公开(公告)号：CN112234036A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010953459.9

申请日：2020-09-11

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王斌 ,  罗昭 ,  陈睿 ,  蔺孝堃 ,  杨浩森 ,  张飞翔 ,  胡辉勇

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/04

摘要： 本发明涉及一种嵌入式制冷热管的LTCC封装微系统及其制备方法，该LTCC封装微系统包括LTCC基板、若干热管、半导体制冷片、热源芯片、封装部分，LTCC基板上设置有半通凹槽；若干热管并列设置在半通凹槽的底部，每个热管均延伸出半通凹槽以与外部冷却装置连接；半导体制冷片设置在半通凹槽的顶部，其散热端与若干热管的表面贴合；热源芯片横跨半通凹槽且设置在半导体制冷片的制冷端一侧；封装部分覆盖在LTCC基板的设置有半通凹槽的一侧，形成密闭腔体。该LTCC封装微系统中用嵌入在LTCC基板中的半导体制冷片和若干热管对微系统内的热源芯片进行制冷散热，克服了LTCC封装技术散热能力差的问题，实现对LTCC电路系统热源芯片的高效率制冷。

公开(公告)号：CN104035479B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410300317.7

申请日：2014-06-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 罗萍 ,  王东俊 ,  孙建勇 ,  白春蕾 ,  廖鹏飞 ,  包毅 ,  张翔 ,  张飞翔

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本发明涉及电子电路技术领域，具体的说是涉及一种高电源抑制比低噪声的电压基准源。本发明高电源抑制比低噪声的电压基准源通过基准电压产生电路中两个不同发射极面积的三极管产生的发射极和基极的电压差(△Vbe)施加在电阻R1上产生的PTAT电流，该电流通过电阻R2和R3形成基准电压。基准产生电路中的运放OP输出端V1连接共源共栅电流镜结构的偏置电路，运放的正负输入端分别连接在三极管Q1和Q2的两条支路，电流镜像电路以及基准电压产生电路构成环路，提高了整体电路的电源抑制比，同时通过基准电压输出电路对基准电压的波动做进一步的滤波处理，再一次改善了电路的电源抑制比。本发明尤其适用于电压基准源。

公开(公告)号：CN103594468A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310633691.4

申请日：2013-11-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 张有润 ,  董梁 ,  孙成春 ,  张飞翔 ,  刘影 ,  张明 ,  高向东 ,  张波

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/103

摘要： 本发明涉及电子元器件技术，具体的说是涉及一种快速光电探测器。本发明所述的快速光电探测器，包括相连接的光电二极管和放大电路，所述光电二极管包括N+衬底101、N-外延层102、阳极金属电极105和阴极金属电极106，所述N-外延层102设在N+衬底101的上端面，所述N-外延层102中设有P+注入区103，所述P+注入区103的上端面设有抗反射膜104和阳极金属电极105，所述放大电路由多个NMOS管108和PMOS管109组成，其特征在于，所述光电二极管与放大电路之间设置有遮光层，所述遮光层用于对非光敏区进行光屏蔽。本发明的有益效果为从根本上消除了慢光生载流子的产生条件，从而大大提升了光电探测器的响应速度。本发明尤其适用于光电探测器。

公开(公告)号：CN103401548A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310322828.4

申请日：2013-07-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 张有润 ,  张飞翔 ,  刘影 ,  吴浩然 ,  张波

IPC分类号： H03K17/785 ,  H01L27/142

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光MOS固体继电器。该光MOS固体继电器包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件，所述光电池阵列由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成，所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列，所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底的一个V型槽内，所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽之间的衬底上。该光MOS固体继电器通过对光电池阵列进行重新设计，在V型槽之间的间隔制作多晶硅光伏电池，充分利用了版图空间，提高了集成度，而且集成功率器件的光MOS固体继电器减小了封装的难度和寄生效应，有效地提高了继电器的可靠性，适合在电力电子技术领域推广应用。

公开(公告)号：CN103647519B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310692475.7

申请日：2013-12-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 甄少伟 ,  张飞翔 ,  万霄鹏 ,  王骥 ,  杨东杰 ,  罗萍 ,  张波

IPC分类号： H03F3/45 ,  H03F1/38

摘要： 本发明涉及模拟集成电路技术，具体的说是涉及一种摆率增强的运算放大器的输入级。本发明的一种运算放大器的输入级，其特征在于，包括第一PMOS管M1L、第二PMOS管M2L、第三PMOS管M3L、第四PMOS管M1R、第五PMOS管M2R、第六PMOS管M3R、第一NMOS管M4L、第二NMOS管M5L、第三NMOS管M4R、第四NMOS管M4R、第一偏置电流源Ibias1和第二偏置电流源Ibias2。本发明的有益效果为，结构简单，静态功耗小，大信号瞬态电流较大，可在相同静态电流下得到较高的摆率，并能很好地解决运算放大器中功耗与电路动态特性之间的矛盾。本发明尤其适用于运算放大器的输入级。

