公开(公告)号：CN109148413A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810492650.0

申请日：2018-05-22

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 田中敬一郎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H03F3/04

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L28/10 ,  H03F1/565 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/04

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及放大电路，其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层，在多个布线层的每一层中，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周朝向外周一边沿着同一方向绕转一边延伸，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层以彼此相邻的方式配置。

公开(公告)号：CN107452708B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201710333168.8

申请日：2017-05-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 内田慎一 ,  田中敬一郎 ,  藏本贵文

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G01R22/10 ,  G01R15/18

摘要： 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。

公开(公告)号：CN107452708A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710333168.8

申请日：2017-05-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 内田慎一 ,  田中敬一郎 ,  藏本贵文

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G01R22/10 ,  G01R15/18

CPC分类号： H01L23/5227 ,  G01R15/18 ,  G01R15/181 ,  G01R19/0092 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/34 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/008 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/552 ,  H01L29/0649 ,  G01R22/10 ,  H01L21/76838

摘要： 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。

公开(公告)号：CN109148413B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201810492650.0

申请日：2018-05-22

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 田中敬一郎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H03F3/04

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及放大电路，其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层，在多个布线层的每一层中，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周朝向外周一边沿着同一方向绕转一边延伸，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层以彼此相邻的方式配置。