公开(公告)号：CN114068404A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111348460.X

申请日：2021-11-15

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 陈云 ,  詹益旺 ,  陈凡 ,  刘强 ,  李宝玉 ,  江丽贞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请公开一种半导体存储装置及其制备方法，能够满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。半导体存储装置的制备方法包括以下步骤：提供衬底，上表面形成有导电结构层；图形化导电结构层，从而形成包括第一图案结构的第一导电结构，第一图案结构沿第一方向延伸，在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度，第一图案结构还包括末端导电结构，末端导电结构包括沿第一方向依次设置的内侧加宽部以及外侧加宽部，分别用于沿第三方向延伸第一图案结构，以及沿第四方向延伸第一图案结构，且第三方向和第四方向均非平行于第一方向。

公开(公告)号：CN113644121A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110892366.4

申请日：2021-08-04

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 李宝玉 ,  詹益旺 ,  陈凡 ,  陈云 ,  郭鹏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。本申请中至少通过金属层来覆盖(遮挡住)坡度角不受控制的半导体层，使得栅结构的边缘尺寸主要由坡度角易受控制且刻蚀坡度角较大的金属层决定，即使半导体层的坡度角不受控制，也不会影响后续在两侧形成的掺杂区的形貌和位置，大大减少了掺杂区的形貌和位置不受控制导致的短路问题。

公开(公告)号：CN113644121B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110892366.4

申请日：2021-08-04

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 李宝玉 ,  詹益旺 ,  陈凡 ,  陈云 ,  郭鹏

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。本申请中至少通过金属层来覆盖(遮挡住)坡度角不受控制的半导体层，使得栅结构的边缘尺寸主要由坡度角易受控制且刻蚀坡度角较大的金属层决定，即使半导体层的坡度角不受控制，也不会影响后续在两侧形成的掺杂区的形貌和位置，大大减少了掺杂区的形貌和位置不受控制导致的短路问题。

公开(公告)号：CN216288431U

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202122794519.X

申请日：2021-11-15

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 陈云 ,  詹益旺 ,  陈凡 ,  刘强 ,  李宝玉 ,  江丽贞

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请公开一种半导体存储装置，能够满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，上表面形成有导电结构层；图形化导电结构层，从而形成包括第一图案结构的第一导电结构，第一图案结构沿第一方向延伸，在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度，第一图案结构还包括末端导电结构，末端导电结构包括沿第一方向依次设置的内侧加宽部以及外侧加宽部，分别用于沿第三方向延伸第一图案结构，以及沿第四方向延伸第一图案结构，且第三方向和第四方向均非平行于第一方向。

公开(公告)号：CN216213473U

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202121812563.2

申请日：2021-08-04

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 李宝玉 ,  詹益旺 ,  陈凡 ,  陈云 ,  郭鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。本申请中至少通过金属层来覆盖(遮挡住)坡度角不受控制的半导体层，使得栅结构的边缘尺寸主要由坡度角易受控制且刻蚀坡度角较大的金属层决定，即使半导体层的坡度角不受控制，也不会影响后续在两侧形成的掺杂区的形貌和位置，大大减少了掺杂区的形貌和位置不受控制导致的短路问题。