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公开(公告)号：CN117727615A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311480511.3
申请日：2023-11-08
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明公开了一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法，包括：多晶SiC基底材料表面处理；将石墨烯层转移至多晶SiC基底材料表面，并退火处理，形成复合结构衬底；在原子层沉积设备中对复合结构衬底表面进行原位等离子处理，沉积AlN成核层，SiNx保护层；之后利用有机气相化学沉积设备加厚AlN层，并生长GaN基材料。本发明方法可获得与GaN基材料之间热膨胀系数失配较低的复合衬底，降低后续生长的GaN基薄膜的应力，同时规范衬底面内晶格排列，提升GaN基外延薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN117305979A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311309773.3
申请日：2023-10-10
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明提供一种基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：制备具有活性层的氧化铝衬底；键合预清洁的硅基衬底和该氧化铝衬底；剥离氧化铝活性层得到复合衬底；在该复合衬底上沉积二维材料得到基于氧化铝缓冲层的硅基单晶二维材料。通过该方法可以直接在硅基衬底上外延生长二维半导体材料，避免了二维半导体材料的转移过程，既降低了二维半导体材料的生产成本，又提高了其质量。
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公开(公告)号：CN117712148A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311570743.8
申请日：2023-11-21
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B25/04
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片及其制作方法，上述基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片包括衬底、成核层、二维材料掩膜层及氮化镓层；成核层设于衬底上；二维材料掩膜层设于成核层背离衬底的一侧；氮化镓层设于二维材料掩膜层的表面及间隙处。该外延片能够利用二维材料的优异性能实现柔性器件的制作及提高器件的散热性能，在Si基GaN外延片中，AlN作为缓冲层避免Ga与Si的直接接触，较低生长温度的AlN抑制了Al向Si衬底扩散形成p型导电沟道，降低了射频损耗；并且还作为成核层在后续外延GaN提供成核位点，决定了外延GaN薄膜的晶体质量；二维材料掩膜可起到阻挡位错的作用。
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公开(公告)号：CN115768230A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211433965.0
申请日：2022-11-16
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , C23C16/30 , C23C16/01
摘要： 本发明提供了一种异质结、其制备方法及应用，采用化学气相沉积方法与干法转移法相结合的路线，首先通过化学气相沉积方法直接两步生长得到MoS2/WS2混合层，再通过干法转移技术将其转移至h‑BN衬底表面形成异质结，或者先采用化学气相沉积分别生长MoS2和WS2，再利用干法转移技术，将MoS2层和WS2层分批次转移至h‑BN衬底表面形成异质结，得到的MoS2/WS2‑h‑BN异质结具有优异的热电性能，且该方法对化学气相沉积方法的控制要求并不是很严格，受外界环境的影响较小，具有稳定性好、可重复性强的优点，有利于大范围推广使用。
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