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公开(公告)号:CN113078204A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110317473.4
申请日:2021-03-25
申请人: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域,具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结,并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量,改变原有电场方向,使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解,电场强度明显降低;同时,利用该p‑n结耗尽二维电子气,降低了器件漏电流,提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式,利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号:CN113078204B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202110317473.4
申请日:2021-03-25
申请人: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要: 本发明涉及半导体器件技术领域,具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结,并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量,改变原有电场方向,使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解,电场强度明显降低;同时,利用该p‑n结耗尽二维电子气,降低了器件漏电流,提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式,利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号:CN116405591A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310285909.5
申请日:2023-03-22
申请人: 桂林电子科技大学
IPC分类号: H04M1/72436 , H04M1/72454
摘要: 本发明属于通信领域,公开了一种通讯信息的显示交互方法及装置,包括:在第一终端上预先设置多种通讯信息的情景模式,并在所述第一终端接收到通讯信息后根据所述通讯信息的内容判断是否与设定的预设情景模式匹配;并对通讯信息进行存储;如判断所述通讯信息与设定的预设情景模式匹配,将所述通讯信息发送至第二终端;本发明通过第二终端显示通讯信息的内容,并且实现基于通讯信息的交互,方便使用者查看通讯信息以及通过第二终端实现各种应用。
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公开(公告)号:CN111370470B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202010169775.7
申请日:2020-03-12
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要: 本发明设计涉及半导体器件技术领域,具体为一种氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管以及其制造方法。本发明采用了利用平面二位电子平面道以及准垂直U形氮化镓体材料沟道结合成的混合沟道技术,分别利用二维电子气的快速开关特性以及氮化镓体材料的大电流特性提升器件的导通特性;同时在异质外延氮化镓衬底上,通过引入P型氮化镓调制区实现对器件关断状态下的耗尽耐压与电场调制,提升器件击穿电压。本发明充分利用了氮化镓材料的体材料特性与由III‑V族半导体材料极化效应所产生二维电子气的优越性提升了氮化镓器件的导通性能,为实现大电流、耐高压以及快速开关特性的氮化镓功率场效应管器件提供了出色的解决方案。
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公开(公告)号:CN111370470A
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN202010169775.7
申请日:2020-03-12
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
摘要: 本发明设计涉及半导体器件技术领域,具体为一种氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管以及其制造方法。本发明采用了利用平面二位电子平面道以及准垂直U形氮化镓体材料沟道结合成的混合沟道技术,分别利用二维电子气的快速开关特性以及氮化镓体材料的大电流特性提升器件的导通特性;同时在异质外延氮化镓衬底上,通过引入P型氮化镓调制区实现对器件关断状态下的耗尽耐压与电场调制,提升器件击穿电压。本发明充分利用了氮化镓材料的体材料特性与由III-V族半导体材料极化效应所产生二维电子气的优越性提升了氮化镓器件的导通性能,为实现大电流、耐高压以及快速开关特性的氮化镓功率场效应管器件提供了出色的解决方案。
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公开(公告)号:CN109101751A
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201811000960.2
申请日:2018-08-30
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06F17/50
摘要: 本发明公开了一种基于信息融合的动量轮可靠性评估方法。本发明通过分析性能参数受外界环境影响的大小,选取受外界环境影响较小的润滑系统的剩余油量作为关键性能指标,通过退化数据分析建立合适的退化模型,根据退化模型的性质构建联合似然函数,从而成功地将性能退化数据信息和少量的样本寿命信息融合,运用极大似然估计法完成退化模型中的参数估计,最后在融合信息的基础上完成对动量轮的可靠性评估。本发明在对动量轮的可靠性评估中充分利用了多源信息,提高了评估结果的稳健性。
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公开(公告)号:CN116824214A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310560481.0
申请日:2023-05-17
申请人: 西安电子科技大学
IPC分类号: G06V10/764 , G06V10/774 , G06T3/40 , G06N3/0455 , G06N3/09
摘要: 本发明公开了一种基于概念协作网络的组合零样本学习方法及其装置,包括:获取待测原始图像;使用训练好的概念协作网络的特征提取器对待测原始图像进行处理,得到特征;使用训练好的概念协作网络的状态编码器对待测原始图像的特征进行处理,得到状态特征;使用训练好的概念协作网络的对象编码器对待测原始图像的特征进行处理,得到对象特征;使用训练好的概念协作网络的概念交互模块对特征、状态特征和对象特征进行处理;将待测原始图像的特征的自注意力特征、状态特征的自注意力特征和对象特征的自注意力特征进行拼接;使用训练好的概念协作网络的学习模块对拼接的组合特征进行学习,得到待测原始图像的分类结果。本发明能够增强识别性能。
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公开(公告)号:CN109117577A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201811001135.4
申请日:2018-08-30
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06F17/50
摘要: 本发明公开了一种脉冲电源系统可靠性预计方法,包括以下步骤:S1、统计脉冲电源系统的故障数据,确定电源脉冲系统在寿命周期内经历的任务剖面;S2、确定每个任务剖面对应的环境载荷面,在相应的环境载荷面下选用合适的故障物理模型;S3、根据故障数据和选用的故障物理模型,计算脉冲电源系统的失效率,进而对脉冲电源系统进行可靠性预计。本发明克服了传统可靠性预计方法在分析大型、复杂、动态的电源系统时计算效率低、计算数据误差大以及表述复杂等问题。
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公开(公告)号:CN109117577B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201811001135.4
申请日:2018-08-30
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06F30/23 , G06F119/04
摘要: 本发明公开了一种脉冲电源系统可靠性预计方法,包括以下步骤:S1、统计脉冲电源系统的故障数据,确定电源脉冲系统在寿命周期内经历的任务剖面;S2、确定每个任务剖面对应的环境载荷面,在相应的环境载荷面下选用合适的故障物理模型;S3、根据故障数据和选用的故障物理模型,计算脉冲电源系统的失效率,进而对脉冲电源系统进行可靠性预计。本发明克服了传统可靠性预计方法在分析大型、复杂、动态的电源系统时计算效率低、计算数据误差大以及表述复杂等问题。
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公开(公告)号:CN109033710B
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201811003049.7
申请日:2018-08-30
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06F30/20
摘要: 本发明公开了一种基于多性能退化的动量轮可靠性评估方法,以性能退化为切入点,着重考虑基于随机过程的多种退化过程并存的情况,建立基于Copula函数的多退化模型;对影响动量轮可靠度的各种关键因素进行分析,从中选取润滑剂剩余量及轴系电流作为性能退化分析过程中的退化量;建立不同退化量下的单退化随机过程模型,并根据退化模型,得到失效分布函数形式;同时根据极大似然估计法来估计退化模型当中的未知参数,得到动量轮可靠度的单性能退化模型;最后基于Copula函数的原理,将单性能退化模型作为边缘分布函数,计算得到动量轮可靠度的联合分布函数,完成基于多性能退化的动量轮可靠性评估过程。
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