公开(公告)号：CN115679298A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110831159.8

申请日：2021-07-22

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈特超 ,  苏卫中 ,  唐电 ,  陈臻阳 ,  吴易龙 ,  赵忠

IPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于生长氧化铝/氧化硅和非晶硅薄膜的连续式生产设备，由平板式PEALD功能模块与射频/微波PECVD功能模块合并构成，该设备包括硅片传输机构和沿传输方向依次设置的上料腔、第一预热腔、原子层沉积工艺腔、第一缓存腔、过渡腔、第二预热腔、化学气相沉积工艺腔和下料腔，第二缓存腔、下料腔。相邻腔室之间均设有真空隔离阀，上料腔、第一预热腔、原子层沉积工艺腔、第一缓存腔构成平板式PEALD功能模块，过渡腔、第二预热腔、化学气相沉积工艺腔、第二缓存腔、下料腔构成PECVD功能模块。本发明将平板式PEALD功能模块和射频/微波PECVD功能模块二者合并在一台设备上、可以满足两种薄膜的生长要求。

公开(公告)号：CN113903817B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。

公开(公告)号：CN114622183A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011452948.2

申请日：2020-12-11

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨彬 ,  唐电 ,  吴易龙 ,  彭宜昌

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种制备氧化硅薄膜的方法，该方法是利用等离子体增强原子层沉积在衬底表面制备氧化硅薄膜，包括以下步骤：将衬底置于反应腔体内，抽真空，加热；将氧等离子体与硅源喷向衬底表面，在喷淋过程中氧等离子体与硅源在硅片表面发生反应生成氧化硅，得到氧化硅薄膜。本发明制备氧化硅薄膜的方法，能够制备得到致密性高、厚度均匀可控的氧化硅薄膜，可广泛应用于光伏、半导体等领域，同时还具有工艺简单、操作方便、沉积速率快等优点，适合于氧化硅薄膜的大规模制备，利于工业化应用。

公开(公告)号：CN114371741A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111519682.3

申请日：2021-12-13

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 吴易龙 ,  苏卫中 ,  李若儒 ,  李锦荣 ,  陈臻阳 ,  杨彬

IPC分类号： G05D16/20

摘要： 本发明公开了一种串联真空腔体内气流场的控制方法及系统，所述方法包括步骤：S01、预先将其中部分真空腔体的蝶阀设为主蝶阀，并设置为压力控制模式，其它真空腔体的蝶阀设为从蝶阀，并设置为位置控制模式；其中主蝶阀与从蝶阀相互对应；S02、获取主蝶阀对应的真空腔体内的压力，并根据压力调整所述主蝶阀的开度，进入压力控制模式；S03、获取所述主蝶阀的开度，根据所述主蝶阀的开度来实时调整对应各从蝶阀的开度，进入位置控制模式。本发明能够获得稳定均匀的气流场，而且操作简便且成本低。

公开(公告)号：CN113903817A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111045200.5

申请日：2021-09-07

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  张威 ,  杨斌 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E21atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。本发明制备方法，通过先在硅基体表面制备高掺杂浓度的硼硅玻璃薄膜，进而通过激光选择性掺杂和高温退火处理制备得到了性能更佳的晶硅太阳能电池选择性发射极，有利于显著提升晶硅太阳能电池的光电转换效率；同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。

公开(公告)号：CN118281122A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211741001.2

申请日：2022-12-30

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  彭宜昌 ,  吴易龙 ,  徐伟

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种掩模湿法腐蚀隔离HBC电池pn结的方法，包括以下步骤：将硅片制绒后，在硅片背面沉积第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层，采用光刻法去除第一i型非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层上的部分区域并沉积第二i型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层；在硅片背面沉积氮化硅薄膜层并覆盖油墨层，用光刻法将需要腐蚀的p‑n分离区的油墨和氮化硅掩模去除，将油墨层清洗掉，用腐蚀液去除p‑n分离区内的n型非晶硅薄膜层和第二i型非晶硅薄膜层，实现pn结隔离。本发明的方法可快速简单地实现pn结隔离，并得到具有高钝化性能、高致密性、耐腐蚀性好、膜厚均匀可控的氮化硅掩模，使硅片少子寿命提升30％以上。

公开(公告)号：CN113913791B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202111152795.4

申请日：2021-09-29

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  彭宜昌 ,  杨彬 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化

公开(公告)号：CN116770266A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310627699.3

申请日：2023-05-30

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 彭宜昌 ,  陈臻阳 ,  罗彩文 ,  吴易龙

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种异质结电池非晶硅薄膜的镀膜设备和镀膜方法，该镀膜设备包括腔盖、腔体和载板，腔盖与腔体密封连接形成腔体主体，腔盖上设有下沉式喷淋阴极板，下沉式喷淋阴极板位于所述腔体的内部，与进入到所述腔体内的所述载板相对设置，腔体内部还设有用于防止所述载板向下变形的支撑件。镀膜方法是采用上述的镀膜设备在硅片表面进行镀膜。本发明镀膜设备，具有结构简单、易于操作、产能高、镀膜均匀性好、镀膜稳定性好等优点，是一种产能高、镀膜质量好、镀膜工艺稳定性好的新型镀膜设备，可广泛用于异质结电池中非晶硅薄膜的制备，使用价值高，应用前景好，对于提高异质结太阳能电池的性能并促进异质结太阳能电池的广泛使用具有重要意义。

公开(公告)号：CN114371741B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202111519682.3

申请日：2021-12-13

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 吴易龙 ,  苏卫中 ,  李若儒 ,  李锦荣 ,  陈臻阳 ,  杨彬

IPC分类号： G05D16/20

摘要： 本发明公开了一种串联真空腔体内气流场的控制方法及系统，所述方法包括步骤：S01、预先将其中部分真空腔体的蝶阀设为主蝶阀，并设置为压力控制模式，其它真空腔体的蝶阀设为从蝶阀，并设置为位置控制模式；其中主蝶阀与从蝶阀相互对应；S02、获取主蝶阀对应的真空腔体内的压力，并根据压力调整所述主蝶阀的开度，进入压力控制模式；S03、获取所述主蝶阀的开度，根据所述主蝶阀的开度来实时调整对应各从蝶阀的开度，进入位置控制模式。本发明能够获得稳定均匀的气流场，而且操作简便且成本低。

公开(公告)号：CN113913791A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111152795.4

申请日：2021-09-29

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 许烁烁 ,  彭宜昌 ,  杨彬 ,  徐伟 ,  李涛 ,  吴易龙

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括：在低射频功率和低加热温度、高的射频功率和加热温度、更高射频频率的条件下，利用PECVD工艺依次在硅片表面沉积三层非晶硅薄膜。本发明多层非晶硅薄膜的制备方法，通过在硅片表面沉积功能不同的多层非晶硅薄膜，不仅能够减少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的损伤，有利于提高硅片的少子寿命以及电池的转化效率，而且能够显著提高非晶硅薄膜的沉积速率，减少镀膜时间，有利于提高设备产能，具有产能高、生产工序少、生产能耗低等优点，同时本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、易于控制等优点，能够直接利用现有设备进行制备，适合性强，便于工业化利用。