公开(公告)号：CN113903817B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。

公开(公告)号：CN113903817A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。