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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107690689B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
摘要： 本文提供离子植入系统以及原位等离子清洗方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
摘要： 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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