公开(公告)号：CN103594521A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210296012.4

申请日：2012-08-17

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 游家华 ,  张民杰 ,  张荣芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体元件，该半导体元件包括第一导电层、绝缘层、第二导电层、通道层、保护层及第三导电层。该绝缘层覆盖该第一导电层。该第二导电层形成在该绝缘层上且内部具有开口。该通道层形成在该第二导电层的该开口上并完全覆盖该开口。该保护层形成在该通道层上方且覆盖该通道层，并具有位于该第二导电层的该开口内的通孔。该第三导电层形成在该通孔内。

公开(公告)号：CN103730508B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210392837.6

申请日：2012-10-16

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 张荣芳 ,  张民杰 ,  赖瑞麒

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种垂直式薄膜晶体管结构，其包含有一基板、一源极电极、一绝缘层、一漏极电极、两个第一信道层、栅极绝缘层以及一栅极电极。源极电极、绝缘层以及漏极电极依序设置于基板上。第一信道层分别设置于漏极电极的两相对侧，并从漏极电极的上表面延伸至源极电极的上表面，且各第一信道层与源极电极以及漏极电极相接触。栅极绝缘层覆盖于源极电极、第一信道层以及漏极电极上。栅极电极设置于栅极绝缘层上，并覆盖第一信道层。借此，薄膜晶体管结构的大小可被缩小，且占像素结构大小的比例也随之下降。

公开(公告)号：CN103594521B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210296012.4

申请日：2012-08-17

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 游家华 ,  张民杰 ,  张荣芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体元件，该半导体元件包括第一导电层、绝缘层、第二导电层、通道层、保护层及第三导电层。该绝缘层覆盖该第一导电层。该第二导电层形成在该绝缘层上且内部具有开口。该通道层形成在该第二导电层的该开口上并完全覆盖该开口。该保护层形成在该通道层上方且覆盖该通道层，并具有位于该第二导电层的该开口内的通孔。该第三导电层形成在该通孔内。

公开(公告)号：CN103578984B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201210261610.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 张荣芳 ,  张民杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种半导体元件及其制作方法。半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN103730508A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210392837.6

申请日：2012-10-16

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 张荣芳 ,  张民杰 ,  赖瑞麒

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246

Abstract: 本发明公开了一种垂直式薄膜晶体管结构，其包含有一基板、一源极电极、一绝缘层、一漏极电极、两个第一信道层、栅极绝缘层以及一栅极电极。源极电极、绝缘层以及漏极电极依序设置于基板上。第一信道层分别设置于漏极电极的两相对侧，并从漏极电极的上表面延伸至源极电极的上表面，且各第一信道层与源极电极以及漏极电极相接触。栅极绝缘层覆盖于源极电极、第一信道层以及漏极电极上。栅极电极设置于栅极绝缘层上，并覆盖第一信道层。借此，薄膜晶体管结构的大小可被缩小，且占像素结构大小的比例也随之下降。

公开(公告)号：CN103578984A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210261610.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 张荣芳 ,  张民杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种半导体元件及其制作方法。半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN103472640A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210185419.X

申请日：2012-06-07

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 张荣芳 ,  张民杰 ,  陈柏孝

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明提出一种液晶显示面板及其制作方法。该液晶显示面板包含：一基板；一闸极金属层，形成于该基板上；一闸极绝缘层，形成于该闸极金属层上；一第一层，形成于该闸极绝缘层上，并具有一第一部分；以及一绝缘层，形成于该第一层上，并具有一第一边与一第二边，该第一边与该第二边形成一引洞以使该第一层的该第一部分外露，该第一边的延伸线与该第二边的延伸线于该第一部分上方相交于一点。