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公开(公告)号：CN116676574A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310799759.X
申请日：2023-07-03
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司 , 福建理工大学
摘要： 本发明提供了一种靶材的修复方法，包括如下步骤：采用冷喷涂将与待修复靶材成分相同的合金粉末填充于待修复靶材的修复区的沟槽内，得到一次修复靶材；对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理，得到摩擦处理的靶材；对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理，得到修复的靶材。本发明采用冷喷涂法能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合，不会出现脱层等现象，能够实现废弃靶材的反复使用，大幅度提高了靶材的利用率；在冷喷涂初步修复后，再使用摩擦处理和去应力退火处理能够细化靶材修复区的晶粒尺寸，从而解决了靶材修复区晶粒粗大的问题，保证了溅射靶材的均匀性。
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公开(公告)号：CN116815089A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310802151.8
申请日：2023-07-03
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司 , 福建理工大学
摘要： 本发明提供了一种超细纳米晶银合金及其制备方法，属于超细晶制备技术领域。本发明提供的超细纳米晶银合金的制备方法，先对银合金进行轧制，通过轧制使银合金中原本的晶粒破碎，然后通过退火处理，使破碎的晶粒转变为等轴晶，接着在超低温下进行交叉挤压，通过超低温来抑制恢复再结晶，通过交叉挤压，使等轴晶破碎为超细等轴晶，再利用超低温轧制使晶粒进一步细化，最后通过退火处理使轧制完破碎的晶粒再结晶，从而得到了晶粒尺寸为纳米级的超细纳米晶银合金；超细纳米晶银合金的微观组织均匀，强度提升明显，且导电性和延展性好，同时制备方法简单，易于大型推广，在工业中拥有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118145965A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410217607.9
申请日：2024-02-28
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/628 , C23C14/34
摘要： 本发明提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物、ITO靶材的制备方法，属于ITO靶材领域。本发明提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物的制备方法，包括以下步骤：将纳米氧化铟、锡盐溶液、含氢氧根的无机碱和水混合进行沉淀反应，将所得沉淀反应产物进行造粒，得到所述氧化铟/氢氧化锡复合物；所述纳米氧化铟中铟元素与锡盐溶液中锡元素的摩尔比为20～100：1。本发明将纳米氧化铟采用直接引入的方式，避免了需要大量沉淀的操作，而微量掺杂的氢氧化锡采用沉淀的方式获得，可以保证氢氧化锡在氧化铟表面的均匀分布，使得其制备得到的ITO靶材中的氧化锡分布均匀，进而提高了ITO靶材致密度。
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公开(公告)号：CN117431430A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210817180.7
申请日：2022-07-12
申请人： 华为技术有限公司 , 福建阿石创新材料股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件。该银合金包括银以及第一掺杂物质和第二掺杂物质，第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种，第二掺杂物质为锌；其中，以原子数百分比计，第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，且第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。利用该银合金用作显示器件的电极，具有良好的可靠性，同时在蓝光波段具有较高的反射率。
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公开(公告)号：CN118460971A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410200421.2
申请日：2024-02-23
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种银合金靶材及其制备方法和应用，属于有机发光二极管（OLED）器件的阳极材料技术领域。本发明在纯银中添加锌和钕，锌在银中的固溶度较高，添加锌可以形成固溶强化，增加银的强度，稀土钕元素在银合金中除了典型的固溶强化作用外，还能够改善银合金的凝固，从而产生细化晶粒的效果，并且在热处理过程中，钕元素也能起到细化晶粒的效果，同时在溅射成膜时，钕原子有钉扎作用，从而提高薄膜的粘附性能，控制锌和钕的含量，使得银合金靶材适合于溅射镀膜工艺，制备得到同时具有良好导电率、反射率、粘附性、表面粗糙度和可靠性的银合金薄膜和ITO/Ag合金/ITO薄膜。
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公开(公告)号：CN117428157A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311406225.2
