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公开(公告)号：CN116097403B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202180058348.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 岭南大学校产学协力团 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及利用钌前驱体形成钌薄膜的钌薄膜形成方法，包括以下阶段：以具有由下述化学式1表示的结构的三羰基(η4‑亚甲基‑1,3‑丙二基)钌(Tricarbonyl(η4‑methylene‑1,3‑propanediyl)Ruthenium((CO)3Ru‑TMM))作为钌前驱体，利用该钌前驱体和反应气体，通过原子层蒸镀法在200～350℃范围的温度下形成钌薄膜。作为反应气体，优选应用选自由氧气、氢气、水、氨气组成的组中的一者以上。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119256113A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380041969.0
申请日：2023-06-05
Applicant: 岭南大学校产学协力团 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/16 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及利用使有机钌化合物与反应气体在基板上反应而使钌薄膜或钌化合物薄膜成膜的化学蒸镀法的钌薄膜或钌化合物薄膜的制造方法。本发明的化学蒸镀法由应用非氧化性气体作为反应气体的第1成膜工序、和在通过第1成膜工序成膜后将氧化性气体作为反应气体而成膜的第2成膜工序构成。而且，作为成为前驱体的有机钌化合物，应用含有羰基配体的预定的有机钌化合物α、β、γ中的任一者。根据本发明的化学蒸镀法，能够在抑制基板的氧化的同时有效地使高品质的钌薄膜成膜。
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公开(公告)号：CN115003855B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202180011325.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及化学蒸镀法用的有机钌化合物原料。有机钌化合物是三亚甲基甲烷系配体(L1)、2个羰基配体以及配体X与2价的钌配位而得的由下述化学式1的式子表示。在化学式1中，三亚甲基甲烷系配体(L1)由下述化学式2的式子表示。另外，配体X为异氰配体、吡啶配体、胺配体、咪唑配体、哒嗪配体、嘧啶配体、吡嗪配体中的任一者，[化学式1]RuL1(CO)2X[化学式2]#imgabs0#在上式中，配体L1的取代基R为氢、或者预定的碳原子数的烷基、环状烷基、烯基、炔基、氨基中的任一者。
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公开(公告)号：CN115003855A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180011325.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C07F15/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及化学蒸镀法用的有机钌化合物原料。有机钌化合物是三亚甲基甲烷系配体(L1)、2个羰基配体以及配体X与2价的钌配位而得的由下述化学式1的式子表示。在化学式1中，三亚甲基甲烷系配体(L1)由下述化学式2的式子表示。另外，配体X为异氰配体、吡啶配体、胺配体、咪唑配体、哒嗪配体、嘧啶配体、吡嗪配体中的任一者，[化学式1]RuL1(CO)2X[化学式2]在上式中，配体L1的取代基R为氢、或者预定的碳原子数的烷基、环状烷基、烯基、炔基、氨基中的任一者。
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公开(公告)号：CN116097403A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180058348.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 岭南大学校产学协力团 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明涉及利用钌前驱体形成钌薄膜的钌薄膜形成方法，包括以下阶段：以具有由下述化学式1表示的结构的三羰基(η4‑亚甲基‑1,3‑丙二基)钌(Tricarbonyl(η4‑methylene‑1,3‑propanediyl)Ruthenium((CO)3Ru‑TMM))作为钌前驱体，利用该钌前驱体和反应气体，通过原子层蒸镀法在200～350℃范围的温度下形成钌薄膜。作为反应气体，优选应用选自由氧气、氢气、水、氨气组成的组中的一者以上。
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