公开(公告)号：CN111742389B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201980013814.X

申请日：2019-01-22

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 常胜武 ,  法兰克·辛克莱 ,  亚历山大·利坎斯奇 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

摘要： 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束

公开(公告)号：CN111742388A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980013322.0

申请日：2019-01-22

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 常胜武 ,  法兰克·辛克莱 ,  亚历山大·利坎斯奇 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  罗伯特·C·林德柏格

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

摘要： 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。

公开(公告)号：CN111742389A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980013814.X

申请日：2019-01-22

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 常胜武 ,  法兰克·辛克莱 ,  亚历山大·利坎斯奇 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

摘要： 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。

公开(公告)号：CN105765693B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201480064208.8

申请日：2014-10-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 肯尼士·H·波什 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  法兰克·辛克莱 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/30483

摘要： 本发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。

公开(公告)号：CN103688334B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180063161.X

申请日：2011-12-12

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 史费特那·瑞都凡诺 ,  彼德·L·凯勒曼 ,  法兰克·辛克莱 ,  罗伯特·C·林德柏格

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/15 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/15 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/121 ,  H01J2237/151

摘要： 一种在静电透镜(700)中控制带电粒子束偏向的方法，包括建立对称静电透镜组态，所述组态包括在对称于中央射线轨迹(702)的未调整位置(L1)上配置多个电极(714,716)，所述多个电极被施加一组未调整电压，以产生相对对称于中央射线轨迹的场。对应于未调整电压的对称电场被计算。多个下部电极(716)被安排至不对称于中央射线轨迹的调整位置(L2)上。一组调整电压由下部电极得到。其中，所述的一组调整电压在对称电场的各自调整位置上具有一组各自相应的电位。当带电粒子通过时，此组调整电压被施加被于不对称的透镜组态。

公开(公告)号：CN105793954A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064880.7

申请日：2014-10-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 肯尼士·H·波什 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  法兰克·辛克莱 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/1475 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30472

摘要： 用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。

公开(公告)号：CN111742388B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201980013322.0

申请日：2019-01-22

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 常胜武 ,  法兰克·辛克莱 ,  亚历山大·利坎斯奇 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  罗伯特·C·林德柏格

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

摘要： 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。

公开(公告)号：CN105765693A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064208.8

申请日：2014-10-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 肯尼士·H·波什 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  法兰克·辛克莱 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/30483

摘要： 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。

公开(公告)号：CN103688334A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201180063161.X

申请日：2011-12-12

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 史费特那·瑞都凡诺 ,  彼德·L·凯勒曼 ,  法兰克·辛克莱 ,  罗伯特·C·林德柏格

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/15 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/15 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/121 ,  H01J2237/151

摘要： 一种在静电透镜(700)中控制带电粒子束偏向的方法，包括建立对称静电透镜组态，所述组态包括在对称于中央射线轨迹(702)的未调整位置(L1)上配置多个电极(714,716)，所述多个电极被施加一组未调整电压，以产生相对对称于中央射线轨迹的场。对应于未调整电压的对称电场被计算。多个下部电极(716)被安排至不对称于中央射线轨迹的调整位置(L2)上。一组调整电压由下部电极得到。其中，所述的一组调整电压在对称电场的各自调整位置上具有一组各自相应的电位。当带电粒子通过时，此组调整电压被施加被于不对称的透镜组态。

公开(公告)号：CN101322217B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680045586.7

申请日：2006-11-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 史费特那·B·瑞都凡诺 ,  彼德·L·凯勒曼 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  罗伯特·C·林德柏格 ,  肯尼士·H·波什 ,  泰勒·B·洛克威尔 ,  詹姆士·史帝夫·贝福 ,  安东尼·雷诺

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

摘要： 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。