极绝缘层上的有源层；在缓冲层、像素电极、第二栅极绝缘层以及有源层上形成第二金属层；对第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成位于有源层上的源极以及位于有源层和暴露的像素电极的部分上的漏极。本发明利用2次光刻(2MASK)完成了阵列基板的制作，降低了光刻次数，从而节省成本。
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公开(公告)号：CN107300836B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710704377.9
申请日：2017-08-16
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
摘要： 本发明提供了一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的层结构，曝光方法包括：提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，滤光光罩上设有不透光区和至少两个滤光区，每个滤光区用于透过至少一种光线，每个滤光区所能透过的光线的波长为离散值，且每个滤光区所能透过的光线的波长不同；每个滤光片用于透过一种光线，n个滤光片透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；使用光源依次照射n个滤光片，并依次采用n个滤光片透过的光线，通过滤光光罩对光阻进行n次曝光。本发明还提供了一种曝光装置。发明的方案能够使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差，便于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，提高量产良率。
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公开(公告)号：CN108004550A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711483863.9
申请日：2017-12-29
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
摘要： 本发明属于液晶面板加工技术领域，尤其公开了一种用于铜/钼膜层的蚀刻液，其包括以下按质量百分数均匀混合的成分：0.1％～40％的氧化剂、0.1％～5％的无机酸、0.1％～30％的有机酸、0.001％～5％的蚀刻稳定剂以及0.1％～5％的螯合剂。根据本发明的蚀刻液是一种无氟蚀刻液，其对环境友好，不会造成玻璃等材料的基板及IGZO等特殊材料的损伤。另外，根据本发明的蚀刻液可调节铜/钼膜层的蚀刻速度，使其成为具有适当锥角的蚀刻轮廓，并控制相应的CD Loss下保证没有Mo残留，尤其适用于Mo层厚度较大的情况。本发明还提供了一种基于上述蚀刻液在液晶显示面板中的应用。
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公开(公告)号：CN105789325A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610242557.5
申请日：2016-04-18
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/092
CPC分类号： H01L29/78675 , H01L27/1288 , H01L29/1041 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863 , H01L27/092 , H01L29/0684
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及CMOS器件。薄膜晶体管包括：基板及设置在基板同侧的低温多晶硅层(LTPS)，与LTPS同层且设置在LTPS相对两端的第一及第二轻掺杂区，与LTPS同层设置的第一、重掺杂区，第一重掺杂区设置在第一轻掺杂区远离LTPS的一端，第二重掺杂区设置在第二轻掺杂区远离LTPS的一端，第一绝缘层，覆盖第一、第二轻掺杂区、第一、第二重掺杂区，栅极包括第一表面、第二表面及第三表面，第一表面设置在第一绝缘层上，第二、第三表面相对设置且均与第一表面相交，第二表面相较于第三表面邻近第一轻掺杂区设置，第二表面与第一轻掺杂区与LTPS接触的表面之间的距离等于第三表面与第二轻掺杂区与LTPS接触的表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN107591414B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201710737407.6
申请日：2017-08-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层；对有源半导体材料层、栅极绝缘材料层、第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在栅极上的第一栅极绝缘层、设置于像素电极上且暴露像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于第一栅极绝缘层上的有源层；在缓冲层、像素电极、第二栅极绝缘层以及有源层上形成第二金属层；对第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成位于有源层上的源极以及位于有源层和暴露的像素电极的部分上的漏极。本发明利用2次光刻(2MASK)完成了阵列基板的制作，降低了光刻次数，从而节省成本。
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公开(公告)号：CN107357059B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710737432.4
申请日：2017-08-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1335
摘要： 本发明提供了一种阵列基板和彩色滤光片基板。该阵列基板包括：基板；开关元件部，设置于所述基板上；视角显示部，设置于所述开关元件部上，所述视角显示部用于在不同视角方向上呈现不同显示画面。该彩色滤光片基板包括：基板，包括相对的第一表面和第二表面；若干彩色滤光部，阵列排布在所述第一表面上；若干视角部，阵列排布在所述第二表面上，所述视角部与所述彩色滤光部一一对应相对，所述视角部用于在不同视角方向上呈现不同显示画面。在具有该阵列基板或该彩色滤光片基板的液晶面板能够实现在不同视角方向上显示不同画面的目的。
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公开(公告)号：CN107564820B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710650023.0
申请日：2017-08-02
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括步骤：提供基板，在基板表面设置第一金属层；采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；在基板暴露的表面、栅极表面及信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层源极区域及漏极区域暴露；在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，第一光阻层为有机光阻层；采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，漏极与有源层的漏极区域连接，透明电极与漏极连接，在此步骤中，第一光阻层被保留；退火处理，以使第一光阻层融化，并包覆源极和漏极暴露的表面。
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公开(公告)号：CN107300836A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710704377.9
申请日：2017-08-16
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
摘要： 本发明提供了一种曝光方法，用于对基板上的光阻进行曝光，形成具有段差的层结构，所述曝光方法包括：提供光源、滤光光罩和n个滤光片；其中，所述滤光光罩上设有不透光区和滤光区，所述滤光区用于透过至少两种光线；每个所述滤光片用于透过一种光线，n个所述滤光片透过的光线种类各不相同，n大于或等于2；使用所述光源依次照射n个所述滤光片，并依次采用n个所述滤光片透过的光线，通过所述滤光光罩对所述光阻进行n次曝光。本发明还提供了一种曝光装置。发明的方案能够使膜厚控制变得精细化，有利于减少膜厚误差，便于曝光工艺的调试，增大了工艺窗口，提高量产良率。
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公开(公告)号：CN107564820A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710650023.0
申请日：2017-08-02
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 邓金全
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括步骤：提供基板，在基板表面设置第一金属层；采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；在基板暴露的表面、栅极表面及信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层源极区域及漏极区域暴露；在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，第一光阻层为有机光阻层；采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，漏极与有源层的漏极区域连接，透明电极与漏极连接，在此步骤中，第一光阻层被保留；退火处理，以使第一光阻层融化，并包覆源极和漏极暴露的表面。
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