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公开(公告)号：CN113169201B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980079474.0
申请日：2019-12-11
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明揭示一种图像传感器，其利用纯硼层及具有p型掺杂剂浓度梯度的第二外延层以增强感测DUV、VUV或EUV辐射。在第一外延层的上表面上制造感测(电路)元件及相关联金属互连件，接着在所述第一外延层的下表面上形成所述第二外延层，且接着在所述第二外延层上形成纯硼层。通过系统地增加在所述第二外延层的沉积/生长期间使用的气体中的p型掺杂剂的浓度而产生所述p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的最低p型掺杂剂浓度紧邻于与所述第一外延层的界面而出现且使得所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度紧邻于与所述纯硼层的界面而出现。
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公开(公告)号：CN107850532B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680046415.X
申请日：2016-08-13
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 戴维·L·布朗 , 德维斯·孔塔拉托 , 约翰·费尔登 , 丹尼尔·伊万诺夫·卡瓦德杰夫 , 国衡·赵 , 振-华·霍华德·陈 , 国武·郑 , 唐纳德·佩蒂伯恩 , 斯蒂芬·比耶拉克
摘要： 本发明涉及一种检验系统及方法，其中在由图像传感器捕获的模拟图像数据值(电荷)被传输作为图像传感器的输出感测节点(浮动扩散区)上的输出信号之前或之时，分选(组合)模拟图像数据值(电荷)，且其中ADC经控制以在输出感测节点的每一复位之间循序产生多个对应数字图像数据值。根据输出分选方法，图像传感器经驱动以在每一复位之间将多个电荷循序转移到输出感测节点上，且在将每一电荷转移到输出感测节点上之后，ADC经控制以转换渐进增加的输出信号。根据多重采样方法，多个电荷在被转移到输出感测节点上之前经垂直或水平分选(加总/组合)，且ADC多次采样每一对应输出信号。可组合输出分选及多重采样方法。
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公开(公告)号：CN109076179B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201780021422.9
申请日：2017-04-05
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 一种双列并行图像CCD传感器利用双列并行读出电路，所述双列并行读出电路包含两对交叉连接的转移门以在高速度下以低噪声将像素数据(电荷)从一对邻近像素列交替地转移到共享输出电路。沿着所述两个邻近像素列以线时钟速率转移的电荷通过所述转移门交替地传递到求和门，所述求和门以所述线时钟速率的两倍的速率操作以将所述图像电荷传递到所述共享输出电路。在一个实施例中，利用对称Y形扩散部来合并来自所述两个像素列的所述图像电荷。本发明也描述一种用线时钟同步来驱动所述双列并行CCD传感器的方法。本发明也描述一种使用所述双列并行CCD传感器来检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN110164745A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910348546.9
申请日：2015-08-28
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28 , H01J49/02 , H01L27/146 , G01T1/24 , G01N30/72
摘要： 本发明涉及一种扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法，所述扫描式电子显微镜并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电子信号的电路。所述多像素固态检测器适合于高速操作，例如，以约100MHz或更高的速度。所述扫描式电子显微镜可用于复检、检验或测量样本，例如未经图案化的半导体晶片、经图案化的半导体晶片、光罩或光掩模。本发明还描述一种复检或检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN104205160B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380014322.5
申请日：2013-02-01
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14634 , H04N5/3694 , H04N5/37206 , H04N5/37213
摘要： 一种用于高速图像处理的模块包含用于产生表示图像的多个模拟输出的图像传感器和用于同时处理所述多个模拟输出的多个高密度数字化器HDD。每一HDD为经配置以并行处理所述模拟输出的预定集合的集成电路。所述HDD的每一通道可包含用于调节表示一个传感器模拟输出的信号的模拟前端AFE、用于将经调节信号转换成数字信号的模/数转换器ADC，和用于校准并格式化所述数字信号以供传送到芯片外装置的数据格式化块。所述HDD和驱动电子设备与图像传感器组合到一个封装中以使信号完整性和高动态范围优化，且通过使用同步HDD通道实现高数据速率。组合多个模块导致针对检查和度量衡应用而优化的高度可缩放成像子系统。
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公开(公告)号：CN110164745B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910348546.9
申请日：2015-08-28
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28 , H01J49/02 , H01L27/146 , G01T1/24 , G01N30/72
摘要： 本发明涉及一种扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法，所述扫描式电子显微镜并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电子信号的电路。所述多像素固态检测器适合于高速操作，例如，以约100MHz或更高的速度。所述扫描式电子显微镜可用于复检、检验或测量样本，例如未经图案化的半导体晶片、经图案化的半导体晶片、光罩或光掩模。本发明还描述一种复检或检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN111564462A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010430345.6
申请日：2017-04-05
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361 , H04N5/372 , H04N5/3722 , H04N5/3725 , H04N5/378 , G06T7/00 , G01N21/956 , G01N21/95 , H01L29/768
摘要： 本申请实施例涉及双列并行CCD传感器及使用传感器的检验系统。一种双列并行图像CCD传感器利用双列并行读出电路，所述双列并行读出电路包含两对交叉连接的转移门以在高速度下以低噪声将像素数据(电荷)从一对邻近像素列交替地转移到共享输出电路。沿着所述两个邻近像素列以线时钟速率转移的电荷通过所述转移门交替地传递到求和门，所述求和门以所述线时钟速率的两倍的速率操作以将所述图像电荷传递到所述共享输出电路。在一个实施例中，利用对称Y形扩散部来合并来自所述两个像素列的所述图像电荷。本发明也描述一种用线时钟同步来驱动所述双列并行CCD传感器的方法。本发明也描述一种使用所述双列并行CCD传感器来检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN106575594B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580042995.0
申请日：2015-08-28
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28
摘要： 本发明涉及一种扫描式电子显微镜，其并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电子信号的电路。所述多像素固态检测器适合于高速操作，例如，以约100MHz或更高的速度。所述扫描式电子显微镜可用于复检、检验或测量样本，例如未经图案化的半导体晶片、经图案化的半导体晶片、光罩或光掩模。本发明还描述一种复检或检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN104904194B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380069796.X
申请日：2013-12-10
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 戴维·L·布朗 , 勇-霍·亚历克斯·庄 , 尤里·尤迪特斯凯
IPC分类号： H04N5/225
CPC分类号： H04N5/3742 , G01N21/8851 , G01N2021/8896 , G01N2021/95676 , H04N5/2256 , H04N5/3743
摘要： 本发明描述种随着连续移动的对象操作图像传感器的方法。在此方法中,可在延长时间照明脉冲期间执行定时延迟积分模式TDI模式操作。在此TDI模式操作期间,仅在第方向中移位通过所述图像传感器的像素存储的电荷且其跟踪图像运动。值得注意的是,仅在非照明期间执行分裂读出操作。在此分裂读出操作期间,在所述第方向中移位通过所述图像传感器的第像素存储的第电荷,且同时在第二方向中移位通过所述图像传感器的第二像素存储的第二电荷,所述第二方向与所述第方向相反。
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公开(公告)号：CN105210189A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480028203.X
申请日：2014-04-01
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 戴维·L·布朗 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要： 本发明揭示一种光倍增管，其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地，所述光电二极管包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上，以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中，所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。
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