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公开(公告)号:CN106068548A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201580012477.4
申请日:2015-01-02
申请人: 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/78
摘要: 本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括:提供具有壁的处理室;邻近于处理室的壁提供等离子体源;在处理室内提供工件支撑件;将衬底放置在载体支撑件上以形成工件;提供置于衬底与框架之间的中间环;将工件装载到工件支撑件上;通过等离子体源来产生等离子体;以及通过所产生的等离子体来蚀刻工件。
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公开(公告)号:CN106068548B
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201580012477.4
申请日:2015-01-02
申请人: 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/78
摘要: 本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括:提供具有壁的处理室;邻近于处理室的壁提供等离子体源;在处理室内提供工件支撑件;将衬底放置在载体支撑件上以形成工件;提供置于衬底与框架之间的中间环;将工件装载到工件支撑件上;通过等离子体源来产生等离子体;以及通过所产生的等离子体来蚀刻工件。
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公开(公告)号:CN105493263A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201480048001.1
申请日:2014-08-07
申请人: 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号: H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
CPC分类号: H01L21/78 , H01J37/3211 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/68735
摘要: 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法,该方法包括:提供具有壁的处理室;提供与处理室的所述壁相邻的等离子体源;在处理室内提供工件支撑件;将工件加载到工件支撑件上,该工件具有支撑膜、框架和所述衬底;在衬底上提供至少两个切割区域,所述切割区域位于衬底上的所有相邻的器件结构之间;使用等离子体源产生等离子体;以及,使用所产生的等离子体处理所述工件。
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