磁阻电机及磁阻电机的设计方法

    公开(公告)号:CN117811280B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410229892.6

    申请日:2024-02-29

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明涉及精密仪器技术领域,尤其涉及一种磁阻电机及磁阻电机的设计方法,磁阻电机包括基座、磁路组件和柔顺机构,柔顺机构包括移动件和两个弹性件,两个弹性件的一端分别与移动件沿其轴向上的两端连接,两个弹性件的另一端均固定于基座,两个弹性件可沿移动件的轴向方向形变,磁路组件包括动子、线圈、磁铁和磁轭,线圈缠绕于磁轭,磁轭围绕磁铁设置,动子的两端分别设置两个磁轭,移动件与动子连接。通过引入非线性的柔顺机构可补偿磁阻电机固有的非线性,从而使得系统开环稳定,提高系统线性度,从而提升运动精度。

    可变刚度的支撑系统及可变刚度的受拉系统

    公开(公告)号:CN118128849A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410333114.1

    申请日:2024-03-22

    申请人: 清华大学

    发明人: 张震 查锦萌

    IPC分类号: F16F1/46 F16F1/36 B33Y80/00

    摘要: 本发明涉及3D材料打印技术领域,尤其涉及一种可变刚度的支撑系统及可变刚度的受拉系统。该可变刚度的支撑系统及可变刚度的受拉系统,均包括:多个基板和多个弹性件等,其中一个弹性件存在力的极大值,从而实现多个弹性件在不同条件下的串、并联转换。本发明提供的一种可变刚度的支撑系统及可变刚度的受拉系统,通过上述的弹性件串、并联转换,支撑系统和受拉系统的结构整体可以表现出刚度硬化的特性,而且,在串、并联转换时,结构整体形变量会随着力的增加突然减小,表现出罕见的负压缩性或负拉伸性,具有广泛的应用前景。

    射线扫描成像方法及射线加工方法

    公开(公告)号:CN116105644A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310370155.3

    申请日:2023-04-10

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01B15/04

    摘要: 本发明提供一种射线扫描成像方法及射线加工方法。射线扫描成像方法包括:获取待扫描面上采样点的射线强度数据;获取射线到达采样点时射线偏转装置对应的偏转角度数据;记录待扫描面上采样点的位置数据对应的射线强度数据和射线偏转装置对应的偏转角度数据;将记录的采样点的位置数据和射线强度数据进行组合,得到待扫描面的图像。本发明提供的射线扫描成像方法,能够在不移动样品的情况下,扫描得到样品表面的光学形貌,分辨率、扫描成像范围自由灵活调整,为加工点对准、加工质量检测提供了可能。本发明提供的射线加工方法,提升了加工便利性的同时,还能够实现精确无误差的加工位置确定、加工起始点对准,提升加工精度。

    一种平顶光束调制方法、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN115826254B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310108381.4

    申请日:2023-02-14

    申请人: 清华大学

    发明人: 张震 杨伟 杨快

    IPC分类号: G02B27/09 H01S3/00 H01S5/00

    摘要: 本发明提供一种平顶光束调制方法、系统及存储介质,包括:激光扩束系统、光束能量调制系统和激光聚焦系统;所述激光扩束系统将入射激光光束束腰扩束至满足球面透镜像差调节的范围;所述光束能量调制系统通过球面透镜对入射光束能量重新分配,并通过不同焦距的球面透镜组合可实现由高斯光束能量分布向目标能量分布的调制;所述激光聚焦系统对调制后的准直光束进行聚焦,在聚焦区域可获得平顶光束。本发明解决了现有平顶光束调制质量差的问题。

    一种平顶光束调制方法、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN115826254A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202310108381.4

    申请日:2023-02-14

    申请人: 清华大学

    发明人: 张震 杨伟 杨快

    IPC分类号: G02B27/09 H01S3/00 H01S5/00

    摘要: 本发明提供一种平顶光束调制方法、系统及存储介质,包括:激光扩束系统、光束能量调制系统和激光聚焦系统;所述激光扩束系统将入射激光光束束腰扩束至满足球面透镜像差调节的范围;所述光束能量调制系统通过球面透镜对入射光束能量重新分配,并通过不同焦距的球面透镜组合可实现由高斯光束能量分布向目标能量分布的调制;所述激光聚焦系统对调制后的准直光束进行聚焦,在聚焦区域可获得平顶光束。本发明解决了现有平顶光束调制质量差的问题。

