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公开(公告)号：CN118367897A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410528783.4
申请日：2024-04-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种时钟信号产生电路方法、DC‑DC控制器、芯片及装置，所述电路包括：电流偏置模块，用于生成偏置电流，并向电容充放电模块提供偏置电流；电容充放电模块，用于在所述偏置电流下产生锯齿波；施密特触发器模块，用于检测电容充放电模块中目标电容的上极板的电压，并在上极板的电压大于或等于额定电压阈值时进行输出翻转，以得到翻转信号；整形分频模块，用于在输入翻转信号的情况下，对翻转信号进行整形并分频，以得到目标占空比的方波信号，并输出所述方波信号，方波信号为时钟信号。该电路可以使用施密特触发器模块进行电压翻转，从而极大程度地降低了电路的匹配要求，并降低了电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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公开(公告)号：CN114978146A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210573949.5
申请日：2022-05-24
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种电平转换电路、芯片及电子设备，其中电平转换电路包括：输入单元，输入单元与信号输入端相连，用于对信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压；衬底偏置转换单元，衬底偏置转换单元与输入单元相连，用于在第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流；电流镜像单元，电流镜像单元与衬底偏置转换单元相连，用于对第一电流和第二电流进行比较；输出电压转换单元，输出电压转换单元与电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过信号输出端输出。由此，实现了低功耗、大摆幅的电平转换功能，提高了电平转换电路的适用性。
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公开(公告)号：CN118275508A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410193825.3
申请日：2024-02-21
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 厦门大学
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本申请公开一种湿度传感器和湿度传感器的制备方法。湿度传感器包括晶圆及湿敏膜。晶圆包括基底和设置在基底上的电极。湿敏膜位于电极的表面，湿敏膜包括第一湿敏膜和第二湿敏膜，第一湿敏膜由未完全亚胺化的聚酰亚胺制成，第二湿敏膜由氟化聚酰亚胺制成，第二湿敏膜位于电极与第一湿敏膜之间。一方面使得在低湿度的情况下，可利用第一湿敏膜实现对水分敏感，实现低湿度感知。另一方面利用第二湿敏膜中的含氟官能团来提高第二湿敏膜的高湿稳定性和降低第二湿敏膜的迟滞性。如此，基于第一湿敏膜和第二湿敏膜的湿度传感器可在全湿度范围内完成检测，即实现宽量程，且在全湿度范围内可实现低迟滞性和高湿稳定性，从而减少湿度传感器的使用限制。
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公开(公告)号：CN116880654A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310694091.2
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
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公开(公告)号：CN116577633A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310354362.X
申请日：2023-04-04
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28 , H03L7/24 , G01R31/317
摘要： 本发明实施例提供一种芯片的输出频率的自修调方法和装置及芯片，属于芯片测试领域。该自修调方法包括：获取在预设计数时间内所述芯片内的振荡器产生的时钟信号的第一个数；获取在所述预设计数时间内与所述芯片对应的测试机提供的时钟信号的第二个数；比较第一个数和第二个数，以确定初始比较结果；以及在第一个数与第二个数的差值的绝对值满足第一预设要求的情况下，修调所述振荡器产生所述时钟信号的振荡器频率，以使得所述芯片的所述输出频率与预设目标输出频率的差值满足第二预设要求。籍此，实现了自修调芯片的输出频率。
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公开(公告)号：CN118554743A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410698100.X
申请日：2024-05-31
申请人： 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种利用运放微分电路的固定斜率软起动电路，通过由运放构成的微分电路对输出电压的斜率进行采样，以确定输出电压的斜率；采用负反馈的方式控制内部软起电压实现不同的斜率，从而保证输出电压斜率在芯片外部分压电阻比例不同的情况下，按照同样的斜率进行启动。软起动结束后，电路能够通过软起结束信号关闭起动电路的偏置电流，实现零静态功耗。
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公开(公告)号：CN117214668A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311267046.5
申请日：2023-09-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种芯片测试电路及芯片测试系统，其中，芯片测试电路包括：第一测试单元，被配置为在采用第一连接方式与待测芯片相连的情况下，对待测芯片的开关引脚线路上的输出电压和输出电流进行检测；第二测试单元，被配置为与待测芯片相连的情况下，对待测芯片的输出电压和输出电流进行检测；处理单元，处理单元的输入端分别与第一测试单元的输出端和第二测试单元的输出端相连，处理单元被配置为根据待测芯片的输入电压和输入电流、开关引脚线路上的输出电压和输出电流、以及待测芯片的输出电压和输出电流对待测芯片的转化效率进行测试。该芯片测试电路保证了转换效率的准确性，并且不需要在待测芯片内增加测试模块，降低了设计、制造成本。
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公开(公告)号：CN116915188A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310721590.6
申请日：2023-06-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明实施例提供一种电流放大器、传感器读出电路和传感器，属于集成电路技术领域。所述电流放大器包括输入斩波器、输入级电路、压控电流放大单元和输出斩波单元，其中：所述输入级电路的输入端通过所述输入斩波器接入差分电压信号VIN，其输出端连接所述压控电流放大单元，用于将所述差分电压信号转换成差分电流信号；所述压控电流放大单元被配置为提供针对所述差分电流信号的增益，且所述压控电流放大单元的输出端通过所述输出斩波单元来输出最终的电流信号IOUT。本发明实施例一方面能够利用输入输出端的斩波器来优化噪声和失调，另一方面还能够利用压控电流放大单元调节放大增益，可以适应于低功耗、低失调、低噪声的场景。
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公开(公告)号：CN115078965A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210658202.X
申请日：2022-06-10
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本申请公开了一种芯片的温度场分布检测方法及装置、介质、芯片，该方法首先获取多个关键节点各自的工作温度目标值，然后控制所有的功耗模拟单元依次按对应的关键节点的工作温度目标值进行功耗模拟，以使测温单元感测功耗模拟单元传导过来的温度，然后依据感测到的温度以及每个功耗模拟单元与测温单元之间的位置关系，生成各功耗模拟单元的位置‑温度关系曲线，最后依据位置‑温度关系曲线生成芯片待测区域的温度场分布情况，由此能够基于芯片的工作特点来动态定位封装后芯片的温度场分布，通过内置的测温电路和功耗模拟电路作为温度场分布检测的硬件实现，实现芯片整体温度场分布的检测，还降低了检测成本和检测难度。
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