一种大尺寸银合金镶嵌靶材及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116770240A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310793789.X

    申请日:2023-06-30

    IPC分类号: C23C14/34 B23P15/00 C22C5/06

    摘要: 本发明提供了一种大尺寸银合金镶嵌靶材及其制备方法,属于溅射靶材技术领域。本发明提供的大尺寸银合金镶嵌靶材的制备方法,采用纯银靶加合金钉镶嵌的设计可以将合金钉与银靶冶金结合,结合面无缝隙空洞,导热导电性好,镶嵌处理得到的靶材结合紧密,溅射效率高、性能稳定、品质优良;利用旋转摩擦发热的原理将钉子放入靶槽中,使其熔化焊接在一起,解决了因靶钉与靶之间存在缝隙而引起的异常放电问题,操作简单,手持式钻头即可实现;且本发明的制备方法可以采用不同元素的合金钉在靶面上优化分布,实现多元合金靶。

    一种超细纳米晶银合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN116815089A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310802151.8

    申请日:2023-07-03

    IPC分类号: C22F1/14 C22C5/06

    摘要: 本发明提供了一种超细纳米晶银合金及其制备方法,属于超细晶制备技术领域。本发明提供的超细纳米晶银合金的制备方法,先对银合金进行轧制,通过轧制使银合金中原本的晶粒破碎,然后通过退火处理,使破碎的晶粒转变为等轴晶,接着在超低温下进行交叉挤压,通过超低温来抑制恢复再结晶,通过交叉挤压,使等轴晶破碎为超细等轴晶,再利用超低温轧制使晶粒进一步细化,最后通过退火处理使轧制完破碎的晶粒再结晶,从而得到了晶粒尺寸为纳米级的超细纳米晶银合金;超细纳米晶银合金的微观组织均匀,强度提升明显,且导电性和延展性好,同时制备方法简单,易于大型推广,在工业中拥有广泛的应用前景。

    一种靶材的修复方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116676575A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310799763.6

    申请日:2023-07-03

    摘要: 本发明提供了一种靶材的修复方法,包括如下步骤:在待修复靶材的修复区的沟槽内浇铸与靶材成分相同的合金熔体,得到一次修复靶材;对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理,得到摩擦处理的靶材;对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理,得到修复的靶材。本发明采用浇铸法,利用与待修复靶材成分相同的合金熔体进行修复,能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合,不会出现脱层等现象,能够实现废弃靶材的反复使用,大幅度提高了靶材的利用率;为了消除浇铸修复区的缺陷,细化其晶粒,对修复区进行摩擦处理,并随后进行去应力退火,有效解决了靶材修复区晶粒粗大的问题,保证了溅射靶材的均匀性。

    一种高比例孪晶银及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116695038A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310803302.1

    申请日:2023-07-03

    IPC分类号: C22F1/14

    摘要: 本发明提供了一种高比例孪晶银及其制备方法和应用,属于银材料制备技术领域。本发明提供的一种高比例孪晶银的制备方法,本发明对银原料进行退火处理,可以使其均质化,会让晶粒完全再结晶,形成等轴晶,然后通过水冷进行快速降温,会形成大量的特殊晶界,接着通过冷轧可以使银原料中的晶粒破碎,最后进行二次退火,使破碎的晶粒再结晶,并通过二次水冷得到更多的特殊晶界,从而大幅度提高了银中孪晶的比例。实施例的结果显示,本发明提供的高比例孪晶银中低∑CSL晶界的比例为71.2%,孪晶含量高达70%,维氏硬度>100HV,电导率≥54*106Ms/m。

    一种靶材的修复方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116676574A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310799759.X

    申请日:2023-07-03

    IPC分类号: C23C14/34 C23C24/04 C22F1/14

    摘要: 本发明提供了一种靶材的修复方法,包括如下步骤:采用冷喷涂将与待修复靶材成分相同的合金粉末填充于待修复靶材的修复区的沟槽内,得到一次修复靶材;对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理,得到摩擦处理的靶材;对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理,得到修复的靶材。本发明采用冷喷涂法能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合,不会出现脱层等现象,能够实现废弃靶材的反复使用,大幅度提高了靶材的利用率;在冷喷涂初步修复后,再使用摩擦处理和去应力退火处理能够细化靶材修复区的晶粒尺寸,从而解决了靶材修复区晶粒粗大的问题,保证了溅射靶材的均匀性。

