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公开(公告)号：CN108198773B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201711488568.2
申请日：2017-12-29
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种用于转移微发光二极管的转移头以及转移方法。所述转移头包括：抓取部，由记忆合金形成，包括指状部分；温度控制元件，被构造为连接到抓取部，且控制抓取部的温度。根据所要转移的微发光二极管，所述指状部分被构造为：在第一温度下舒展，足以与微发光二极管分离；在第二温度下收缩，足以抓取微发光二极管。
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公开(公告)号：CN107065268A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710365551.1
申请日：2017-05-22
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133382 , G02F1/133512
摘要： 本发明提供一种液晶显示装置及其制作方法和加热方法。该液晶显示装置采用黑色热电材料制作遮光层，并将遮光层与外接电源电性连接，在液晶显示装置内设置温度传感器，并将温度传感器和外接电源均电性连接至一控制模块，可通过温度传感器测量液晶显示装置的温度，并在液晶显示装置的温度过低时由控制模块控制电源为遮光层供电，再通过遮光层将电能转换为热能为液晶显示装置加热，能够提升液晶显示装置的加热效率和加热均匀性，降低液晶显示装置的加热功耗和加热时间，减少显示不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN109930153B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910332935.2
申请日：2019-04-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
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公开(公告)号：CN109930153A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910332935.2
申请日：2019-04-24
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
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公开(公告)号：CN107527973B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710704461.0
申请日：2017-08-16
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L33/005 , B25J15/0608 , H01L21/67709 , H01L33/0095 , H01L2224/95085
摘要： 本发明提供一种转移装置及微型发光二极管的转移方法。在所述微型发光二极管的转移过程时，通过控制磁流变液的状态实现所述微型发光二极管与转移头之间进行物理连接，从而增加所述微型发光二极管与所述转移头之间的作用力，进而防止所述微型发光二极管转移过程中的损坏，从而降低所述微型发光二极管的转移难度。并且，通过简单的电磁装置控制所述微型发光二极管与所述转移头的连接与分离，简化所述微型发光二极管的转移操作，提高所述微型发光二极管的转移效率。
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公开(公告)号：CN107807470A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710979211.8
申请日：2017-10-19
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 本发明提供了一种金属栅偏光片，包括偏光片本体、设于偏光片本体上的第一栅线以及第二栅线，所述第一栅线由多根平行设置的第一金属线构成，所述第一金属线分布于与像素色阻位置相对应处；所述第二栅线包括多根第二金属线，所述第二金属线相互交错设置形成网格状结构，所述第二金属线位于相邻像素色阻接合处，使每个像素色阻均与网格状结构的网格孔相对；所述第一金属线分别设于相邻两条第二金属线之间。本发明还提供了一种显示面板，包括彩色滤光片基板，还包括所述的金属栅偏光片。与现有技术相比，替代彩色滤光片基板的黑色矩阵，使得彩色滤光片基板的制作更简单，节省了制作成本。
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公开(公告)号：CN107527973A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710704461.0
申请日：2017-08-16
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01L33/005 , B25J15/0608 , H01L21/67709 , H01L33/0095 , H01L2224/95085
摘要： 本发明提供一种转移装置及微型发光二极管的转移方法。在所述微型发光二极管的转移过程时，通过控制磁流变液的状态实现所述微型发光二极管与转移头之间进行物理连接，从而增加所述微型发光二极管与所述转移头之间的作用力，进而防止所述微型发光二极管转移过程中的损坏，从而降低所述微型发光二极管的转移难度。并且，通过简单的电磁装置控制所述微型发光二极管与所述转移头的连接与分离，简化所述微型发光二极管的转移操作，提高所述微型发光二极管的转移效率。
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公开(公告)号：CN109234736A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811015118.6
申请日：2018-08-31
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
摘要： 本发明提供一种高寿命铜钼蚀刻液，包括：蚀刻液母液以及蚀刻液子液；所述蚀刻液母液的主要成分包括过氧化氢、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂以及pH调节剂，余量为去离子水；所述蚀刻液子液的主要成分包括溶解剂、所述有机酸、所述抑制剂以及所述稳定剂；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法，通过向一定铜离子浓度的蚀刻溶液中加入溶解剂、有机酸、抑制剂以及稳定剂的组合物，进一步延长了蚀刻液的使用寿命，更进一步提高了蚀刻品质的稳定性。
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公开(公告)号：CN109023370A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811003455.3
申请日：2018-08-30
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
摘要： 本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为3～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前进行紫外灯照射，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。
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公开(公告)号：CN108198773A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711488568.2
申请日：2017-12-29
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 赵芬利
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L33/00
摘要： 本发明提供了一种用于转移微发光二极管的转移头以及转移方法。所述转移头包括：抓取部，由记忆合金形成，包括指状部分；温度控制元件，被构造为连接到抓取部，且控制抓取部的温度。根据所要转移的微发光二极管，所述指状部分被构造为：在第一温度下舒展，足以与微发光二极管分离；在第二温度下收缩，足以抓取微发光二极管。
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