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    修正宇宙粒子导致的图像缺陷的利用信号滚动和积分的图像捕获方法
    1.
    发明公开
    修正宇宙粒子导致的图像缺陷的利用信号滚动和积分的图像捕获方法 无效

    公开(公告)号：CN106576133A

    公开(公告)日：2017-04-19

    申请号：CN201580041472.4

    申请日：2015-07-23

    申请人： E2V半导体公司

    发明人： P·弗雷尔 ,  P·默纳-洛科

    IPC分类号： H04N5/217 ,  H04N5/374

    CPC分类号： H04N5/3743 ,  H04N5/217

    摘要： 为消除穿过信号滚动和积分的图像传感器的高能粒子产生的图像缺陷，本方法涉及，对已经相继观察了相同的场景点的相同行的像素所提供的数字值进行上游检测。在建立表示观察到的场景点的光照的数字信号时，所述检测能够忽略或修正来自受损像素的值。检测基于已经观察了相同的场景点的两个像素Pχi,a和Pxi,b提供的第一数字值pi,a(t1)与第二数字值pi,b(t2)之间的差的计算，从第一值减去第二值，并将其与预定的阈值k比较。如果所述差大于阈值，则第一值太高，在为了建立场景点的光照而进行求和Σ'i时忽略第一值，将所述值替换为与其进行了比较的第二值。在一种替选方式中，第一值被替换为平均值；或其从计算中被排除。

    一种数字域TDI相机成像质量的调整方法及调整系统
    6.
    发明公开
    一种数字域TDI相机成像质量的调整方法及调整系统 有权

    公开(公告)号：CN106791508A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201611214682.1

    申请日：2016-12-26

    申请人： 首都师范大学 ,  中图高科(北京)信息技术有限公司

    发明人： 金光 ,  宋明珠 ,  曲宏松 ,  张贵祥 ,  陶淑苹

    IPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/353

    CPC分类号： H04N5/3743 ,  H04N5/353

    摘要： 本发明公开一种数字域TDI相机成像质量的调整方法及调整系统，调整方法包括：确定预拍区域；根据预拍曝光时间和预拍增益，确定预拍区域的实际灰度均值；确定TDI成像区域的期望曝光时间与期望增益的乘积；确定TDI成像区域的积分级数和积分时间；确定期望增益及期望曝光时间；根据积分级数、积分时间、期望增益及期望曝光时间确定当前TDI成像区域的图像；判断是否还有下一个预拍区域，如果有则更新预拍曝光时间和预拍增益；否则，根据各TDI成像区域的图像确定TDI相机的拍摄图像。本发明的调整方法和调整系统，可根据实际拍摄环境完成数字域TDI相机成像质量的在轨自适应调整。

    高行频CMOS-TDI图像传感器
    7.
    发明公开
    高行频CMOS-TDI图像传感器 有权 转让

    公开(公告)号：CN104219468A

    公开(公告)日：2014-12-17

    申请号：CN201410470253.5

    申请日：2014-09-15

    申请人： 天津大学

    发明人： 聂凯明 ,  姚素英 ,  徐江涛 ,  高志远 ,  史再峰 ,  高静

    IPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/353 ,  H04N5/3745

    CPC分类号： H04N5/3743 ,  H04N5/353 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378

    摘要： 本发明涉及模拟集成电路设计领域。为提供一种为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS-TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，高行频CMOS-TDI图像传感器，像素由光电二极管、运算放大器、容值相同积分电容C1和C2、失调电压消除电容C3、开关S1～S10组成；光电二极管的阳极连接到0伏特地线上，光电二极管的阴极连接到开关S9的一端，开关S9的另一端连接到参考电压Vref上；前述像素级联，最后像素N的输出端通过Read读出开关连接到列并行ADC上。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

    固体摄像装置
    8.
    发明公开
    固体摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN102056543A

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN200980121605.3

    申请日：2009-06-11

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 森治通 ,  久嶋龙次 ,  藤田一树

    IPC分类号： A61B6/00 ,  A61B6/14 ,  G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09 ,  H04N5/321

    CPC分类号： H04N5/3694 ,  A61B6/06 ,  A61B6/14 ,  A61B6/4233 ,  G01T1/2018 ,  H01L27/14663 ,  H04N5/32 ,  H04N5/3743 ,  H04N5/378

    摘要： 本发明的固体摄像装置(1)包含：半导体基板(3A)，其具有像素排列成M行NA列的像素排列(10A)；半导体基板(3B)，其具有像素排列成M行NB列且其第1列沿着像素排列(10A)的第NA列配置的像素排列(10B)；及信号输出部(20)。信号输出部(20)将与像素排列(10A)的第1列开始到第n列(2≤n＜NA)的各列对应的数字值，从第n列至第1列依次输出，并且与该输出并行地，将与像素排列(10A)的第(n+1)列开始至像素排列(10B)的第NB列的各列对应的数字值，以与像素排列(10A)的第1列至第n列相反的顺序依次输出。由此，在具备在2片基板上形成的各像素排列在行方向上拼接(tiling)的结构的固体摄像装置中，缩短一帧的摄像所需要的时间。

    具有带有用于电子电路的间隙的新型成像传感器的扫描成像系统
    9.
    发明授权
    具有带有用于电子电路的间隙的新型成像传感器的扫描成像系统 有权

    公开(公告)号：CN105814883B

    公开(公告)日：2019-06-18

    申请号：CN201480068591.4

    申请日：2014-12-15

    申请人： 皇家飞利浦有限公司

    发明人： B.胡斯肯

    IPC分类号： H04N5/369 ,  H04N5/374

    CPC分类号： H04N5/3743 ,  G02B21/002 ,  G02B21/365 ,  H04N5/369

    摘要： 呈现了一种成像传感器，包括具有用于电子电路的间隙的XY坐标系中的2D像素阵列。另外，提供了用于利用这样的传感器对样品的斜截面成像的扫描成像系统。特别地，当成像传感器处于倾斜配置中时，该传感器具有特定优点。传感器允许最大化传感器的光敏区域中的像素的光活性部分，其造成最大化的填充因数。另外，这造成非常光敏感的传感器并且因而可以避免微透镜。成像传感器的一个或多个间隙还促进更快的读出，因为可以在间隙内在成像传感器上定位更多电路。

    具有采样器阵列的图像传感器
    10.
    发明授权
    具有采样器阵列的图像传感器 失效

    公开(公告)号：CN102870407B

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：CN201180022225.1

    申请日：2011-05-04

    申请人： E2V半导体公司

    发明人： H·比涅 ,  A·塔塔

    IPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/363

    CPC分类号： H04N5/3743 ,  H04N5/363

    摘要： 本发明涉及一种具有N行使用MOS技术的有源感光像素（MT1）的图像传感器，每行具有P个像素。所述传感器包括编组有N行处理电路（MT2）的数字化电路，每行具有P个处理电路，第i行第j列的每一处理电路包括：用于执行信号的相关双采样的各个采样器，所述信号出现在第j个列导线Ccj）上并且对应于所有行在同一积分时间期间对图像点的观察；模数转换装置，用于提供所采样的模拟信号的数字值。所述传感器特别适合于以TDI（图像扫描和积分）模式工作。