公开(公告)号：CN113903817B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。

公开(公告)号：CN113903817A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。

公开(公告)号：CN113913791B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202111152795.4

申请日：2021-09-29

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  彭宜昌 ,  杨彬 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化

公开(公告)号：CN113913791A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111152795.4

申请日：2021-09-29

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  彭宜昌 ,  杨彬 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。