公开(公告)号：CN104538374A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008568.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  李健儿 ,  廖智 ,  黄平 ,  陈勇 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  夏建新

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供了一种芯片尺寸封装的PIN二极管及其制作方法，其中PIN二极管的制作方法为：（一）PIN二极管芯片制作；（二）将步骤（一）中制成的含多个PIN二极管晶圆进行一体化封装钝化；（三）分割包装：将步骤（二）中封装钝化好的含有多个PIN二极管的晶圆进行切割，形成芯片尺寸封装的单个PIN二极管。本发明在现有的PIN二极管工艺生产线上实现多层金属化工艺以及光敏聚酰亚胺封装工艺的整合，实现芯片尺寸小、硅片利用率高、性能良好的芯片尺寸封装PIN二极管的制造，能广泛运用于手机通讯、平板电脑、蓝牙通讯天线的发送和接收开关电路等领域中。本发明适用于制作芯片式封装的PIN二极管。

公开(公告)号：CN104538315A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008299.X

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川洪芯微科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  冯春阳 ,  廖智 ,  夏建新 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。

公开(公告)号：CN104538315B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510008299.X

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川洪芯微科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  冯春阳 ,  廖智 ,  夏建新 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC分类号： H01L21/50

摘要： 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。

公开(公告)号：CN104617094B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510008849.8

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 廖智 ,  赵建明 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  王威 ,  胡兴微 ,  徐彭飞 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N‑外延层、二氧化硅层，所述N‑外延层顶端设有两个对称的、贯通二氧化硅层的P+有源区，所述每个P+有源区的外围设有保护环，在所述保护环的外围还设有场限环，P+型有源区通过接触孔引出两个金属电极，并在接触孔四周的二氧化硅层上设有金属场板。本发明采用两个背靠背二极管结构的双端集成器件作为高压ESD保护器件，具有结构简单、成本低、耐压性高等优点。本发明适用于高电压下对器件的ESD/ESO的保护。

公开(公告)号：CN104617094A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510008849.8

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 廖智 ,  赵建明 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  王威 ,  胡兴微 ,  徐彭飞 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N-外延层、二氧化硅层，所述N-外延层顶端设有两个对称的、贯通二氧化硅层的P+有源区，所述每个P+有源区的外围设有保护环，在所述保护环的外围还设有场限环，P+型有源区通过接触孔引出两个金属电极，并在接触孔四周的二氧化硅层上设有金属场板。本发明采用两个背靠背二极管结构的双端集成器件作为高压ESD保护器件，具有结构简单、成本低、耐压性高等优点。本发明适用于高电压下对器件的ESD/ESO的保护。

公开(公告)号：CN104505390B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510008547.0

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n‑外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。

公开(公告)号：CN104538395B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN104538395A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008374.2

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃 ,  陈勇 ,  夏建新

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n-外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。

公开(公告)号：CN104505390A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201510008547.0

申请日：2015-01-08

申请人： 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  上海朕芯微电子科技有限公司

发明人： 赵建明 ,  徐开凯 ,  廖智 ,  黄平 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n-外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。

公开(公告)号：CN104141898A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410294645.0

申请日：2014-06-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 赵建明 ,  徐彭飞 ,  杨萍 ,  廖智 ,  胡兴微 ,  李建黎 ,  周伟 ,  蒋玉东

IPC分类号： F21S2/00 ,  F21V21/00 ,  F21V5/08 ,  F21V19/00 ,  F21Y101/02

摘要： 本发明公开了一种高亮度光纤直接耦合LED冷光源，包括用于发光的LED发光机构、涂有光转换物质的透光层，所述LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明采用光纤耦合的方式把LED发光机构中LED晶片发出的光经光纤传导至另一端透过透光层后发出高亮度的冷光，实现了LED晶片与荧光粉的隔离，避免传统一体化的LED因高温导致LED光衰、发光效率低、寿命缩短的缺点，同时能够得到不同颜色、不同出射角度的高亮度LED冷光源。本发明使用寿命长、体积小、结构简单，能够根据不同需求出射不同形式、不同颜色的光，满足各个照明领域的需求。本发明适用于作医疗器械照明、汽车照明等照明领域以及投影机光源。