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公开(公告)号：CN101809756B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN200980100070.1
申请日：2009-07-24
申请人： 第一太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/02963 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1828 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种可以包含与半导体层接触的掺杂剂的光伏电池。
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公开(公告)号：CN102656701B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201080057316.4
申请日：2010-12-09
申请人： 第一太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/0296 , H01L31/065 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/074 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 不连续的或厚度减小的窗口层可以提高基于CdTe或其他类型的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101785112A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880101249.4
申请日：2008-12-10
申请人： 第一太阳能有限公司
发明人： 罗杰·托马斯·格林 , 约翰·肯尼思·克里斯第森 , 瑞克·C·鲍威尔 , 迈克尔·大卫·罗斯
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/02008 , H01L31/0475 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种包括并联连接的第一子模块和第二子模块的光伏系统。
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公开(公告)号：CN102656701A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080057316.4
申请日：2010-12-09
申请人： 第一太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/0296 , H01L31/065 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/074 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 不连续的或厚度减小的窗口层可以提高基于CdTe或其他类型的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101809756A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200980100070.1
申请日：2009-07-24
申请人： 第一太阳能有限公司
IPC分类号： H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/02963 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/1828 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种可以包含与半导体层接触的掺杂剂的光伏电池。
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公开(公告)号：CN104053811B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280056744.4
申请日：2012-11-07
申请人： 第一太阳能有限公司
CPC分类号： H01L31/1828 , C23C14/228 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/56 , C23C16/448 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L31/02963 , H01L31/046 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 一种改进的用于持续气相传输沉积的方法和给料器系统，所述给料器系统包括通过改进的密封件结合到共同的分配器的至少两个蒸发器，以用于分别蒸发和收集至少任何两种可蒸发材料，以使材料在基底上沉积为材料层。多个蒸发器提供冗余操作并允许在蒸发器维修和修理期间持续沉积。
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公开(公告)号：CN104737303A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380038897.0
申请日：2013-05-20
IPC分类号： H01L31/073 , H01L31/18 , H01L31/0296
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/022441 , H01L31/056 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/52 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要： 一种制造光伏装置的方法和氯化物处理过的光伏装置。该方法包括：在基底上沉积碲化镉层；使用化合物对碲化镉层进行处理，所述化合物包括氯并且包括1族-11族的元素、锌、汞或鎶或者它们的组合；以及将碲化镉层退火。
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公开(公告)号：CN101861639B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200980100069.9
申请日：2009-01-13
申请人： 第一太阳能有限公司
发明人： 瑞克·C·鲍威尔
IPC分类号： H01L21/263
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/0629 , C23C14/32 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32623
摘要： 本发明公开了一种在基底上沉积材料的系统和方法。在基底上沉积材料的系统和方法包括紧邻分配器设置的等离子体源，分配器被构造为在基底上提供半导体涂层。
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