    一种SLM抛光一体化设备成型仓粉末精密去除方法及装置

    公开(公告)号:CN114473219A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210029713.5

    申请日:2022-01-12

    IPC分类号: B23K26/361 B23K26/70

    摘要: 本发明涉及一种SLM抛光一体化设备成型仓粉末精密去除方法及装置,属于激光增材制造领域。该装置包括基座、快速接头、吸粉歧管、吸粉罩、铺粉组件,可实现成型仓中的铺粉、吸粉操作。在SLM增材制造逐层成型加工过程中,当待抛光层的增材完成后,使用该装置可自动精密去除指定厚度的粉床中的粉末,使得已成型构件的待抛光区域暴露出粉床表面,进而可实现对暴露在外的构件表面高质量的激光抛光、修边扫描操作。本发明通过在传统SLM铺粉机构上增加真空吸粉装置,实现了对粉床中粉末的进行精密去除,使得已成型的待抛光零件暴露出粉床表面,克服了SLM增材抛光一体化加工过程中由于内腔表面被粉末覆盖导致的难以进行激光表面扫描抛光和内外轮廓修边等难题,实现了SLM增材抛光一体化构件加工过程中构件内腔表面的一体化高质量激光抛光。

    一种扫描电镜半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法

    公开(公告)号:CN112305001B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202011140872.X

    申请日:2020-10-22

    申请人: 清华大学

    发明人: 曲钧天 张震

    IPC分类号: G01N23/2251

    摘要: 本发明涉及一种单根半导体纳米线原位表征方法,尤其涉及一种在扫描电子显微镜中应用的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法。本发明方法在扫描电镜中的建立了单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统,可开展四种类型的半导体纳米线耦合特性原位表征:1)光电耦合特性原位表征,2)光机耦合特性原位表征,3)机电耦合特性原位表征,4)光机电耦合特性原位表征。本发明优点在于:在扫描电镜中一体化集成了半导体纳米线的光学、机械和电学表征器件,建立了高效的单根半导体纳米线光机电耦合特性原位表征系统,可以灵活适应不同类型的半导体纳米线耦合特性原位表征需求,操作简单、高效、应用范围广。

    一种硅片表面激光抛光的方法

    公开(公告)号:CN109693039B

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201811605960.5

    申请日:2018-12-27

    摘要: 本发明涉及一种硅片表面激光抛光的方法,属于半导体材料表面抛光技术领域。该方法首先将硅片进行超声清洗并使用冷风吹干。然后利用激光表面抛光技术,使用设定好的激光扫描工艺路径和激光加工参数对硅片表面进行扫描加工。加工完成后经超声清洗并使用冷风吹干,即得到高精密激光抛光表面。本发明制备方法工艺简单,效率高,灵活可控,具有很好的可重复性,易于实现工业化应用。

    基于时变内模的位置主元轮廓跟踪算法

    公开(公告)号:CN113050428A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110326351.1

    申请日:2021-03-26

    申请人: 清华大学

    发明人: 张震 曹越

    IPC分类号: G05B13/04

    摘要: 本发明公开了一种基于时变内模的位置主元轮廓跟踪算法,包括:基于链式法则构造位置主元框架;基于所述框架,利用一种新型算法将往复的轮廓参考信号转变为单调参考信号;基于所述框架和算法,结合单轴时变内模控制器,获得基于时变内模的位置主元轮廓跟踪控制器;以及基于所述控制器,实现对于双轴或多轴轮廓信号的高精度跟踪控制。本发明创造性地构建了轮廓参考信号的单调转变算法,从而实现时变内模与位置主元控制的结合,进一步提高了轮廓跟踪控制精度,具有重要的理论意义与实用价值。