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公开(公告)号：CN118550352A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410698006.4
申请日：2024-05-31
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种应用于微处理器DVFS技术的类比运放LDO设计，采用开关式架构，通过将环路控制信号从电压域转换到时域，以类运放结构产生15相脉冲宽度调制信号和有源电压定位，实现将开关式LDO的开关频率等效增大和在约束输出电压纹波的基础上将负载电容减小；为了保持LDO的环路稳定，采用双环路的结构使环路产生一个额外的零点，对LDO轻载时前移的输出极点进行补偿，以实现LDO在全负载范围内保持稳定输出。
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公开(公告)号：CN116915234A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310694090.8
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/094 , H03F1/30 , H03F1/56
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开一种动态偏置电路、输出级偏置补偿电路、轨到轨运放及芯片。所述动态偏置电路包括：差分共源输入级，其输入与前级输出相连，以及其输出与轨到轨运放的CLASS‑AB输出级的栅极相连，其中，响应于所述前级输出的变化，所述差分共源输入级的电流变化，以引发所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；辅助放大级，用于放大所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；以及反馈级，用于将经放大的所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化反馈至所述CLASS‑AB输出级的栅极，以通过引发所述CLASS‑AB输出级的栅极处的阻抗变化来动态调整所述CLASS‑AB输出级的偏置电压。本发明可动态调整CLASS‑AB输出级的偏置电压和控制路径上的尾电流，从而可同时增强压摆率及负载驱动能力。
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公开(公告)号：CN118554743A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410698100.X
申请日：2024-05-31
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种利用运放微分电路的固定斜率软起动电路，通过由运放构成的微分电路对输出电压的斜率进行采样，以确定输出电压的斜率；采用负反馈的方式控制内部软起电压实现不同的斜率，从而保证输出电压斜率在芯片外部分压电阻比例不同的情况下，按照同样的斜率进行启动。软起动结束后，电路能够通过软起结束信号关闭起动电路的偏置电流，实现零静态功耗。
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公开(公告)号：CN116915188A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310721590.6
申请日：2023-06-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明实施例提供一种电流放大器、传感器读出电路和传感器，属于集成电路技术领域。所述电流放大器包括输入斩波器、输入级电路、压控电流放大单元和输出斩波单元，其中：所述输入级电路的输入端通过所述输入斩波器接入差分电压信号VIN，其输出端连接所述压控电流放大单元，用于将所述差分电压信号转换成差分电流信号；所述压控电流放大单元被配置为提供针对所述差分电流信号的增益，且所述压控电流放大单元的输出端通过所述输出斩波单元来输出最终的电流信号IOUT。本发明实施例一方面能够利用输入输出端的斩波器来优化噪声和失调，另一方面还能够利用压控电流放大单元调节放大增益，可以适应于低功耗、低失调、低噪声的场景。
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公开(公告)号：CN116880654A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310694091.2
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
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公开(公告)号：CN118554758A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410687069.X
申请日：2024-05-30
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路，利用开关电源开关节点同时包含了过零信息与死区时间信息这一特点，将两个电路中的检测电路相结合的电路，在具有良好自适应过零检测与自适应死区时间控制的基础上实现了更小的电路面积与功耗。
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公开(公告)号：CN116915239A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310701608.6
申请日：2023-06-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC分类号： H03K19/094 , H03F1/52 , H03K19/003 , H03K19/00
摘要： 本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。
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公开(公告)号：CN118731452A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410644155.2
申请日：2024-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 国网智能电网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种特征电流检测电路、通信模组、芯片及电子设备，其中，特征电流检测电路包括：电流检测器，用于检测电力线上的电流，并输出与电流对应的第一差分电压信号，其中，电流包括特征电流；高通滤波器，与电流检测器的输出端相连，用于对第一差分电压信号进行高通滤波得到第二差分电压信号；多级差分无源陷波器，与高通滤波器的输出端相连，用于对第二差分电压信号中的干扰信号进行抑制得到第三差分电压信号；差分转单端带通放大器，差分转单端带通放大器的输入端与多级差分无源陷波器的输出端相连，用于对第三差分电压信号进行带通滤波和放大，并转换为单端电压信号，其中，单端电压信号用于表征特征电流信号。
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公开(公告)号：CN116723687A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310790286.7
申请日：2023-06-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网安徽省电力有限公司 , 国网江苏省电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片以及PCB板组件，芯片包括：芯片主体；磁场抵消件，所述磁场抵消件与所述芯片主体相邻设置，所述磁场抵消件被配置为在所述芯片外部的磁场发生变化时产生感应电流以使所述磁场抵消件产生抵抗外部磁场的感应磁场。由此，通过设置磁场抵消件，当芯片主体外部的磁场变化时，磁场抵消件内能够产生感应电流，从而能够产生感应磁场，感应磁场能够抵抗外部磁场以降低芯片主体所受到的总磁场强度，进而能够降低外部磁场对芯片主体的影响，有利于提高芯片主体的使用可靠性。
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公开(公告)号：CN115224932A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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