申请日：2023-10-27
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种铝钕合金铸锭的制备方法，属于合金领域。本发明提供了一种铝钕合金铸锭的制备方法，包括以下步骤：将铝钕合金熔体从保温温度场中以1～10mm/min的速度拉出后冷却凝固，得到所述铝钕合金铸锭。本发明通过调整熔体拉出的速度，延长凝固结晶的时间，从而使晶粒度长大得更多。实验结果表明，本发明制备的铝钕合金铸锭平均晶粒度大于200微米。
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公开(公告)号：CN117961009A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410317410.2
申请日：2024-03-20
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种超高纯铜锭的制备方法，属于超高纯铜熔炼与铸造领域。本发明还提供了一种超高纯铜锭的制备方法，包括以下步骤：将超高纯电解铜放入容器后进行真空熔炼，在所述容器中获得铜熔体；将盛有所述铜熔体的容器从真空熔炼区域以1～20mm/min的速度匀速拉出进行定向凝固，得到所述超高纯铜锭；所述容器的纯度≥5N5，超高纯铜锭的纯度≥7N。真空熔炼使超高纯电解铜中低沸点金属挥发和杂质分解与排出，提高了纯度。定向凝固为熔体凝固定向结晶的过程，而定向结晶利于提高铸锭纯度；采用熔炼‑拉出进行定向凝固的方式避免了熔体的倾倒，提高了成材率；并且本发明通过控制拉出速度避免了铸锭缩孔缩松的现象，提高了成材率。
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公开(公告)号：CN117817092A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410199952.4
申请日：2024-02-23
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种金属靶材的焊接方法，属于半导体靶材技术领域。本发明提供了一种金属靶材的焊接方法，包括以下步骤：将背板的焊接面加工成齿形，然后在所述齿形的表面镀焊接材料，得到镀焊接材料的背板；将金属靶材与所述镀焊接材料的背板的焊接面进行爆炸焊接。本发明在背板的焊接面增加齿形设计，然后镀焊接材料能够提高焊接强度；采用爆炸焊接的方法对金属靶材进行快速焊接，能够提高焊接强度，焊接界面均匀一致，界面无过度熔化和分层以及不结合的问题，焊接后靶材晶粒没有明显长大。实验结果表明，本申请提供的焊接方法焊合强度≥80MPa，焊接界面均匀一致，界面无过度熔化和分层以及不结合的问题，焊接后靶材晶粒没有明显长大。
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公开(公告)号：CN117587511A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311598904.4
申请日：2023-11-28
申请人： 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/40 , C23C28/04 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C14/08 , C23C14/35 , C30B29/02 , C30B29/46 , C30B29/20 , C30B23/02
摘要： 本发明公开一种用于III族氮化物高质量外延生长的二维材料缓冲层。所述二维材料缓冲层包括石墨烯、二硫化钼等。所述二维材料缓冲层的生长可以直接在高温难熔金属衬底上进行，也可以在预溅射催化层，如铜（Cu）、镍（Ni）等的金属衬底上进行。进一步地可以在二维材料层上生长AlN缓冲层以提高与氮化物外延的晶格匹配率。层间弱键合二维缓冲层的引入保留了金属衬底与氮化物外延的热匹配并提高衬底晶格匹配率，从而降低氮化物外延层中的应力，有利于改善生长于该缓冲层上III族氮化物材料的热失配和晶格失配问题，提高晶体质量和性能。另外金属衬底尺寸不受限制，可极大提高晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN113444914A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110813070.9
申请日：2021-07-19
申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC分类号： C22C5/06 , C22C1/02 , C22F1/14 , C21D8/00 , C22C5/08 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/34 , H01L51/52
摘要： 本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用。本发明提供的银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。本发明的银基合金既有银优异的导电性、导热性，又有锌的抗腐蚀性能，使银基合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，保证银基合金在高温条件下减少岛状结构的形成，仍具有极高的反射率。本发明提供的银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和覆盖于银基合金薄膜两侧的氧化铟锡薄膜层。银合金复合薄膜在具有较高功函数的同时在较高温度下具有较高的反射率；将所述银合金复合薄膜作为OLED中的阳极能够提高OLED的发光效率。
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