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公开(公告)号：CN113903817B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111045200.5
申请日：2021-09-07
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。
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公开(公告)号：CN113903817A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111045200.5
申请日：2021-09-07
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。
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公开(公告)号：CN118281122A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211741001.2
申请日：2022-12-30
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L21/311 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，包括以下步骤：将硅片制绒后，在硅片背面沉积第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层，采用光刻法去除第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层上的部分区域并沉积第二i型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层；在硅片背面沉积氮化硅薄膜层并覆盖油墨层，用光刻法将需要腐蚀的p‑n分离区的油墨和氮化硅掩模去除，将油墨层清洗掉，用腐蚀液去除p‑n分离区内的n型非晶硅薄膜层和第二i型非晶硅薄膜层，实现pn结隔离。本发明的方法可快速简单地实现pn结隔离，并得到具有高钝化性能、高致密性、耐腐蚀性好、膜厚均匀可控的氮化硅掩模，使硅片少子寿命提升30％以上。
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公开(公告)号：CN113913791B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111152795.4
申请日：2021-09-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化
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公开(公告)号：CN113913791A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111152795.4
申请日：2021-09-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , H01L21/02 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。
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公开(公告)号：CN114351114A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111678753.4
申请日：2021-12-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了高效太阳能电池用大产能炉管式ICP‑CVD装置，包括反应腔体、载板、电感线圈和加热炉管，多个载板在反应腔体内平行布置，两两之间相隔一定距离，载板两面均可装载工件；电感线圈套在反应腔体外部，与腔体同轴并与腔体之间有一定间隙；加热炉管套在电感线圈外，与电感线圈及反应腔体同轴。本发明电感线圈内通入高频电源，激发反应腔内气体形成等离子体。等离子体放电与载板形状、位置等因素无关，载板结构和布局不再受限制，可采用多个载板叠加，两个载板的间距可以做的很小。反应腔体及加热炉管可上下多层布局，向空中发展，使整个设备占地面积小，单位占地面积内的产能大；电感线圈位于反应腔体外不会出现电极引入处放电问题。
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公开(公告)号：CN217600837U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202123063687.8
申请日：2021-12-07
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/50 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种用于PECVD设备的硅片自定位镀膜载板，包括：载板本体，所述载板本体的内侧设有间隔筋，所述间隔筋的内侧设有硅片放置槽，所述间隔筋上均布有多个校正组件，多个所述校正组件均匀环绕在硅片放置槽四周，且校正组件的顶部呈圆弧状，所述校正组件用于辅助硅片在硅片放置槽内进行自动定位。本实用新型的硅片自定位镀膜载板具有结构紧凑、操作简单、自定位精度高且成本低廉等优点，极大地降低了自动化装载硅片设备的定位精度要求，同时也能避免了因载板运动过程中的抖动而导致硅片移出硅片放置槽范围。
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