公开(公告)号：CN106405883A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610223408.4

申请日：2016-04-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  殷亮 ,  刘朝阳 ,  李加洋 ,  沈雁飞 ,  文天龙 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: G02F1/015

CPC classification number: G02F1/015 ,  G02F2203/13

Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，具体涉及一种基于高电子迁移率晶体管的频点可调太赫兹波调制器，包括从下往上依次层叠的蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层，以及设置于AlGaN势垒层上的欧姆金属层和肖特基金属层，所述欧姆金属层、肖特基金属层上覆盖隔离介质层，超颖材料层设置于隔离介质层上表面，超颖材料层由若干个金属人工结构单元周期性排列构成，所述金属人工结构单元呈上、下两个“工”字型，且沿欧姆金属层呈轴对称分布，其中任一工”字型的长边连接源漏电极，另一“工”字型的长边作为太赫兹波调制器频点调谐边。本发明能够实现太赫兹波调制器在特定频段内调制频点可调，使该调制器能够适用于各频点太赫兹无线通信系统等应用中。

公开(公告)号：CN105892103A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610223600.3

申请日：2016-04-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  沈雁飞 ,  刘朝阳 ,  李加洋 ,  殷亮 ,  刘洋 ,  涂翔宇 ,  文天龙 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: G02F1/015 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/762

CPC classification number: G02F1/015 ,  G02F2203/13 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极?双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。

公开(公告)号：CN105892103B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610223600.3

申请日：2016-04-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  沈雁飞 ,  刘朝阳 ,  李加洋 ,  殷亮 ,  刘洋 ,  涂翔宇 ,  文天龙 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: G02F1/015 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。

公开(公告)号：CN105824138B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201610228317.X

申请日：2016-04-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  李加洋 ,  沈雁飞 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武 ,  殷亮 ,  刘朝阳

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2‑2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。

公开(公告)号：CN105824138A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610228317.X

申请日：2016-04-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  李加洋 ,  沈雁飞 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武 ,  殷亮 ,  刘朝阳

IPC: G02F1/01

CPC classification number: G02F1/0126 ,  G02F2203/13

Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2?2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。