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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
摘要： 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN106575593A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043549.1
申请日：2015-06-11
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/061
摘要： 本发明公开了一种用于控制离子源的温度的装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个挡热板安置到腔室外部。挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/67
摘要： 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107851562B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201680039913.1
申请日：2016-07-06
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324
摘要： 本发明公开用于选择性处理工件的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。
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公开(公告)号：CN107690689B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
摘要： 本文提供离子植入系统以及原位等离子清洗方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN107408487B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
摘要： 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。本发明的等离子体处理设备允许多种多样的离子束角度并且因此允许多种多样的入射角度，且同时还能保持良好角展度。
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公开(公告)号：CN108604523A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/317
摘要： 一种装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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公开(公告)号：CN106575593B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580043549.1
申请日：2015-06-11
申请人： 瓦里安半导体设备公司
摘要： 本发明公开了一种用于控制离子源的温度的离子源温度控制装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个可移动挡热板安置到腔室外部。可移动挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些可移动挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些可移动挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，可移动挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
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公开(公告)号：CN106663582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044598.7
申请日：2015-08-19
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/30 , H01J37/317 , H05H5/06
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0815 , H05H5/063
摘要： 本发明揭示一种具有改进的性能的串列式加速器和离子植入机。所述串列式加速器包含多个输入电极、多个输出电极和安置在其间的高电压端子。高电压端子包含去除管。中性分子注射到去除管中，这从传入的负离子束移除电子。所得正离子朝向所述多个输出电极加速。为减小退出去除管的非所要正离子的量，偏置电极安置在去除管的入口和出口处。偏置电极以大于施加到端子的第一电压的第二电压偏置。偏置电极排斥缓慢移动的正离子，从而防止其退出去除管和污染工件。
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