    强度与塑性同步提高异质晶粒结构CoCrNi中熵合金的制备方法

    公开(公告)号:CN117845116A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410026469.6

    申请日:2024-01-08

    IPC分类号: C22C30/00 C22C1/02 C22F1/00

    摘要: 本发明属于中熵合金技术领域,具体涉及一种强度与塑性同步提高异质晶粒结构CoCrNi中熵合金的制备方法。CoCrNi中熵合金按原子百分比计组成为:Co:33.3%‑33.4%,Ni:33.3%‑33.4%,Cr:33.3%‑33.4%;制备方法包括以下步骤:S1、将Ni、Co、Cr金属颗粒进行熔炼,得到合金锭,合金锭经均质化后切割为块体;S2、将步骤S1得到的块体进行多道次冷轧,冷轧后得到的样品在700‑900℃下退火,退火后水淬;S3、将步骤S2得到的样品进行多道次冷轧,冷轧后得到的样品在700℃下退火,退火后水淬,得到强度与塑性同步提高异质晶粒结构CoCrNi中熵合金。本发明采用“冷轧‑中间退火‑冷轧‑退火”工艺,可制备出强度与塑性同步提高的异质晶粒结构CoCrNi中熵合金,抗拉强度为1135~1169MPa,延伸率为38.9~40.3%,强塑积为44.35~47.11GPa·%。

    一种球形银粉大量连续生产方法及设备

    公开(公告)号:CN118577799A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410774584.1

    申请日:2024-06-17

    IPC分类号: B22F9/10 B22F1/065

    摘要: 本发明涉及银粉制备技术领域,尤其为一种球形银粉大量连续生产方法及设备,包括筒状坩埚、设置在筒状坩埚右端的钨针头和设置在钨针头右侧的石墨转盘。本发明将熔体银利用筒状坩埚和钨针头喷出纳米喷雾细流,利用旋转的覆有氧化镁镀层的石墨圆盘承接,在石墨圆盘的高速旋转下,在银细流未固化前被截断分开,银细流接触到氧化镁镀层时,利用氧化镁镀层和银完全不润湿的液/固非润湿效应,使该截断的银细流在翻滚过程中形成球形银粉,所生成银粉球形度好,表面光滑,导电性好,对比一般的喷雾热解法,克服了球形度差以及粒度分布宽的问题。

    一种坩埚托装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118581561A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410872627.X

    申请日:2024-07-01

    IPC分类号: C30B11/00 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种坩埚托装置,坩埚托装置包括:保护管、底座、热电偶等,保护管由多个异形单体管依次套接或由多个规则单体管与多个双联单体管进行套接而成,该类保护管中相邻的彼此套接的两节管之间存在竖直方向上的交叠或嵌套,相邻的管之间嵌套部分的配合缝隙较长,接缝纵截面是曲折的,缝隙的内外端存在一定的高度差,从而使得保护管能较好地稳固为一体,能够避免粉体填充物漏出且不易破裂,从而克服现有技术保护管发生倾斜时会出现的技术问题,以使坩埚装出炉更安全,使坩埚下降法生长晶体更顺畅地进行,有助于提高晶体生长的成功率。

    一种同步提高铌微合金化TRIP钢强度与塑性的制备方法

    公开(公告)号:CN118441134A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410615928.4

    申请日:2024-05-17

    摘要: 本发明涉及一种同步提高铌微合金化TRIP钢强度与塑性的制备方法,属于材料加工技术领域。制备方法包括步骤:获得铌微合金化TRIP钢的钢锭并进行均匀化热处理,获得钢坯;将钢坯进行多道热轧,获得热轧钢板;将热轧钢板进行多道冷轧,获得冷轧钢板;将冷轧钢板加热至825~900℃保温2 min,淬火至室温;获得淬火后钢板;将淬火后钢板加热至825℃保温3 min,之后淬入450℃的熔融盐中保温3分钟后,空冷至室温。本发明针对常规TRIP钢进行设计,采用预淬火+两阶段热处理工艺处理常规TRIP钢,可以有效细化奥氏体晶粒,改善残余奥氏体的稳定性,提升各相的协调变形能力,推迟残余奥氏体的相变,达到TRIP钢强度与塑性的同步提高效果。