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公开(公告)号：CN114351122B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111527141.5
申请日：2021-12-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种用于异质结CVD设备的载板传输提升系统，包括腔体、喷淋板、载板、加热基板和传输装置，传输装置包括外轴动力、内轴动力和多对磁流体传输机构，磁流体传输机构包括磁流体、内轴、外轴、传输轴和翻转板，外轴套在内轴上且二者可相对转动，磁流体套在外轴上且二者可相对转动，翻转板与内轴固定连接，传输轴可转动的设在翻转板上，传输轴与外轴通过啮合件配合，外轴动力用于驱动外轴转动，内轴动力用于驱动内轴转动，传输轴和翻转板设于腔体内，载板置于各传输轴上。本发明利用同心双轴磁流体结构，同时驱动载板的传输和提升，既能使实现载板传输，又能使载板在镀膜时脱离传输轴并与加热基板接触，简化了结构，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN118281122A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211741001.2
申请日：2022-12-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L21/311 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，包括以下步骤：将硅片制绒后，在硅片背面沉积第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层，采用光刻法去除第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层上的部分区域并沉积第二i型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层；在硅片背面沉积氮化硅薄膜层并覆盖油墨层，用光刻法将需要腐蚀的p‑n分离区的油墨和氮化硅掩模去除，将油墨层清洗掉，用腐蚀液去除p‑n分离区内的n型非晶硅薄膜层和第二i型非晶硅薄膜层，实现pn结隔离。本发明的方法可快速简单地实现pn结隔离，并得到具有高钝化性能、高致密性、耐腐蚀性好、膜厚均匀可控的氮化硅掩模，使硅片少子寿命提升30％以上。
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公开(公告)号：CN116765047A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310595262.6
申请日：2023-05-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置，包括真空腔以及设于真空腔内的第一电极板和第二电极板，第一电极板和第二电极板之间形成用于放置石墨舟的放置空间，第一电极板和第二电极板用于在通电状态下电离两者之间的工艺气体，真空腔上设有进气口和出气口。本发明双电极板的设置方式可通过调节两个电极板的电压、电流和功率大小，最大限度地电离工艺气体，增强等离子体指向轰击石墨舟表面的能量及频次，有效提高刻蚀气体利用率和石墨舟的刻蚀清洗速率，进而缩短清洗时间，克服两个电极板之间的间距或真空腔体大小造成的局限，并且双电极板的设置使放电更均匀，覆盖面广，清洗均匀性更好。
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公开(公告)号：CN115354298A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210783572.6
申请日：2022-07-05
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/509 , B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种PECVD设备石墨舟清洗系统，包括真空腔室、放电单元和气体导入单元，所述气体导入单元与真空腔室相连通，用于向所述真空腔室内充入工艺气体，所述放电单元安装于所述真空腔室上，用于对工艺气体进行电离来产生等离子体。本发明具有成本低、占地面积小、环保且能提高石墨舟使用寿命等优点。
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公开(公告)号：CN113913791B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111152795.4
申请日：2021-09-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化
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公开(公告)号：CN117259339A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311180050.8
申请日：2023-09-12
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟刻蚀设备，包括：反应腔体、盖板、推舟机构、缓冲机构和偏压机构；推舟机构密封穿设在盖板上，推舟机构用于搭载石墨舟进出反应腔体，并搭载石墨舟在反应腔体内进行刻蚀清洗；推舟机构端部设有偏压机构，偏压机构用于施加偏压到石墨舟上；缓冲机构设置在盖板上，用于提供盖板与反应腔体接触后的缓冲。本发明中，搭载了石墨舟的推舟机构上施加有偏置电压，推舟机构推送石墨舟至反应腔体内部之后无需退出即可进行工艺，减少了推舟机构取放石墨舟的上升和下降动作，节约了设备节拍时间，提升了设备产能。同时能够有效压缩反应腔体的高度尺寸，降低了反应腔体的内空体积，进而减少了工艺时反应气体的用量，节约了设备运行成本。
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公开(公告)号：CN113913791A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111152795.4
申请日：2021-09-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。
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公开(公告)号：CN113903817B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111045200.5
申请日：2021-09-07
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。
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公开(公告)号：CN114622183A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452948.2
申请日：2020-12-11
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法，该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜，包括以下步骤：将衬底置于反应腔体内，抽真空，加热；将氧等离子体与硅源喷向衬底表面，在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅，得到氧化硅薄膜。本发明制备氧化硅薄膜的方法，能够制备得到致密性高、厚度均匀可控的氧化硅薄膜，可广泛应用于光伏、半导体等领域，同时还具有工艺简单、操作方便、沉积速率快等优点，适合于氧化硅薄膜的大规模制备，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN114351122A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111527141.5
申请日：2021-12-14
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种用于异质结CVD设备的载板传输提升系统，包括腔体、喷淋板、载板、加热基板和传输装置，传输装置包括外轴动力、内轴动力和多对磁流体传输机构，磁流体传输机构包括磁流体、内轴、外轴、传输轴和翻转板，外轴套在内轴上且二者可相对转动，磁流体套在外轴上且二者可相对转动，翻转板与内轴固定连接，传输轴可转动的设在翻转板上，传输轴与外轴通过啮合件配合，外轴动力用于驱动外轴转动，内轴动力用于驱动内轴转动，传输轴和翻转板设于腔体内，载板置于各传输轴上。本发明利用同心双轴磁流体结构，同时驱动载板的传输和提升，既能使实现载板传输，又能使载板在镀膜时脱离传输轴并与加热基板接触，简化了结构，降低了设备成本。
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