公开(公告)号：CN103579109B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310534726.9

申请日：2013-11-01

申请人： 电子科技大学

发明人： 张有润 ,  董梁 ,  刘影 ,  张飞翔 ,  孙成春 ,  张波

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器件，所述光电器件为采用纵向结构，电子器件采用SOI工艺。本发明的有益效果为使得光电二极管和集成电路模块集成于同一块芯片上，有效地减少了封装难度和成本，降低了寄生效应，提高了可靠性。本发明尤其适用于光电集成电路的制造。

公开(公告)号：CN103645771A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310693051.2

申请日：2013-12-17

申请人： 电子科技大学

发明人： 甄少伟 ,  万宵鹏 ,  张飞翔 ,  杨东杰 ,  王骥 ,  罗萍 ,  张波

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种具有较大驱动能力的电流镜。本发明的一种电流镜，包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其特征在于，还包括第一电阻R1、第二电阻R2和偏置电流源Ibias，所述第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端连接电流镜的第一输入端，所述第二NMOS管M2的漏极连接电流镜的第二输入端；第一电阻R1的另一端与第一NMOS管M1的漏极和栅极连接，第二电阻R2的另一端与第二NMOS管M2的栅极和偏置电流源Ibias正输入端连接；第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极和偏置电流源Ibias的负极均接地。本发明的有益效果为，与普通电流镜在相同的静态电流条件下相比，可以获得更大的动态输出电流，驱动能力更强。本发明尤其适用于电流镜。

公开(公告)号：CN112234036B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202010953459.9

申请日：2020-09-11

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王斌 ,  罗昭 ,  陈睿 ,  蔺孝堃 ,  杨浩森 ,  张飞翔 ,  胡辉勇

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/04

摘要： 本发明涉及一种嵌入式制冷热管的LTCC封装微系统及其制备方法，该LTCC封装微系统包括LTCC基板、若干热管、半导体制冷片、热源芯片、封装部分，LTCC基板上设置有半通凹槽；若干热管并列设置在半通凹槽的底部，每个热管均延伸出半通凹槽以与外部冷却装置连接；半导体制冷片设置在半通凹槽的顶部，其散热端与若干热管的表面贴合；热源芯片横跨半通凹槽且设置在半导体制冷片的制冷端一侧；封装部分覆盖在LTCC基板的设置有半通凹槽的一侧，形成密闭腔体。该LTCC封装微系统中用嵌入在LTCC基板中的半导体制冷片和若干热管对微系统内的热源芯片进行制冷散热，克服了LTCC封装技术散热能力差的问题，实现对LTCC电路系统热源芯片的高效率制冷。

公开(公告)号：CN113964180A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111034312.0

申请日：2021-09-03

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 何艳静 ,  张飞翔 ,  江希 ,  袁嵩 ,  弓小武

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种具有低损耗性能的超结IGBT器件，所述器件包括：集电极、P集电极区、N‑buffer区、N‑pillar区、P‑pillar区、栅氧化层、N‑base区、P注入区、第一栅极、第二栅极、N+注入区、源极金属、P+注入区和P‑base区。本发明通过在器件的第二栅极的氧化层中注入带负电离子，能够与P‑pillar区、N‑base区、P注入区形成一个耗尽型的P沟道MOS管，这个MOS管能够作为器件存储空穴的开关，当IGBT导通时，MOS管关闭然后存储空穴，从而提高电导调制效果，降低器件导通电阻，降低导通功耗；当IGBT关闭时，MOS管开启释放空穴，提供一个低电阻的通道并加速空穴流出，提升了开关速度并减小了开关损耗。

公开(公告)号：CN113764511A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110875708.1

申请日：2021-07-30

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 何艳静 ,  张飞翔 ,  袁嵩 ,  弓小武

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中，且左右相对；P‑沟槽区位于P‑掺杂区上，且位于空穴阻挡层的两侧，第一栅极和源极之间，并与P‑掺杂区接触；还包括：在N‑漂移区下表面自上而下排布的N‑缓冲区、P+集电区、集电极以及第二栅极，第二栅极，位于N‑漂移区的下表面，且位于N‑缓冲区的两侧。本发明的方案，一方面在提高电导调制效果降低导通功耗的同时也有效提高了器件阻断能力；另一方面增加动态载流子通道能够降低关断时间和关断功耗，并使器件拥有一定的方向阻断能力。