-
公开(公告)号:CN100533849C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200580040258.3
申请日:2005-11-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01M14/00
CPC classification number: H01M10/465 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及一种包括电化学能源的能量系统,其中所述电化学能源包括第一电极、第二电极、以及中间固态电解质中的至少一个组件,其中中间固态电解质将所述第一电极和所述第二电极分开。本发明还涉及设有这种能量系统的电子模块。本发明还涉及设有这种能量系统的电子器件。而且,本发明涉及这种能量系统的制造方法。
-
公开(公告)号:CN100533838C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200680006624.8
申请日:2006-02-17
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01M6/40 , H01M2/10 , H01M2/1022 , H01M4/60 , H01M10/052 , H01M10/0562 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明涉及一种电化学能源的制造方法,其包括如下步骤:提供至少部分由导电衬底形成的第一电极,在衬底上沉积锂离子固态电解质;并在衬底上沉积第二电极。从双金属醇锂前体获得锂离子固态电解质层。此外,还公开了一种电化学能源以及设有这种电化学能源的电子器件。
-
公开(公告)号:CN101065877A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200580040258.3
申请日:2005-11-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01M14/00
CPC classification number: H01M10/465 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及一种包括电化学能源的能量系统,其中所述电化学能源包括第一电极、第二电极、以及中间固态电解质中的至少一个组件,其中中间固态电解质将所述第一电极和所述第二电极分开。本发明还涉及设有这种能量系统的电子模块。本发明还涉及设有这种能量系统的电子器件。而且,本发明涉及这种能量系统的制造方法。
-
公开(公告)号:CN101133512A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200680006624.8
申请日:2006-02-17
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01M6/40 , H01M2/10 , H01M2/1022 , H01M4/60 , H01M10/052 , H01M10/0562 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明涉及一种电化学能源的制造方法,其包括如下步骤:提供至少部分由导电衬底形成的第一电极,在衬底上沉积锂离子固态电解质;并在衬底上沉积第二电极。从双金属醇锂前体获得锂离子固态电解质层。此外,还公开了一种电化学能源以及设有这种电化学能源的电子器件。
-
公开(公告)号:CN101069310A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200580040259.8
申请日:2005-11-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: F·罗泽博姆 , P·诺滕 , A·L·A·M·凯默恩 , J·H·克鲁特威克
IPC: H01M6/40
CPC classification number: H01M4/58 , H01G9/15 , H01M2/10 , H01M6/40 , H01M6/48 , H01M10/044 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及一种包括下列中的至少一个组件的电化学能源:第一电极、第二电极和分开所述第一电极和所述第二电极的中间固态电解质。本发明还涉及设有这种电化学能源的电子模块。本发明还涉及设有这种电化学能源的电子器件。而且,本发明涉及一种制造这种电化学能源的方法。
-
公开(公告)号:CN100550367C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200680023906.9
申请日:2006-06-28
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: R·德克尔 , F·罗泽博姆 , P·诺滕 , A·L·A·M·凯默恩
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H03H9/105 , H01L2924/00
Abstract: 电子器件包括在第一面(1)有半导体元件(20)的电路的半导体衬底(10)。衬底(10)在载体(40)和封装(70)之间,使衬底(10)的第一面(1)朝向载体(40)。用导体迹线(25)将半导体元件(20)的电路耦合到封装(70)内的凹槽(80)中的金属化部分(82),该金属化部分(82)延伸至在封装(70)外部的端子(90)。至少一个附加电元件(120)限定在半导体衬底(10)的第一面(1)和封装(70)之间。该附加元件(120)设有至少一个延伸至凹槽(80)中的金属化部分(82)的导体迹线(65),以便将附加元件(120)结合在衬底(10)的第一面(1)上的半导体元件(20)的电路中。
-
公开(公告)号:CN101528466A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200780039799.3
申请日:2007-10-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: G·尼撒托 , F·罗泽博姆 , J-E·J·M·鲁宾厄 , W·德克斯
CPC classification number: B41J2/162 , A61C17/02 , A61M5/30 , B41J2/1433 , B41J2/1606 , B41J2/1626 , B41J2002/14475 , Y10T29/494
Abstract: 描述了一种用于喷射装置的喷嘴,包括例如一个图案化的硅基板,实现了半导体批量生产。制造喷嘴的方法的特征在于使用了沉积在硅基板上的一个掩模层。通过穿过掩模层的第一各向同性蚀刻步骤和第二各向异性蚀刻步骤,完成对硅基板的蚀刻,从而制造出准确对准的喷嘴。
-
公开(公告)号:CN101213665A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200680023906.9
申请日:2006-06-28
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: R·德克尔 , F·罗泽博姆 , P·诺滕 , A·L·A·M·凯默恩
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H03H9/105 , H01L2924/00
Abstract: 电子器件包括在第一面(1)有半导体元件(20)的电路的半导体衬底(10)。衬底(10)在载体(40)和封装(70)之间,使衬底(10)的第一面(1)朝向载体(40)。用导体迹线(25)将半导体元件(20)的电路耦合到封装(70)内的凹槽(80)中的金属化部分(82),该金属化部分(82)延伸至在封装(70)外部的端子(90)。至少一个附加电元件(120)限定在半导体衬底(10)的第一面(1)和封装(70)之间。该附加元件(120)设有至少一个延伸至凹槽(80)中的金属化部分(82)的导体迹线(65),以便将附加元件(120)结合在衬底(10)的第一面(1)上的半导体元件(20)的电路中。
-
-
-
-
-
-
-